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11. 发明专利

TWI566275B 在圖案化基材上藉由氫化物氣相磊晶法（ＨＶＰＥ）形成三族氮化物結晶膜的方法有权
简体标题：在图案化基材上借由氢化物气相磊晶法（ＨＶＰＥ）形成三族氮化物结晶膜的方法
公开(公告)号：TWI566275B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW099123525
申请日：2010-07-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 美林克尤瑞 , MELNIK, YURIY , 小尻英博 , KOJIRI, HIDEHIRO , 石川哲也 , ISHIKAWA, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/18 , H01L29/04
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/04 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22

12. 发明专利

TWI499085B 藉由空間侷限磊晶法生長III-V族材料層有权
简体标题：借由空间局限磊晶法生长III-V族材料层
公开(公告)号：TWI499085B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100106026
申请日：2011-02-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蘇杰 , SU, JIE , 克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L21/02502 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/0265

13. 外观设计

TWD142477S 沉積腔室之圓頂室組件 DOME ASSEMBLY FOR A DEPOSITION CHAMBER 有权
简体标题：沉积腔室之圆顶室组件 DOME ASSEMBLY FOR A DEPOSITION CHAMBER
公开(公告)号：TWD142477S
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099301936
申请日：2010-04-16
申请人：應用材料股份有限公司
设计人：石川哲也 , 考區大衛H , 張恩中 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞 , 拉提亞哈蘇迪普S , 蓋葉頌T , 潘莉莉
摘要：【物品用途】
本創作係一種用於化學機械拋光用沈積腔室之圓頂室組件。
【創作特點】
本創作為沈積腔室之圓頂室組件之新式樣設計，主要係由具有透明側壁的一處理腔室主體、一管線通道及二前驅物源容器四部分所構成。由立體圖、前視圖及俯視圖觀之，該處理腔室主體為一較大口徑之直立圓柱形腔室，其上、下兩端開口處分別具有一上環及一下環，該等上環及下環自腔室側壁延伸向外突出，且該腔室主體內配置有數個管線延著該腔室側壁遊走；處理腔室主體前方連接管線通道之一端，另一端自該處理腔室主體之側壁向前延伸，且此管線通道之左、右側另配置有副通道；該等二前驅物源容器為較小口徑之直立圓柱形容器，其具有上蓋及下蓋，該下蓋配置有自側壁延伸向外突出之環。
整體而言，本創作造形獨特美觀、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种用于化学机械抛光用沉积腔室之圆顶室组件。【创作特点】本创作为沉积腔室之圆顶室组件之新式样设计，主要系由具有透明侧壁的一处理腔室主体、一管线信道及二前驱物源容器四部分所构成。由三維图、前视图及俯视图观之，该处理腔室主体为一较大口径之直立圆柱形腔室，其上、下两端开口处分别具有一上环及一下环，该等上环及下环自腔室侧壁延伸向外突出，且该腔室主体内配置有数个管线延着该腔室侧壁游走；处理腔室主体前方连接管线信道之一端，另一端自该处理腔室主体之侧壁向前延伸，且此管线信道之左、右侧另配置有副信道；该等二前驱物源容器为较小口径之直立圆柱形容器，其具有上盖及下盖，该下盖配置有自侧壁延伸向外突出之环。整体而言，本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。

14. 发明专利

TW201118200A 在原位腔室清潔後的處理腔室去污方法 METHOD OF DECONTAMINATION OF PROCESS CHAMBER AFTER IN-SITU CHAMBER CLEAN 审中-公开
简体标题：在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法 METHOD OF DECONTAMINATION OF PROCESS CHAMBER AFTER IN-SITU CHAMBER CLEAN
公开(公告)号：TW201118200A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099128908
申请日：2010-08-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蘇杰 , 華盛頓羅莉D , 奈哈萬山迪普 , 克瑞勞可歐嘉 , 葛瑞松嘉寇伯 , 姜聖元 , 李東亨 , 仲華
IPC分类号： C23C , H01L , C07B
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4404 , C23C16/45574 , H01L21/67115
摘要：一種方法與設備，用於從處理腔室之內部表面移除沉積產物，以及用於防止或減緩此類沉積產物的生長。提供含鹵素氣體至該腔室以蝕刻移除沉積產物。提供鹵素驅除氣體至腔室以移除任何殘餘的鹵素。藉由將鹵素驅除氣體暴露至電磁能而大體上活化鹵素驅除氣體，其既可在處理腔室內藉由熱能達成，亦可在遠端腔室中藉由電場、UV或微波達成。為了在腔室之內部表面上形成抗沉積膜，可添加沉積前驅物至鹵素驅除氣體。以額外方式或替代方式，可藉由在PVD製程中將抗沉積金屬濺鍍於處理腔室之內部部件上而形成抗沉積膜。
简体摘要：一种方法与设备，用于从处理腔室之内部表面移除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻移除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以移除任何残余的卤素。借由将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，其既可在处理腔室内借由热能达成，亦可在远程腔室中借由电场、UV或微波达成。为了在腔室之内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。以额外方式或替代方式，可借由在PVD制程中将抗沉积金属溅镀于处理腔室之内部部件上而形成抗沉积膜。

15. 发明专利

TW201115630A 在圖案化基材上藉由氫化物氣相磊晶法（ＨＶＰＥ）形成三族氮化物結晶膜的方法 A METHOD OF FORMING A GROUP III-NITRIDE CRYSTALLINE FILM ON A PATTERNED SUBSTRATE BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY (HVPE) 审中-公开
简体标题：在图案化基材上借由氢化物气相磊晶法（ＨＶＰＥ）形成三族氮化物结晶膜的方法 A METHOD OF FORMING A GROUP III-NITRIDE CRYSTALLINE FILM ON A PATTERNED SUBSTRATE BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY (HVPE)
公开(公告)号：TW201115630A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099123525
申请日：2010-07-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞 , 小尻英博 , 石川哲也
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/04 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22
摘要：一種沉積高品質低缺陷的單晶三族氮化物膜之方法。在此提供具有複數特徵結構之圖案化基材,其具有以間隔空間隔開的傾斜側壁。三族氮化物膜是透過氫化物氣相磊晶(HVPE)製程沉積而覆於圖案化基材上。HVPE沉積製程形成三族氮化物膜,其在特徵結構之間的間隔空間中具有第一晶體方位,而在傾斜側壁上具有不同的第二晶體方位。間隔空間中的第一晶體方位接著蔓延蓋過側壁上的第二晶體方位,並且在製程中調轉且終結形成於第一晶體方位中的貫穿式差排。
简体摘要：一种沉积高品质低缺陷的单晶三族氮化物膜之方法。在此提供具有复数特征结构之图案化基材,其具有以间隔空间隔开的倾斜侧壁。三族氮化物膜是透过氢化物气相磊晶(HVPE)制程沉积而覆于图案化基材上。HVPE沉积制程形成三族氮化物膜,其在特征结构之间的间隔空间中具有第一晶体方位,而在倾斜侧壁上具有不同的第二晶体方位。间隔空间中的第一晶体方位接着蔓延盖过侧壁上的第二晶体方位,并且在制程中调转且终结形成于第一晶体方位中的贯穿式差排。

16. 发明专利

TW201039379A 用於後續高溫第三族沉積的基材預處理 SUBSTRATE PRETREATMENT FOR SUBSEQUENT HIGH TEMPERATURE GROUP III DEPOSITIONS 审中-公开
简体标题：用于后续高温第三族沉积的基材预处理 SUBSTRATE PRETREATMENT FOR SUBSEQUENT HIGH TEMPERATURE GROUP III DEPOSITIONS
公开(公告)号：TW201039379A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099113131
申请日：2010-04-26
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：美林克尤瑞 , 克瑞勞可歐嘉 , 小尻英博 , 石川哲也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02658 , C23C16/0272 , C23C16/301 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254
摘要：本發明實施例係關於製造諸如發光二極體(LEDs)或雷射二極體(LDs)之元件的基材預處理設備與方法。本發明一實施例包括藉由將含氧化鋁基材之表面暴露於預處理氣體混合物來預處理含氧化鋁基材,其中預處理氣體混合物包括氨(NH3)與鹵素氣體。
简体摘要：本发明实施例系关于制造诸如发光二极管(LEDs)或激光二极管(LDs)之组件的基材预处理设备与方法。本发明一实施例包括借由将含氧化铝基材之表面暴露于预处理气体混合物来预处理含氧化铝基材,其中预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。

17. 发明专利

TWI503437B ＨＶＰＥ腔室硬體與ＨＶＰＥ方法有权
简体标题：ＨＶＰＥ腔室硬件与ＨＶＰＥ方法
公开(公告)号：TWI503437B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW099111313
申请日：2010-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：石川哲也 , ISHIKAWA, TETSUYA , 考區大衛H , QUACH, DAVID H. , 張恩中 , CHANG, ANZHONG , 克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 美林克尤瑞 , MELNIK, YURIY , 拉提亞哈蘇迪普S , RATIA, HARSUKHDEEP S. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 潘莉莉 , PANG, LILY
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/22
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376

18. 发明专利

TWI496935B ＭＯＣＶＤ腔室在原位清潔後利用ＮＨ３淨化之去汙染有权
简体标题：ＭＯＣＶＤ腔室在原位清洁后利用ＮＨ３净化之去污染
公开(公告)号：TWI496935B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW099113537
申请日：2010-04-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克瑞勞可歐嘉 , KRYLIOUK, OLGA , 蘇杰 , SU, JIE , 葛瑞芬凱文 , GRIFFIN, KEVIN , 全晟元 , JUN, SUNG WON , 奈哈萬山迪普 , NIJHAWAN, SANDEEP , 董希子 , DONG, XIZI , 普恩茲 , POON, TZE , 華盛頓羅莉D , WASHINGTON, LORI D. , 葛瑞松嘉寇伯 , GRAYSON, JACOB
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/67

19. 发明专利

TW201214525A ＩＩＩ族－氮化物的Ｎ型摻雜 GROUP III-NITRIDE N-TYPE DOPING 审中-公开
简体标题：ＩＩＩ族－氮化物的Ｎ型掺杂 GROUP III-NITRIDE N-TYPE DOPING
公开(公告)号：TW201214525A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100111610
申请日：2011-04-01
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：美林克尤瑞 , 克瑞勞可歐嘉 , 陳璐 , 小尻英博 , 石川哲也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2233 , C23C16/30 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/67115 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/007 , H01L33/325
摘要：在此描述三族氮化物N型摻雜的技術。
简体摘要：在此描述三族氮化物N型掺杂的技术。

20. 发明专利

TW201112313A 氫化物氣相磊晶（ＨＶＰＥ）噴氣頭設計 HVPE SHOWERHEAD DESIGN 审中-公开
简体标题：氢化物气相磊晶（ＨＶＰＥ）喷气头设计 HVPE SHOWERHEAD DESIGN
公开(公告)号：TW201112313A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099112567
申请日：2007-10-25
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：伯洛斯布萊恩H , 譚亞歷山大 , 史帝文斯羅納德 , 葛瑞松嘉寇伯 , 崔肯瑞克T , 阿佳亞史蘇美德 , 奈哈萬山迪普 , 克瑞勞可歐嘉 , 美林克尤瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C16/45502 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要：本發明提供一種可以用於沈積製程(例如金屬氮化物膜的氫化物氣相磊晶法(HVPE)沈積)中的方法和裝置,。第一組通路可引入含金屬前驅物氣體。第二組通路可提供含氮前驅物氣體。散佈所述第一和第二組通路,以分開所述含金屬前驅物氣體和所述含氮前驅物氣體,直到它們到達基板。惰性氣體還可流經所述通道,以幫助保持間距和限制所述通路處或其附近的反應,從而防止所述通路上的不需要的沈積。
简体摘要：本发明提供一种可以用于沉积制程(例如金属氮化物膜的氢化物气相磊晶法(HVPE)沉积)中的方法和设备,。第一组通路可引入含金属前驱物气体。第二组通路可提供含氮前驱物气体。散布所述第一和第二组通路,以分开所述含金属前驱物气体和所述含氮前驱物气体,直到它们到达基板。惰性气体还可流经所述信道,以帮助保持间距和限制所述通路处或其附近的反应,从而防止所述通路上的不需要的沉积。

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