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1. 发明专利

TW200733244A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200733244A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095136793
申请日：2006-10-03
申请人：皇家飛利浦股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
发明人：伍爾夫剛尤恩 EUEN, WOLFGANG , 霍格薛李格滕赫斯特 SCHLIGTENHORST, HOLGER , 雷納鮑爾 BAUER, RAINER , 馬克凡葛芬 VAN GEFFEN, MARC , 卡爾漢茲克雷夫特 KRAFT, KARL-HEINZ
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/66772
摘要：本發明係關於一種製造一具有一基板(11)及一具備至少一半導體元件(T)之含矽半導體主體(12)的半導體裝置(10)之方法,其中一含矽磊晶半導體層(1)成長於一第一半導體基板(14)之上,其中一分裂區域(2)形成於該磊晶層(1)中,其中一第二基板(11)藉由晶圓接合而在該磊晶層(1)之具備該分裂區域(2)之側附著至該第一基板(14),同時一電絕緣區域(3)插入於該磊晶層(1)與該第二基板(11)之間,如此形成之結構在該分裂區域(2)之位置處分裂,結果,該第二基板(11)形成基板(11),其在該絕緣區域(3)之上具有該磊晶層之形成該半導體主體(12)之一部分(1A),該半導體元件(T)形成於該半導體主體(12)中。根據本發明,對於該磊晶層(1)之厚度而言,選擇一大於約3��m之厚度。較佳地,在5與15��m之間選擇該厚度。以一在7至13��m之範圍內的厚度可獲得最佳結果。可容易地獲得裝置10,特定言之為高電壓FET,並具有高產量以及如漏電流之類的均勻特性。本發明亦包含一種製造一SOI結構12之方法及一種如此獲得之SOI結構12。
简体摘要：本发明系关于一种制造一具有一基板(11)及一具备至少一半导体组件(T)之含硅半导体主体(12)的半导体设备(10)之方法,其中一含硅磊晶半导体层(1)成长于一第一半导体基板(14)之上,其中一分裂区域(2)形成于该磊晶层(1)中,其中一第二基板(11)借由晶圆接合而在该磊晶层(1)之具备该分裂区域(2)之侧附着至该第一基板(14),同时一电绝缘区域(3)插入于该磊晶层(1)与该第二基板(11)之间,如此形成之结构在该分裂区域(2)之位置处分裂,结果,该第二基板(11)形成基板(11),其在该绝缘区域(3)之上具有该磊晶层之形成该半导体主体(12)之一部分(1A),该半导体组件(T)形成于该半导体主体(12)中。根据本发明,对于该磊晶层(1)之厚度而言,选择一大于约3��m之厚度。较佳地,在5与15��m之间选择该厚度。以一在7至13��m之范围内的厚度可获得最佳结果。可容易地获得设备10,特定言之为高电压FET,并具有高产量以及如漏电流之类的均匀特性。本发明亦包含一种制造一SOI结构12之方法及一种如此获得之SOI结构12。

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