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1. 发明专利

TWI528565B 碳化矽半導體元件有权
简体标题：碳化硅半导体组件
公开(公告)号：TWI528565B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103122787
申请日：2014-07-02
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN CHUNG , 李傳英 , LEE, CHWAN YING , 李隆盛 , LEE, LURNG SHEHNG
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/06 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/7806 , H01L29/872

2. 发明专利

TW201603290A 碳化矽半導體元件审中-公开
简体标题：碳化硅半导体组件
公开(公告)号：TW201603290A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103122787
申请日：2014-07-02
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN CHUNG , 李傳英 , LEE, CHWAN YING , 李隆盛 , LEE, LURNG SHEHNG
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/06 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/7806 , H01L29/872
摘要：一種碳化矽半導體元件，利用為碳化矽的一基板形成一金屬氧化物半導體場效應電晶體反向並聯一接面能障蕭基二極體的整合結構。
简体摘要：一种碳化硅半导体组件，利用为碳化硅的一基板形成一金属氧化物半导体场效应晶体管反向并联一接面能障萧基二极管的集成结构。

3. 发明专利

TWI497665B 具終端結構的碳化矽功率元件有权
简体标题：具终端结构的碳化硅功率组件
公开(公告)号：TWI497665B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW102137240
申请日：2013-10-16
申请人：瀚薪科技股份有限公司
发明人：洪建中 , HUNG, CHIEN CHUNG , 顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 李隆盛 , LEE, LURNG SHEHNG , 李傳英 , LI, CHUAN YIN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/7811 , H01L29/872

4. 发明专利

TW201517226A 具終端結構的碳化矽功率元件审中-公开
简体标题：具终端结构的碳化硅功率组件
公开(公告)号：TW201517226A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102137240
申请日：2013-10-16
申请人：瀚薪科技股份有限公司
发明人：洪建中 , HUNG, CHIEN CHUNG , 顏誠廷 , YEN, CHENG TYNG , 李隆盛 , LEE, LURNG SHEHNG , 李傳英 , LI, CHUAN YIN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/7811 , H01L29/872
摘要：一種具終端結構的碳化矽功率元件，包含有一碳化矽基板、一功率元件結構及一終端結構。該碳化矽基板具有一漂移層，該漂移層具有一第一導電性並包含有一主動區域及一終端區域；該功率元件結構設置於該主動區域；而該終端結構設置於該終端區域並具有一第二導電性，該終端結構包含有至少一圍繞於該功率元件結構外側並與該功率元件結構相鄰的第一摻雜環及至少一圍繞該第一摻雜環的第二摻雜環。據此，本發明藉由設置該第一摻雜環具有一小於該第二摻雜環的第一摻雜濃度以及一大於該第二摻雜環的第一摻雜深度，提高該碳化矽功率元件的崩潰電壓。
简体摘要：一种具终端结构的碳化硅功率组件，包含有一碳化硅基板、一功率组件结构及一终端结构。该碳化硅基板具有一漂移层，该漂移层具有一第一导电性并包含有一主动区域及一终端区域；该功率组件结构设置于该主动区域；而该终端结构设置于该终端区域并具有一第二导电性，该终端结构包含有至少一围绕于该功率组件结构外侧并与该功率组件结构相邻的第一掺杂环及至少一围绕该第一掺杂环的第二掺杂环。据此，本发明借由设置该第一掺杂环具有一小于该第二掺杂环的第一掺杂浓度以及一大于该第二掺杂环的第一掺杂深度，提高该碳化硅功率组件的崩溃电压。

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