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11. 发明专利

TW200740132A 用來接收射頻信號的電子裝置與射頻取樣方法 ELECTRONIC DEVICE FOR RECEIVING RF SIGNALS AND METHOD FOR RF SAMPLING 审中-公开
简体标题：用来接收射频信号的电子设备与射频采样方法 ELECTRONIC DEVICE FOR RECEIVING RF SIGNALS AND METHOD FOR RF SAMPLING
公开(公告)号：TW200740132A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095112271
申请日：2006-04-06
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：錢學誠 QIAN, XUECHENG
IPC分类号： H04B , H03H
CPC分类号： H03D7/125
摘要：本發明提供一種電子裝置,該電子裝置具備:射頻濾波器(RFF),其用於接收一射頻信號且用於濾波該接收之射頻信號;低雜訊放大器單元(LNA),其用於放大該經濾波之射頻信號;及一跨導體單元(Gm),其用於將該射頻信號轉換為一電流信號。此外,提供一第一開關單元(S1),其由一第一時脈信號(��1)控制以用於週期性積分該電流信號。根據該第一時脈信號(��1)對一第一電容(Ch)進行充電。提供一第二電容(Co;Cm)以用於共用該第一電容(Ch)上之電荷。由一第二時脈信號(��2)控制一第二開關單元(S2)且該第二開關單元(S2)係耦合於該第一電容與該第二電容(Ch;Co;Cm)之間。若該第二開關單元(S2)由該第二時脈信號(��2)啓動,則該第一電容(Ch)上之該電荷係與該第二電容(Co;Cm)共用。
简体摘要：本发明提供一种电子设备,该电子设备具备:射频滤波器(RFF),其用于接收一射频信号且用于滤波该接收之射频信号;低噪声放大器单元(LNA),其用于放大该经滤波之射频信号;及一跨导体单元(Gm),其用于将该射频信号转换为一电流信号。此外,提供一第一开关单元(S1),其由一第一时脉信号(��1)控制以用于周期性积分该电流信号。根据该第一时脉信号(��1)对一第一电容(Ch)进行充电。提供一第二电容(Co;Cm)以用于共享该第一电容(Ch)上之电荷。由一第二时脉信号(��2)控制一第二开关单元(S2)且该第二开关单元(S2)系耦合于该第一电容与该第二电容(Ch;Co;Cm)之间。若该第二开关单元(S2)由该第二时脉信号(��2)启动,则该第一电容(Ch)上之该电荷系与该第二电容(Co;Cm)共享。

12. 发明专利

TW200733244A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200733244A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095136793
申请日：2006-10-03
申请人：皇家飛利浦股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：伍爾夫剛尤恩 EUEN, WOLFGANG , 霍格薛李格滕赫斯特 SCHLIGTENHORST, HOLGER , 雷納鮑爾 BAUER, RAINER , 馬克凡葛芬 VAN GEFFEN, MARC , 卡爾漢茲克雷夫特 KRAFT, KARL-HEINZ
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/66772
摘要：本發明係關於一種製造一具有一基板(11)及一具備至少一半導體元件(T)之含矽半導體主體(12)的半導體裝置(10)之方法,其中一含矽磊晶半導體層(1)成長於一第一半導體基板(14)之上,其中一分裂區域(2)形成於該磊晶層(1)中,其中一第二基板(11)藉由晶圓接合而在該磊晶層(1)之具備該分裂區域(2)之側附著至該第一基板(14),同時一電絕緣區域(3)插入於該磊晶層(1)與該第二基板(11)之間,如此形成之結構在該分裂區域(2)之位置處分裂,結果,該第二基板(11)形成基板(11),其在該絕緣區域(3)之上具有該磊晶層之形成該半導體主體(12)之一部分(1A),該半導體元件(T)形成於該半導體主體(12)中。根據本發明,對於該磊晶層(1)之厚度而言,選擇一大於約3��m之厚度。較佳地,在5與15��m之間選擇該厚度。以一在7至13��m之範圍內的厚度可獲得最佳結果。可容易地獲得裝置10,特定言之為高電壓FET,並具有高產量以及如漏電流之類的均勻特性。本發明亦包含一種製造一SOI結構12之方法及一種如此獲得之SOI結構12。
简体摘要：本发明系关于一种制造一具有一基板(11)及一具备至少一半导体组件(T)之含硅半导体主体(12)的半导体设备(10)之方法,其中一含硅磊晶半导体层(1)成长于一第一半导体基板(14)之上,其中一分裂区域(2)形成于该磊晶层(1)中,其中一第二基板(11)借由晶圆接合而在该磊晶层(1)之具备该分裂区域(2)之侧附着至该第一基板(14),同时一电绝缘区域(3)插入于该磊晶层(1)与该第二基板(11)之间,如此形成之结构在该分裂区域(2)之位置处分裂,结果,该第二基板(11)形成基板(11),其在该绝缘区域(3)之上具有该磊晶层之形成该半导体主体(12)之一部分(1A),该半导体组件(T)形成于该半导体主体(12)中。根据本发明,对于该磊晶层(1)之厚度而言,选择一大于约3��m之厚度。较佳地,在5与15��m之间选择该厚度。以一在7至13��m之范围内的厚度可获得最佳结果。可容易地获得设备10,特定言之为高电压FET,并具有高产量以及如漏电流之类的均匀特性。本发明亦包含一种制造一SOI结构12之方法及一种如此获得之SOI结构12。

13. 发明专利

TW591653B 光學可掃描載體之製造方法失效
简体标题：光学可扫描载体之制造方法
公开(公告)号：TW591653B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW090114438
申请日：2001-06-14
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：赫瑪凡山騰 HELMAR VAN SANTEN , 吉拉德艾德爾凡羅斯瑪連 GERARD EDUARD VAN ROSMALEN
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B7/122 , G11B7/261 , Y10S425/81
摘要：本發明關於製造主模(1)之一種方法，該主模係用以製造一光學資訊磁碟，如CD，DVD。根據此方法，一基體(3)上備有一光阻層(5)，該層隨後以輻射光束(7)加一輻射，光束係由光鏡系統(9)，聚焦在層上之一掃描點(11)上。一種液體，如水供應在光阻層與面對該層之透鏡系統之輔助透鏡(59)間之一間隙(53)中。結果，掃描點之尺寸降低，資訊磁碟之資訊密度增加。
根據本發明，液體經一供應開口(69)供應，開口位於輔助透鏡(59)之緊鄰，一方向如自掃描點(11)觀之，與方向(Z)相反，基體(3)在該方向中與透鏡系統(9)相對移動。因此，經供應開口供應之液體立即並僅傳輸至該間隙(53)中，故充滿間隙液體之量有限。供應開口在一壁部份(65)構成，其在一想像平面中延伸，其中，有一輔助透鏡(59)之側壁(63)面對光阻層。結果，獲得一均勻之柯特(Couette)水流，而無空氣於間隙中。此柯特水流不會造成透鏡系統之任何不理想震動。
本發明尚關於製造光學資訊磁碟之方法，根據該方法，一主模(1)於第一步驟中製成，資訊光碟在第二步驟中，以利用主模以複製品方式製成。本發明尚關於一裝置(25)，根據本發明之方法用以製造一主模。
简体摘要：本发明关于制造主模(1)之一种方法，该主模系用以制造一光学信息磁盘，如CD，DVD。根据此方法，一基体(3)上备有一光阻层(5)，该层随后以辐射光束(7)加一辐射，光束系由光镜系统(9)，聚焦在层上之一扫描点(11)上。一种液体，如水供应在光阻层与面对该层之透镜系统之辅助透镜(59)间之一间隙(53)中。结果，扫描点之尺寸降低，信息磁盘之信息密度增加。根据本发明，液体经一供应开口(69)供应，开口位于辅助透镜(59)之紧邻，一方向如自扫描点(11)观之，与方向(Z)相反，基体(3)在该方向中与透镜系统(9)相对移动。因此，经供应开口供应之液体立即并仅传输至该间隙(53)中，故充满间隙液体之量有限。供应开口在一壁部份(65)构成，其在一想像平面中延伸，其中，有一辅助透镜(59)之侧壁(63)面对光阻层。结果，获得一均匀之柯特(Couette)水流，而无空气于间隙中。此柯特水流不会造成透镜系统之任何不理想震动。本发明尚关于制造光学信息磁盘之方法，根据该方法，一主模(1)于第一步骤中制成，信息光盘在第二步骤中，以利用主模以复制品方式制成。本发明尚关于一设备(25)，根据本发明之方法用以制造一主模。

14. 发明专利

TW200739734A 製造半導體裝置的方法與由此方法得到的半導體裝置 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH SUCH A METHOD 审中-公开
简体标题：制造半导体设备的方法与由此方法得到的半导体设备 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH SUCH A METHOD
公开(公告)号：TW200739734A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095141961
申请日：2006-11-13
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：維傑艾拉葛凡麥德卡席拉 MADAKASIRA, VIJAYARAGHAVAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31612 , B82Y10/00 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76232
摘要：本發明係關於一種製造一帶有一基體(11)及一半導體本體(12)之半導體器件(10)之方法,該半導體本體具備至少一半導體元件(E),其中在該半導體本體(12)表面上形成一平台形狀半導體區域(1),一絕緣層(2)係沉積於該平台形狀半導體區域(1),其在該平台形狀半導體區域(1)頂端較在鄰接該平台半導體區域(1)之區域(3)具有一較小厚度,之後,該平台半導體區域(1)頂部上該絕緣層(2)之一部分被移除,釋放該平台形狀半導體區域(1)之上部面,並且之後,一接觸該平台形狀半導體區域(1)之導體層(4)係沉積於產生之結構上。根據本發明,該絕緣層(2)係使用一高密度電漿沉積處理沉積。此一處理係特別適於該帶有小平台區域(1)器件之製造,例如,以奈米線之形式。較佳的係,一薄的進一步絕緣層(5)係在該絕緣層(2)沉積前使用另一保形沉積處理以沉積。
简体摘要：本发明系关于一种制造一带有一基体(11)及一半导体本体(12)之半导体器件(10)之方法,该半导体本体具备至少一半导体组件(E),其中在该半导体本体(12)表面上形成一平台形状半导体区域(1),一绝缘层(2)系沉积于该平台形状半导体区域(1),其在该平台形状半导体区域(1)顶端较在邻接该平台半导体区域(1)之区域(3)具有一较小厚度,之后,该平台半导体区域(1)顶部上该绝缘层(2)之一部分被移除,释放该平台形状半导体区域(1)之上部面,并且之后,一接触该平台形状半导体区域(1)之导体层(4)系沉积于产生之结构上。根据本发明,该绝缘层(2)系使用一高密度等离子沉积处理沉积。此一处理系特别适于该带有小平台区域(1)器件之制造,例如,以奈米线之形式。较佳的系,一薄的进一步绝缘层(5)系在该绝缘层(2)沉积前使用另一保形沉积处理以沉积。

15. 发明专利

TW200733223A 加工基板之方法及裝置 A METHOD OF AND AN APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：加工基板之方法及设备 A METHOD OF AND AN APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200733223A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095133494
申请日：2006-09-11
申请人：皇家飛利浦股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：菲利浦嘉尼爾 GARNIER, PHILIPPE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02019 , H01L21/6708
摘要：本發明係關於一種加工半導體基板(3)之方法,其包含轉動該半導體基板(3),同時將一反應蝕刻劑(7)分配至該轉動基板(3)之第一表面上,以蝕刻該表面(3)之第一區域(8)。同時,將一中和劑(9)分配至該第一表面上以中和已自該表面(3)之該第一區域(8)流走之蝕刻劑(7),藉此實質上防止加工該第一表面上之較該第一區域(8)更接近該基板(3)之邊緣之另一區域(10)。該加工可為蝕刻。
简体摘要：本发明系关于一种加工半导体基板(3)之方法,其包含转动该半导体基板(3),同时将一反应蚀刻剂(7)分配至该转动基板(3)之第一表面上,以蚀刻该表面(3)之第一区域(8)。同时,将一中和剂(9)分配至该第一表面上以中和已自该表面(3)之该第一区域(8)流走之蚀刻剂(7),借此实质上防止加工该第一表面上之较该第一区域(8)更接近该基板(3)之边缘之另一区域(10)。该加工可为蚀刻。

16. 发明专利

TW591642B 光學掃描裝置失效
简体标题：光学扫描设备
公开(公告)号：TW591642B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW090123597
申请日：2001-09-25
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：佩楚斯帝歐朶勒斯尤特 PETRUS THEODORS JUTTE , 傑克布斯瑪利亞安東尼奧斯凡登伊蘭比 JACOBUS MARIA ANTONIUS VAN DEN EERRENBEEMD
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B7/1353 , G11B2007/0006 , G11B2007/13727
摘要：本發明提供一種光學掃描裝置，用來掃描一高密度"HD"之記錄載體(38)以及一低密度"LD"之記錄載體(18)，一二波長二極體雷射(50)用來產生該HD掃描波束以及該LD掃描波束。藉由於該二極體雷射(50)旁放置一複合繞射元件(60)，該元件含有一用來結合該HD波束與該 LD波束之第一繞射結構(63)，以及一僅作為該LD波束或該HD波束之透鏡之第二繞射結構(64)，取得一小型裝置，適合用來寫入該LD資訊層(40)。
简体摘要：本发明提供一种光学扫描设备，用来扫描一高密度"HD"之记录载体(38)以及一低密度"LD"之记录载体(18)，一二波长二极管激光(50)用来产生该HD扫描波束以及该LD扫描波束。借由于该二极管激光(50)旁放置一复合绕射组件(60)，该组件含有一用来结合该HD波束与该 LD波束之第一绕射结构(63)，以及一仅作为该LD波束或该HD波束之透镜之第二绕射结构(64)，取得一小型设备，适合用来写入该LD信息层(40)。

17. 发明专利

TW591638B 光學記錄載體之記錄方法及裝置失效
简体标题：光学记录载体之记录方法及设备
公开(公告)号：TW591638B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW091119148
申请日：2002-08-23
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：吉拉杜斯魯道夫蘭傑利斯 GERARDUS RUDOLPH LANGEREIS , 班諾泰克 BENNO TIEKE
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B7/126 , G11B7/00455 , G11B7/013
摘要：本發明係關於將照射光束(12)導引至光學記錄載體(20)之記錄表面(21)上而形成凹處與平台之光學記錄載體記錄方法。將對各記錄凹處之照射光束設定為至少一寫入功率位準(Pw)，其在寫入功率照射期間(31)可形成凹處；對凹處間之各平台而言，則設定至少一低限功率位準(P0)，其於低限功率照射期間(51)無法形成凹處。為在不增加整體影像跳動(jitter)之下，於主頻道中嵌入附加LML頻道之凹處，依本發明提出之低限功率位準(P0)在形成LML平台之LML平台照射期間(55)暫態提昇至LML平台功率位準(P11)，其中LML平台功率位準(P11)接近寫入功率位準(Pw)；並於形成LML凹處之LML凹處照射期間(35)寫入功率(Pw)暫態降低至LML凹處功率位準(Pp1)，其中LML凹處功率位準(Pp1)接近低限功率位準(Po)。
简体摘要：本发明系关于将照射光束(12)导引至光学记录载体(20)之记录表面(21)上而形成凹处与平台之光学记录载体记录方法。将对各记录凹处之照射光束设置为至少一写入功率位准(Pw)，其在写入功率照射期间(31)可形成凹处；对凹处间之各平台而言，则设置至少一低限功率位准(P0)，其于低限功率照射期间(51)无法形成凹处。为在不增加整体影像跳动(jitter)之下，于主频道中嵌入附加LML频道之凹处，依本发明提出之低限功率位准(P0)在形成LML平台之LML平台照射期间(55)暂态提升至LML平台功率位准(P11)，其中LML平台功率位准(P11)接近写入功率位准(Pw)；并于形成LML凹处之LML凹处照射期间(35)写入功率(Pw)暂态降低至LML凹处功率位准(Pp1)，其中LML凹处功率位准(Pp1)接近低限功率位准(Po)。

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