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11. 发明专利

TWI668763B 熱處理方法有权
简体标题：热处理方法
公开(公告)号：TWI668763B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW105133108
申请日：2016-10-13
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/265

12. 发明专利

TWI642125B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI642125B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105135429
申请日：2016-11-02
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/324

13. 发明专利

TW201812918A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201812918A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106117496
申请日：2017-05-26
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 近藤泰章 , KONDO, YASUAKI , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02002 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67745 , H01L21/762
摘要：本發明提供一種可抑制產出量降低之熱處理方法及熱處理裝置。於熱處理裝置100設置第1冷腔室131及第2冷腔室141之2個冷腔室。將未處理之半導體晶圓W交替地搬入至第1冷腔室131或第2冷腔室141，進行氮沖洗之後藉由搬送機械手150而搬送至熱處理部160。將於熱處理部160中結束加熱處理之半導體晶圓W交替地搬送至第1冷腔室131或第2冷腔室141而冷卻。關於個別之半導體晶圓W可確保充分之冷卻時間，並且亦可抑制作為熱處理裝置100整體之產出量降低。
简体摘要：本发明提供一种可抑制产出量降低之热处理方法及热处理设备。于热处理设备100设置第1冷腔室131及第2冷腔室141之2个冷腔室。将未处理之半导体晶圆W交替地搬入至第1冷腔室131或第2冷腔室141，进行氮冲洗之后借由搬送机械手150而搬送至热处理部160。将于热处理部160中结束加热处理之半导体晶圆W交替地搬送至第1冷腔室131或第2冷腔室141而冷却。关于个别之半导体晶圆W可确保充分之冷却时间，并且亦可抑制作为热处理设备100整体之产出量降低。

14. 发明专利

TW201802894A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201802894A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106118482
申请日：2017-06-05
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28176 , H01L21/28088 , H01L21/67115 , H01L21/67748 , H01L21/68721 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：本發明之課題在於提供一種可不對器件結構造成損傷地導入氟之半導體裝置之製造方法。成為處理對象之半導體晶圓具有如下堆疊結構，該堆疊結構係於矽基材之上挾入二氧化矽之界面層膜而形成高介電常數閘極絕緣膜，進而於該高介電常數閘極絕緣膜之上形成含氟之金屬閘極電極。熱處理裝置1係於含氫之氛圍中自閃光燈對半導體晶圓照射閃光，進行100毫秒以下之極短時間加熱處理。藉此，可一邊抑制金屬閘極電極中所含之氮之擴散，一邊僅使氟自高介電常數閘極絕緣膜擴散至界面層膜與矽基材之間之界面，使界面態階減小，並且提昇閘極堆疊結構之可靠性。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可不对器件结构造成损伤地导入氟之半导体设备之制造方法。成为处理对象之半导体晶圆具有如下堆栈结构，该堆栈结构系于硅基材之上挟入二氧化硅之界面层膜而形成高介电常数闸极绝缘膜，进而于该高介电常数闸极绝缘膜之上形成含氟之金属闸极电极。热处理设备1系于含氢之氛围中自闪光灯对半导体晶圆照射闪光，进行100毫秒以下之极短时间加热处理。借此，可一边抑制金属闸极电极中所含之氮之扩散，一边仅使氟自高介电常数闸极绝缘膜扩散至界面层膜与硅基材之间之界面，使界面态阶减小，并且提升闸极堆栈结构之可靠性。

15. 发明专利

TW201731001A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201731001A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105135429
申请日：2016-11-02
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/2253 , H01L21/67253
摘要：本發明提供一種熱處理裝置，其即便於腔室內反覆產生較大之壓力變動之情形時亦可準確地測定氧濃度。於進行閃光燈退火之腔室6之壁面設置有氧濃度測定室20，於該室內設置有氧化鋯式之氧濃度計21。連通氧濃度測定室20之內部空間與腔室6內之熱處理空間65之開口部23能夠藉由閘閥22而開閉。於處理時使腔室6內減壓時開口部23被封閉。於腔室6內減壓至特定之壓力而成為穩定狀態時，閘閥22將開口部23打開，使腔室6內之氣體分子擴散至氧濃度測定室20內，藉由氧濃度計21測定腔室6內之環境氣體中之氧濃度。測定中使用之參照氣體之氧濃度為1 ppm以上且100 ppm以下。
简体摘要：本发明提供一种热处理设备，其即便于腔室内反复产生较大之压力变动之情形时亦可准确地测定氧浓度。于进行闪光灯退火之腔室6之壁面设置有氧浓度测定室20，于该室内设置有氧化锆式之氧浓度计21。连通氧浓度测定室20之内部空间与腔室6内之热处理空间65之开口部23能够借由闸阀22而开闭。于处理时使腔室6内减压时开口部23被封闭。于腔室6内减压至特定之压力而成为稳定状态时，闸阀22将开口部23打开，使腔室6内之气体分子扩散至氧浓度测定室20内，借由氧浓度计21测定腔室6内之环境气体中之氧浓度。测定中使用之参照气体之氧浓度为1 ppm以上且100 ppm以下。

16. 发明专利

TWI688007B 熱處理方法有权
简体标题：热处理方法
公开(公告)号：TWI688007B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107138721
申请日：2018-11-01
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU , 青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 北澤貴宏 , KITAZAWA, TAKAHIRO , 上野智宏 , UENO, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67

17. 发明专利

TWI668743B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI668743B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106118482
申请日：2017-06-05
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78

18. 发明专利

TWI646602B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI646602B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106117496
申请日：2017-05-26
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 近藤泰章 , KONDO, YASUAKI , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/687

19. 发明专利

TW201804534A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201804534A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106115137
申请日：2017-05-08
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/31 , H01L29/78
摘要：一種熱處理方法及熱處理裝置，其可以在已將氧極力排出後的狀態下進行閃光加熱處理。在已將收容有成為處理對象的半導體晶圓的腔室內部減壓至比大氣壓更低的氣壓P1的狀態下，將半導體晶圓加熱至100℃以上200℃以下的第一預備加熱溫度T1。其次，在已將腔室內部復壓至氣壓P2為止的狀態下，將半導體晶圓升溫至500℃以上700℃以下的第二預備加熱溫度T2並進行預備加熱之後，從閃光燈對半導體晶圓的表面照射閃光。藉由將半導體晶圓加熱至比較低溫的第一預備加熱溫度T1，就可以使已微量吸附於半導體晶圓之表面的水分等從該表面脫離，且可以在已將起源於如此吸附水分等的氧極力排出後的狀態下進行閃光加熱處理。
简体摘要：一种热处理方法及热处理设备，其可以在已将氧极力排出后的状态下进行闪光加热处理。在已将收容有成为处理对象的半导体晶圆的腔室内部减压至比大气压更低的气压P1的状态下，将半导体晶圆加热至100℃以上200℃以下的第一预备加热温度T1。其次，在已将腔室内部复压至气压P2为止的状态下，将半导体晶圆升温至500℃以上700℃以下的第二预备加热温度T2并进行预备加热之后，从闪光灯对半导体晶圆的表面照射闪光。借由将半导体晶圆加热至比较低温的第一预备加热温度T1，就可以使已微量吸附于半导体晶圆之表面的水分等从该表面脱离，且可以在已将起源于如此吸附水分等的氧极力排出后的状态下进行闪光加热处理。

20. 发明专利

TW201715613A 熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理方法
公开(公告)号：TW201715613A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133108
申请日：2016-10-13
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2251 , H01J61/547 , H01L21/2253 , H01L21/2686 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L29/16 , H01L29/7836 , H05B41/34
摘要：本發明提供一種可進行雜質之活化及擴散控制之兩者之熱處理方法。藉由於閃光燈之驅動電路組裝絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，且自如地規定閃光燈之發光模式，而可調整接受閃光照射之半導體晶圓之表面之溫度變化模式。藉由閃光照射而使半導體晶圓之表面溫度自預加熱溫度Tp升溫至擴散溫度Td，並於擴散溫度Td維持1毫秒以上且10毫秒以下，藉此可控制雜質擴散之擴散長度。繼而，藉由使半導體晶圓W之表面溫度自擴散溫度Td升溫至活化溫度Ta，亦可進行雜質之活化。
简体摘要：本发明提供一种可进行杂质之活化及扩散控制之两者之热处理方法。借由于闪光灯之驱动电路组装绝缘闸双极晶体管(IGBT)，且自如地规定闪光灯之发光模式，而可调整接受闪光照射之半导体晶圆之表面之温度变化模式。借由闪光照射而使半导体晶圆之表面温度自预加热温度Tp升温至扩散温度Td，并于扩散温度Td维持1毫秒以上且10毫秒以下，借此可控制杂质扩散之扩散长度。继而，借由使半导体晶圆W之表面温度自扩散温度Td升温至活化温度Ta，亦可进行杂质之活化。

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