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    • 135. 发明专利
    • 收容盒
    • TWI278858B
    • 2007-04-11
    • TW092130418
    • 2003-10-31
    • 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
    • 田 周治 TABUCHI, SHUJI
    • G11B
    • G11B33/0416
    • 本發明之收容盒,係具備呈大致矩形的底板、豎設於底板一邊的第1側板、底板之與第1側板對向之一邊所豎設之第2側板、及底板之與該一邊垂直之一邊所豎設之第3側板,於底板之設有第3側板的一邊的相反側,由第1和第2側板及底板來形成用來供碟片匣插入的插入口;於第1側板的內面設有第1肋部,該第1肋部,具有與第1側板之內面平行的頂面,且第1側板的內面與該頂面間的豎設距離為D1;於第2側板的內面,以比豎設距離D1短之豎設距離D2設有與第1肋部對向之第2肋部,該第2肋部具有與第2側板之內面平行的頂面;於比第1肋部更靠插入口側的第1側板的內面,以比豎設距離D1短之豎設距離D3設有第1突起,該第1突起,具有與第1側板之內面平行的頂面;且第2肋部之頂面與第1側板之內面的空間距離D4、及第1突起部之頂面與第2側板之內面的空間距離D5,均大致等於沿與碟片匣通過插入口而插入的插入方向正交的方向的碟片匣寬度D6。
    • 本发明之收容盒,系具备呈大致矩形的底板、竖设于底板一边的第1侧板、底板之与第1侧板对向之一边所竖设之第2侧板、及底板之与该一边垂直之一边所竖设之第3侧板,于底板之设有第3侧板的一边的相反侧,由第1和第2侧板及底板来形成用来供盘片匣插入的插入口;于第1侧板的内面设有第1肋部,该第1肋部,具有与第1侧板之内面平行的顶面,且第1侧板的内面与该顶面间的竖设距离为D1;于第2侧板的内面,以比竖设距离D1短之竖设距离D2设有与第1肋部对向之第2肋部,该第2肋部具有与第2侧板之内面平行的顶面;于比第1肋部更靠插入口侧的第1侧板的内面,以比竖设距离D1短之竖设距离D3设有第1突起,该第1突起,具有与第1侧板之内面平行的顶面;且第2肋部之顶面与第1侧板之内面的空间距离D4、及第1突起部之顶面与第2侧板之内面的空间距离D5,均大致等于沿与盘片匣通过插入口而插入的插入方向正交的方向的盘片匣宽度D6。
    • 138. 发明专利
    • 半導體雷射裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    • 半导体激光设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    • TW200711243A
    • 2007-03-16
    • TW095126774
    • 2006-07-21
    • 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
    • 福久敏哉 FUKUHISA, TOSHIYA萬濃正也 MANNOH, MASAYA古川秀利 FURUKAWA, HIDETOSHI
    • H01S
    • H01S5/4031B82Y20/00H01S5/1039H01S5/162H01S5/2231H01S5/3201H01S5/3211H01S5/34313H01S5/34326H01S5/4087
    • 本發明提供了一種半導體雷射裝置及其製造方法,特別是,在二波長雷射裝置等的單片集成雷射裝置中,根據1次的雜質擴散步驟,在活性層的發射邊緣面附近區域分別形成良好的窗口區。其包括:發出第1波長雷射的第1元件和發出第2波長雷射的第2元件,該第1元件由第一導電型的第1覆層101、位於發射邊緣面附近具有第1窗口區的第1活性層102、和第二導電型的第1覆層103在基板上從下依次層積形成,該第2元件由第一導電型的第2覆層104、位於發射邊緣面附近具有第2窗口區的第2活性層105、和第二導電型的第2覆層106在基板上從下依次層積形成;第二導電型的第1覆層103的晶格常數及第二導電型的第2覆層106的晶格常數是被調整的常數,以使得在第1活性層102的第1窗口區中所含的雜質的擴散速度、和在第2活性層105的第2窗口區中所含的雜質的擴散速度的差異獲得補償。
    • 本发明提供了一种半导体激光设备及其制造方法,特别是,在二波长激光设备等的单片集成激光设备中,根据1次的杂质扩散步骤,在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括:发出第1波长激光的第1组件和发出第2波长激光的第2组件,该第1组件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在基板上从下依次层积形成,该第2组件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在基板上从下依次层积形成;第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数,以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。