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11. 发明专利

TWI596792B 光發電元件及其製造方法有权
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI596792B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW103110125
申请日：2014-03-18
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521

12. 发明专利

TW201719914A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201719914A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105123720
申请日：2016-07-27
申请人：長州産業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：橋本公一 , HASHIMOTO, KIMIKAZU , 小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 佐藤誠治 , SATO, SEIJI
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0224 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供光發電元件及其製法。光發電元件包含具有透明導電膜作為至少一方的最外層且利用光照射產生電動勢的層結構體、和配設在透明導電膜的外表面的線狀集電極的光發電元件，集電極具有層疊在透明導電膜的外表面的阻擋層和層疊在阻擋層的外表面且包含銅作為主成分的銅層，阻擋層包含鈀及鎵中的至少一種、銀和銅。層結構體具有：p型或n型的結晶半導體基板；在結晶半導體基板的一面側依次層疊的第一本征非晶質系半導體層及p型非晶質系半導體層；在結晶半導體基板的另一面側按照依次層疊的n層側中間層及n型非晶質系半導體層。
简体摘要：本发明提供光发电组件及其制法。光发电组件包含具有透明导电膜作为至少一方的最外层且利用光照射产生电动势的层结构体、和配设在透明导电膜的外表面的线状集电极的光发电组件，集电极具有层叠在透明导电膜的外表面的阻挡层和层叠在阻挡层的外表面且包含铜作为主成分的铜层，阻挡层包含钯及镓中的至少一种、银和铜。层结构体具有：p型或n型的结晶半导体基板；在结晶半导体基板的一面侧依次层叠的第一本征非晶质系半导体层及p型非晶质系半导体层；在结晶半导体基板的另一面侧按照依次层叠的n层侧中间层及n型非晶质系半导体层。

13. 发明专利

TW201626586A 光伏元件、太陽電池模組、太陽光發電系統、光伏元件之製造方法审中-公开
简体标题：光伏组件、太阳电池模块、太阳光发电系统、光伏组件之制造方法
公开(公告)号：TW201626586A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104132398
申请日：2015-10-01
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：提供光伏元件、太陽電池模組、太陽光發電系統、及光伏元件之製造方法。本發明之光伏元件(10)係具備有：一導電型(n型)的結晶系的矽基板(12)；被積層在前述矽基板(12)的第1主面(12a)的一導電型的非晶質的n型矽層(16)；被積層在前述n型矽層(16)的第1透明導電膜(18)；被積層在前述矽基板(12)的第2主面(12b)的其他導電型(p型)的非晶質的p型矽層(24)；及被積層在前述p型矽層(24)的第2透明導電膜(26)，其特徵為：前述第2透明導電膜(26)係被設在成為比前述第2半導體層的主面的周緣更為內側的區域，在前述第1透明導電膜(18)上設有集電極(20)，在前述第2透明導電膜(26)上設有背面電極(28)。
简体摘要：提供光伏组件、太阳电池模块、太阳光发电系统、及光伏组件之制造方法。本发明之光伏组件(10)系具备有：一导电型(n型)的结晶系的硅基板(12)；被积层在前述硅基板(12)的第1主面(12a)的一导电型的非晶质的n型硅层(16)；被积层在前述n型硅层(16)的第1透明导电膜(18)；被积层在前述硅基板(12)的第2主面(12b)的其他导电型(p型)的非晶质的p型硅层(24)；及被积层在前述p型硅层(24)的第2透明导电膜(26)，其特征为：前述第2透明导电膜(26)系被设在成为比前述第2半导体层的主面的周缘更为内侧的区域，在前述第1透明导电膜(18)上设有集电极(20)，在前述第2透明导电膜(26)上设有背面电极(28)。

14. 发明专利

TW201521210A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201521210A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103133974
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明之課題在於提供一種即使藉由濺鍍法成膜形成透明導電膜仍具充分發電效率之異質接合型光發電元件、及所述光發電元件之製造方法。作為解決手段之光發電元件，其具備n型結晶半導體基板、於n型結晶半導體基板一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜、以及於n型結晶半導體基板另一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜，並將一側作為光入射面使用；其中，第1及第2透明導電膜中任一者係由至少摻雜有鉭之氧化銦形成的透明導電膜(α)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种即使借由溅镀法成膜形成透明导电膜仍具充分发电效率之异质接合型光发电组件、及所述光发电组件之制造方法。作为解决手段之光发电组件，其具备n型结晶半导体基板、于n型结晶半导体基板一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜、以及于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜，并将一侧作为光入射面使用；其中，第1及第2透明导电膜中任一者系由至少掺杂有钽之氧化铟形成的透明导电膜(α)。

15. 发明专利

TW201448244A 光伏電力元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光伏电力组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201448244A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110124
申请日：2014-03-18
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種在不使用有害人體之有機溶劑下對矽基板進行蝕刻而形成有錐狀凹凸部並提高了發電效率之光伏電力元件及其製造方法。前述光伏電力元件具備矽基板及非晶質系薄膜，該矽基板係經由異向性蝕刻而於表面形成有多數錐狀凹凸部者，該非晶質系矽薄膜係藉由化學氣相沉積法而形成於前述錐狀凹凸部上者；前述光伏電力元件在選定蝕刻條件下按下述算式定義，形成前述錐狀凹凸部之錐體的對角線平均長度係小於5μm；對角線之平均長度=(2×視野範圍之面積/視野範圍之錐體的頂點數)0.5。
简体摘要：本发明提供一种在不使用有害人体之有机溶剂下对硅基板进行蚀刻而形成有锥状凹凸部并提高了发电效率之光伏电力组件及其制造方法。前述光伏电力组件具备硅基板及非晶质系薄膜，该硅基板系经由异向性蚀刻而于表面形成有多数锥状凹凸部者，该非晶质系硅薄膜系借由化学气相沉积法而形成于前述锥状凹凸部上者；前述光伏电力组件在选定蚀刻条件下按下述算式定义，形成前述锥状凹凸部之锥体的对角线平均长度系小于5μm；对角线之平均长度=(2×视野范围之面积/视野范围之锥体的顶点数)0.5。

16. 发明专利

TW201626405A 透明導電膜、使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法审中-公开
简体标题：透明导电膜、使用此之设备或太阳能电池及透明导电膜之制造方法
公开(公告)号：TW201626405A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104128818
申请日：2015-09-01
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01B5/14 , H01L31/0224
CPC分类号： C23C14/08 , G02F1/1343 , H01B5/14 , H01B13/00 , H01G9/20 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/28 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池及透明導電膜之製造方法，其中，經由適當地調整鈰的濃度及成長環境中的氫源的分壓之時，提供成為高電洞移動度之透明導電膜，使用此之裝置或太陽能電池，及透明導電膜之製造方法。解決手段係由含有氫及鑭系元素的氧化銦之多結晶構造所成之透明導電膜(12)，其特徵為電洞移動度為120cm2/(V．s)以上者。
简体摘要：本发明系一种透明导电膜，使用此之设备或太阳能电池及透明导电膜之制造方法，其中，经由适当地调整铈的浓度及成长环境中的氢源的分压之时，提供成为高电洞移动度之透明导电膜，使用此之设备或太阳能电池，及透明导电膜之制造方法。解决手段系由含有氢及镧系元素的氧化铟之多结晶构造所成之透明导电膜(12)，其特征为电洞移动度为120cm2/(V．s)以上者。

17. 发明专利

TW201604299A 鏡控式濺鍍裝置审中-公开
简体标题：镜控式溅镀设备
公开(公告)号：TW201604299A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104112222
申请日：2015-04-16
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：田尾銳司 , TAO, EIJI , 青江一規 , AOE, KAZUNORI , 田中文平 , TANAKA, BUNPEI , 末永真吾 , SUENAGA, SHINGO , 濱永教彰 , HAMANAGA, NORIAKI , 大田一樹 , OHTA, KAZUKI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34
摘要：提供一種鏡控式濺鍍裝置，於濺鍍時，能夠使放電電壓降低而防止異常放電發生等，能持續穩定的濺鍍。本發明之鏡控式濺鍍裝置，具備：一對靶材屏蔽，係在配置於真空容器內之前述各靶材的外周緣部或其鄰近位置且為前述各靶材的前述磁場空間側的位置，分別配置成和前述靶材相向，且具有和前述各靶材的侵蝕區域相向之開口部。前述各靶材屏蔽，具備開口部，該開口部具有和前述各靶材的侵蝕區域的外周緣部具略相似關係之外周緣部，且為相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向往外周側位於恰好約1~11mm或約3~5mm之外周緣部。
简体摘要：提供一种镜控式溅镀设备，于溅镀时，能够使放电电压降低而防止异常放电发生等，能持续稳定的溅镀。本发明之镜控式溅镀设备，具备：一对靶材屏蔽，系在配置于真空容器内之前述各靶材的外周缘部或其邻近位置且为前述各靶材的前述磁场空间侧的位置，分别配置成和前述靶材相向，且具有和前述各靶材的侵蚀区域相向之开口部。前述各靶材屏蔽，具备开口部，该开口部具有和前述各靶材的侵蚀区域的外周缘部具略相似关系之外周缘部，且为相较于前述侵蚀区域的外周缘部而言于半径方向或长轴方向往外周侧位于恰好约1~11mm或约3~5mm之外周缘部。

18. 发明专利

TW201521216A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201521216A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103133977
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. , 納米新素材有限公司 , ADVANCED NANO PRODUCTS CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： C23C14/086 , H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/547
摘要：本發明之課題在於提供一種即使藉由濺鍍法成膜形成透明導電膜亦具有充分發電效率之異質接合型光發電元件、及所述光發電元件之製造方法。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板，於n型結晶半導體基板一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜，及，於n型結晶半導體基板另一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；其中，第1及第2透明導電膜中任一者係由至少摻雜有鉭之氧化銦形成的透明導電膜(α)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种即使借由溅镀法成膜形成透明导电膜亦具有充分发电效率之异质接合型光发电组件、及所述光发电组件之制造方法。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板，于n型结晶半导体基板一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜，及，于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；其中，第1及第2透明导电膜中任一者系由至少掺杂有钽之氧化铟形成的透明导电膜(α)。

19. 发明专利

TW201517284A 光發電元件审中-公开
简体标题：光发电组件
公开(公告)号：TW201517284A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103133976
申请日：2014-09-30
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. , 納米新素材有限公司 , ADVANCED NANO PRODUCTS CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI , 中村宣孝 , NAKAMURA, NOBUTAKA
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/547
摘要：本發明之課題在於提供一種使用在較低溫下仍可結晶化之材料形成透明導電膜且具有高發電效率的異質接合型光發電元件。作為解決手段之光發電元件，其具備：n型結晶半導體基板；於n型結晶半導體基板一側依序積層之p型非晶質系半導體薄膜及第1透明導電膜；以及於n型結晶半導體基板另一側依序積層之n型非晶質系半導體薄膜及第2透明導電膜；又，第1及第2透明導電膜之任一者係由結晶性氧化銦形成並且該結晶性氧化銦之平均長軸晶粒徑在10nm以上且小於300nm的透明導電膜(α)，而前述結晶性氧化銦摻雜有屬週期表上第4族、第5族及第6族之1種以上元素(x)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种使用在较低温下仍可结晶化之材料形成透明导电膜且具有高发电效率的异质接合型光发电组件。作为解决手段之光发电组件，其具备：n型结晶半导体基板；于n型结晶半导体基板一侧依序积层之p型非晶质系半导体薄膜及第1透明导电膜；以及于n型结晶半导体基板另一侧依序积层之n型非晶质系半导体薄膜及第2透明导电膜；又，第1及第2透明导电膜之任一者系由结晶性氧化铟形成并且该结晶性氧化铟之平均长轴晶粒径在10nm以上且小于300nm的透明导电膜(α)，而前述结晶性氧化铟掺杂有属周期表上第4族、第5族及第6族之1种以上元素(x)。

20. 发明专利

TW201508936A 光發電元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光发电组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201508936A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103110125
申请日：2014-03-18
申请人：長州產業股份有限公司 , CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
发明人：小林英治 , KOBAYASHI, EIJI
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種具有充分填充因數且可抑制製造成本之光發電元件、及其製造方法。前述光發電元件係具有n型結晶半導體基板、積層於n型結晶半導體基板一側之p型非晶質系矽薄膜、及積層於n型結晶半導體基板另一側之n型非晶質系矽薄膜；前述光發電元件並具有介於n型結晶半導體基板與p型非晶質系矽薄膜間之本質非晶質系矽薄膜，而n型結晶半導體基板與n型非晶質系矽薄膜係直接接合，且，n型非晶質系矽薄膜側係作為光入射面使用。
简体摘要：本发明提供一种具有充分填充因子且可抑制制造成本之光发电组件、及其制造方法。前述光发电组件系具有n型结晶半导体基板、积层于n型结晶半导体基板一侧之p型非晶质系硅薄膜、及积层于n型结晶半导体基板另一侧之n型非晶质系硅薄膜；前述光发电组件并具有介于n型结晶半导体基板与p型非晶质系硅薄膜间之本质非晶质系硅薄膜，而n型结晶半导体基板与n型非晶质系硅薄膜系直接接合，且，n型非晶质系硅薄膜侧系作为光入射面使用。

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