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    • 5. 发明专利
    • 曝光設備及曝光方法 EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD
    • 曝光设备及曝光方法 EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD
    • TW201202859A
    • 2012-01-16
    • TW100104408
    • 2011-02-10
    • 新力股份有限公司索尼信息技術股份有限公司
    • 齋藤昭也鈴木明俊會田桐林忍
    • G03FH01L
    • G03B27/52G11B7/1267G11B7/261G11B7/263
    • 本發明提供一種曝光設備,其包含:曝光單元,於包括配置於掃描方向之凹坑與平面的圖案中,以藉由透鏡系統聚焦在光阻層上之第一雷射光束,選擇性地實施曝光在設於基板上之該光阻層上;檢測單元,檢測第二雷射光束的反射,該第二雷射光束經由該透鏡系統施加至選擇性地曝光於該第一雷射光束之該光阻層,該第二雷射光束係藉由改變該透鏡系統的焦距而產生以防止該光阻層對該第二雷射光束有反應;計算單元,自該檢測結果,計算代表反射自具有最小寬度之該圖案的第一部分之光束之訊號波形的中心軸與代表反射自具有大於該第一部分寬度之寬度之該圖案的第二部分之光束之訊號波形的中心軸之間的位移;設定單元,將該透鏡系統的該焦距設定至該位移係最大之值;及控制單元,控制該曝光單元以使該光阻層曝光於以該設定單元設定之該焦距所聚焦之該第一雷射光束。
    • 本发明提供一种曝光设备,其包含:曝光单元,于包括配置于扫描方向之凹坑与平面的图案中,以借由透镜系统聚焦在光阻层上之第一激光光束,选择性地实施曝光在设于基板上之该光阻层上;检测单元,检测第二激光光束的反射,该第二激光光束经由该透镜系统施加至选择性地曝光于该第一激光光束之该光阻层,该第二激光光束系借由改变该透镜系统的焦距而产生以防止该光阻层对该第二激光光束有反应;计算单元,自该检测结果,计算代表反射自具有最小宽度之该图案的第一部分之光束之信号波形的中心轴与代表反射自具有大于该第一部分宽度之宽度之该图案的第二部分之光束之信号波形的中心轴之间的位移;设置单元,将该透镜系统的该焦距设置至该位移系最大之值;及控制单元,控制该曝光单元以使该光阻层曝光于以该设置单元设置之该焦距所聚焦之该第一激光光束。