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11. 发明专利

TW201725721A 碳化矽半導體元件以及其製造方法审中-公开
简体标题：碳化硅半导体组件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201725721A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105101176
申请日：2016-01-15
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 洪湘婷 , HUNG, HSIANG-TING , 黃堯峯 , HUANG, YAO-FENG , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/047 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7393 , H01L29/7396 , H01L29/7802 , H01L29/7816
摘要：一種碳化矽半導體元件及其製造方法，包括一半導體層、一設置於該半導體層的一表面上的絕緣層、一設置於該絕緣層上的閘電極層、一第一摻雜區域、一第二摻雜區域、一淺摻雜區域以及一第三摻雜區域，該半導體層具有一第一導電性，該第一摻雜區域具有一第二導電性且具有一和該表面相隔一第一深度的頂部摻雜邊界，該淺摻雜區域具有該第二導電性，該淺摻雜區域自該表面延伸至一淺摻雜深度，該第二摻雜區域鄰接該淺摻雜區域且至少部分位於該第一摻雜區域內，該第三摻雜區域具有該第二導電性且至少部分與該第一摻雜區域重疊。
简体摘要：一种碳化硅半导体组件及其制造方法，包括一半导体层、一设置于该半导体层的一表面上的绝缘层、一设置于该绝缘层上的闸电极层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一浅掺杂区域以及一第三掺杂区域，该半导体层具有一第一导电性，该第一掺杂区域具有一第二导电性且具有一和该表面相隔一第一深度的顶部掺杂边界，该浅掺杂区域具有该第二导电性，该浅掺杂区域自该表面延伸至一浅掺杂深度，该第二掺杂区域邻接该浅掺杂区域且至少部分位于该第一掺杂区域内，该第三掺杂区域具有该第二导电性且至少部分与该第一掺杂区域重叠。

12. 发明专利

TWI581424B 碳化矽半導體元件以及其製造方法有权
简体标题：碳化硅半导体组件以及其制造方法
公开(公告)号：TWI581424B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105101176
申请日：2016-01-15
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 洪湘婷 , HUNG, HSIANG-TING , 黃堯峯 , HUANG, YAO-FENG , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/047 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7393 , H01L29/7396 , H01L29/7802 , H01L29/7816

13. 发明专利

TW201633536A 碳化矽接面能障蕭特基整流器审中-公开
简体标题：碳化硅接面能障萧特基整流器
公开(公告)号：TW201633536A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107514
申请日：2015-03-10
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING , 李隆盛 , LEE, LURNG-SHEHNG
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872
摘要：一種碳化矽接面能障蕭特基整流器，包含一碳化矽基板、一漂移層、一p型摻雜區域、複數個接面場效應區域、一第一金屬層以及一第二金屬層。該漂移層設置於該碳化矽基板上，該接面場效應區域設置於該漂移層內，且由該p型摻雜區域環繞，該第一金屬層設置於該漂移層上，該第二金屬層設置於該碳化矽基板遠離該漂移層的一側。本發明藉由於該接面場效應區域設置N個圓區域以及(N-1)個連接於兩該圓區域之間的連接區域，利用該圓區域及該連接區域的幾何特性，有效降低元件的漏電流並提升耐壓，改善習知蕭特基障壁二極體具有較大漏電流的問題。
简体摘要：一种碳化硅接面能障萧特基整流器，包含一碳化硅基板、一漂移层、一p型掺杂区域、复数个接面场效应区域、一第一金属层以及一第二金属层。该漂移层设置于该碳化硅基板上，该接面场效应区域设置于该漂移层内，且由该p型掺杂区域环绕，该第一金属层设置于该漂移层上，该第二金属层设置于该碳化硅基板远离该漂移层的一侧。本发明借由于该接面场效应区域设置N个圆区域以及(N-1)个连接于两该圆区域之间的连接区域，利用该圆区域及该连接区域的几何特性，有效降低组件的漏电流并提升耐压，改善习知萧特基障壁二极管具有较大漏电流的问题。

14. 发明专利

TW201618300A 碳化矽場效電晶體审中-公开
简体标题：碳化硅场效应管
公开(公告)号：TW201618300A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103138027
申请日：2014-11-03
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪湘婷 , HUNG, HSIANG-TING , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/046 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068
摘要：一種碳化矽場效電晶體，包含有一碳化矽基板、一n型漂移層、一p型磊晶層、一源極區域、一溝槽式閘極、至少一p型摻雜區域、一源極、一介電層以及一汲極。藉由設置該p型摻雜區域位於該n型漂移層而相鄰於該溝槽式閘極的一側邊，並令該p型摻雜區域包含一與該p型磊晶層接觸的第一摻雜區塊以及複數個從該第一摻雜區塊朝向該碳化矽基板而間隔排列的第二摻雜區塊，使該第二摻雜區塊的厚度不需超過2um，不僅避免受限於離子佈植的深度的問題，亦能有效降低該溝槽式閘極的一底部與一轉角處的電場，提高該碳化矽場效電晶體的可靠度。
简体摘要：一种碳化硅场效应管，包含有一碳化硅基板、一n型漂移层、一p型磊晶层、一源极区域、一沟槽式闸极、至少一p型掺杂区域、一源极、一介电层以及一汲极。借由设置该p型掺杂区域位于该n型漂移层而相邻于该沟槽式闸极的一侧边，并令该p型掺杂区域包含一与该p型磊晶层接触的第一掺杂区块以及复数个从该第一掺杂区块朝向该碳化硅基板而间隔排列的第二掺杂区块，使该第二掺杂区块的厚度不需超过2um，不仅避免受限于离子布植的深度的问题，亦能有效降低该沟槽式闸极的一底部与一转角处的电场，提高该碳化硅场效应管的可靠度。

15. 发明专利

TW201603290A 碳化矽半導體元件审中-公开
简体标题：碳化硅半导体组件
公开(公告)号：TW201603290A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103122787
申请日：2014-07-02
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN CHUNG , 李傳英 , LEE, CHWAN YING , 李隆盛 , LEE, LURNG SHEHNG
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/06 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/7806 , H01L29/872
摘要：一種碳化矽半導體元件，利用為碳化矽的一基板形成一金屬氧化物半導體場效應電晶體反向並聯一接面能障蕭基二極體的整合結構。
简体摘要：一种碳化硅半导体组件，利用为碳化硅的一基板形成一金属氧化物半导体场效应晶体管反向并联一接面能障萧基二极管的集成结构。

16. 发明专利

TW201517226A 具終端結構的碳化矽功率元件审中-公开
简体标题：具终端结构的碳化硅功率组件
公开(公告)号：TW201517226A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102137240
申请日：2013-10-16
申请人：瀚薪科技股份有限公司
发明人：洪建中 , HUNG, CHIEN CHUNG , 顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 李隆盛 , LEE, LURNG SHEHNG , 李傳英 , LI, CHUAN YIN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/7811 , H01L29/872
摘要：一種具終端結構的碳化矽功率元件，包含有一碳化矽基板、一功率元件結構及一終端結構。該碳化矽基板具有一漂移層，該漂移層具有一第一導電性並包含有一主動區域及一終端區域；該功率元件結構設置於該主動區域；而該終端結構設置於該終端區域並具有一第二導電性，該終端結構包含有至少一圍繞於該功率元件結構外側並與該功率元件結構相鄰的第一摻雜環及至少一圍繞該第一摻雜環的第二摻雜環。據此，本發明藉由設置該第一摻雜環具有一小於該第二摻雜環的第一摻雜濃度以及一大於該第二摻雜環的第一摻雜深度，提高該碳化矽功率元件的崩潰電壓。
简体摘要：一种具终端结构的碳化硅功率组件，包含有一碳化硅基板、一功率组件结构及一终端结构。该碳化硅基板具有一漂移层，该漂移层具有一第一导电性并包含有一主动区域及一终端区域；该功率组件结构设置于该主动区域；而该终端结构设置于该终端区域并具有一第二导电性，该终端结构包含有至少一围绕于该功率组件结构外侧并与该功率组件结构相邻的第一掺杂环及至少一围绕该第一掺杂环的第二掺杂环。据此，本发明借由设置该第一掺杂环具有一小于该第二掺杂环的第一掺杂浓度以及一大于该第二掺杂环的第一掺杂深度，提高该碳化硅功率组件的崩溃电压。

17. 发明专利

TWI497665B 具終端結構的碳化矽功率元件有权
简体标题：具终端结构的碳化硅功率组件
公开(公告)号：TWI497665B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW102137240
申请日：2013-10-16
申请人：瀚薪科技股份有限公司
发明人：洪建中 , HUNG, CHIEN CHUNG , 顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 李隆盛 , LEE, LURNG SHEHNG , 李傳英 , LI, CHUAN YIN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/7811 , H01L29/872

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