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91. 发明专利

TWI611423B 具高讀取速度之單埠靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：具高读取速度之单端口静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI611423B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105143590
申请日：2016-12-28
申请人：修平學校財團法人修平科技大學 , HSIUPING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蕭明椿 , SHIAU, MING CHUEN , 余建政 , YU, CHIEN CHENG , 趙人德 , JHAO, REN DE
IPC分类号： G11C8/08 , G11C16/26

92. 发明专利

TW201801086A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201801086A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106116788
申请日：2016-06-28
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：前嶋洋 , MAEJIMA,HIROSHI
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/32 , G11C16/3427
摘要：本發明之實施形態在於抑制非選擇記憶串之讀取干擾。實施形態之半導體記憶裝置具備記憶串，該記憶串具備第1及第2選擇電晶體以及複數個記憶胞。於讀出動作中，對源極線施加高於接地電壓之第1電壓，對連接於所選擇之記憶串之第1及第2選擇閘極線，施加將第1及第2選擇電晶體設為接通狀態之第2電壓。於讀出動作之第1期間，對連接於非選擇之記憶串之第1選擇閘極線施加第2電壓，於讀出動作之繼第1期間之後之第2期間，對連接於非選擇之記憶串之第1選擇閘極線施加第3電壓，該第3電壓高於接地電壓，且為對第1電壓加上第1選擇電晶體之閾值而得之電壓以下。
简体摘要：本发明之实施形态在于抑制非选择记忆串之读取干扰。实施形态之半导体记忆设备具备记忆串，该记忆串具备第1及第2选择晶体管以及复数个记忆胞。于读出动作中，对源极线施加高于接地电压之第1电压，对连接于所选择之记忆串之第1及第2选择闸极线，施加将第1及第2选择晶体管设为接通状态之第2电压。于读出动作之第1期间，对连接于非选择之记忆串之第1选择闸极线施加第2电压，于读出动作之继第1期间之后之第2期间，对连接于非选择之记忆串之第1选择闸极线施加第3电压，该第3电压高于接地电压，且为对第1电压加上第1选择晶体管之阈值而得之电压以下。

93. 发明专利

TWI607446B 用於可程式化記憶體陣列之字元線電壓產生器有权
简体标题：用于可进程化内存数组之字符线电压产生器
公开(公告)号：TWI607446B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105137035
申请日：2016-11-14
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：費爾德約翰A , FIFIELD, JOHN A. , 杭特史羅德艾瑞克D , HUNT-SCHROEDER, ERIC D.
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/26
CPC分类号： G11C17/18 , G11C5/147 , G11C8/08

94. 发明专利

TW201738893A 摺疊電路和非揮發性記憶體裝置审中-公开
简体标题：折叠电路和非挥发性内存设备
公开(公告)号：TW201738893A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105128067
申请日：2016-08-31
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：鄭會三 , JEONG, HOE SAM
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0408
摘要：一種非揮發性記憶體裝置，包括耦接至位元線的非揮發性記憶體單元。非揮發性記憶體裝置可以包括感測電路，感測電路被配置為基於經由感測輸入線輸入至感測電路的感測輸入信號來輸出用於感測非揮發性記憶體單元的狀態的感測輸出信號。非揮發性記憶體裝置可以包括摺疊電路，摺疊電路耦接至位元線以根據位元線的電壓位準輸出具有電壓低位準或電壓高位準的感測輸入信號。
简体摘要：一种非挥发性内存设备，包括耦接至比特线的非挥发性内存单元。非挥发性内存设备可以包括传感电路，传感电路被配置为基于经由传感输入线输入至传感电路的传感输入信号来输出用于传感非挥发性内存单元的状态的传感输出信号。非挥发性内存设备可以包括折叠电路，折叠电路耦接至比特线以根据比特线的电压位准输出具有电压低位准或电压高位准的传感输入信号。

95. 发明专利

TW201737257A 相關於操作範圍的非揮發性記憶體裝置审中-公开
简体标题：相关于操作范围的非挥发性内存设备
公开(公告)号：TW201737257A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105128066
申请日：2016-08-31
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：鄭會三 , JEONG, HOE SAM
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0408 , G11C17/18
摘要：一種非揮發性記憶體裝置可以包括非揮發性記憶體單元和感測電路。該感測電路耦接到該非揮發性記憶體單元的位元線。該感測電路可以使用反相器來實施，所述反相器包括耦接到供電電壓線的P通道電晶體和耦接到地電壓的N通道電晶體。所述P通道電晶體的閘極耦接到地電壓。
简体摘要：一种非挥发性内存设备可以包括非挥发性内存单元和传感电路。该传感电路耦接到该非挥发性内存单元的比特线。该传感电路可以使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到供电电压线的P信道晶体管和耦接到地电压的N信道晶体管。所述P信道晶体管的闸极耦接到地电压。

96. 发明专利

TWI601140B 使用新興非揮發性記憶體元件及快閃記憶體有权
简体标题：使用新兴非挥发性内存组件及闪存
公开(公告)号：TWI601140B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW103143556
申请日：2010-06-15
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/26 , G11C11/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C11/005 , G11C13/0002 , G11C16/10 , G11C16/26

97. 发明专利

TW201735050A 用來進行記憶體存取管理之方法以及記憶裝置及其控制器审中-公开
简体标题：用来进行内存存取管理之方法以及记忆设备及其控制器
公开(公告)号：TW201735050A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106121509
申请日：2011-01-20
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：楊宗杰 , YANG,TSUNG-CHIEH , 張孝德 , CHANG,HSIAO-TE , 王文瓏 , WANG,WEN-LONG
IPC分类号： G11C29/42 , G11C16/26 , G11C29/00
CPC分类号： G11C11/5642 , G06F3/0604 , G06F3/0622 , G06F3/0629 , G06F3/0638 , G06F3/0679 , G11C11/5628 , G11C16/08 , G11C16/26
摘要：本發明提供一種用來進行記憶體存取管理之方法，該方法包含有：針對一記憶體中之同一記憶單元，依據該記憶體所輸出之一第一數位值，要求該記憶體輸出至少一第二數位值，其中該第一數位值與該至少一第二數位值係用來判斷該記憶單元所儲存之同一位元之資訊，且該記憶單元的各種可能狀態之數量等於該記憶單元所儲存之全部的位元之各種可能組合之數量；以及基於該至少一第二數位值，產生／取得該記憶單元之軟資訊，以供進行軟解碼。本發明另提供相關之記憶裝置及其控制器。
简体摘要：本发明提供一种用来进行内存存取管理之方法，该方法包含有：针对一内存中之同一记忆单元，依据该内存所输出之一第一数码值，要求该内存输出至少一第二数码值，其中该第一数码值与该至少一第二数码值系用来判断该记忆单元所存储之同一比特之信息，且该记忆单元的各种可能状态之数量等于该记忆单元所存储之全部的比特之各种可能组合之数量；以及基于该至少一第二数码值，产生／取得该记忆单元之软信息，以供进行软译码。本发明另提供相关之记忆设备及其控制器。

98. 发明专利

TW201735045A 非揮發性記憶體模組及其操作方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存模块及其操作方法
公开(公告)号：TW201735045A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105125716
申请日：2016-08-12
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：尹鉉柱 , YOON, HYUN-JU
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/06
CPC分类号： G06F11/1441 , G06F11/07
摘要：本發明公開了一種非揮發性記憶體模組，其包括：揮發性記憶體裝置，其共用資料匯流排和控制匯流排；至少一個非揮發性記憶體裝置；以及控制器，其適於在主機的電源故障時將在揮發性記憶體裝置中儲存的資料備份到非揮發性記憶體裝置中，並且在電源故障恢復時將在非揮發性記憶體裝置中備份的資料恢復到揮發性記憶體裝置中，控制器包括：命令/位址探聽邏輯，其用於探聽從主機的記憶體控制器輸入的命令和位址並分析在各個揮發性記憶體裝置中儲存的資料的數量；以及命令/位址控制邏輯，其用於基於命令/位址探聽邏輯的分析結果以儲存的資料的數量的順序選擇揮發性記憶體裝置中的一個，並將所選擇的揮發性記憶體裝置的資料備份在非揮發性記憶體裝置中。
简体摘要：本发明公开了一种非挥发性内存模块，其包括：挥发性内存设备，其共享数据总线和控制总线；至少一个非挥发性内存设备；以及控制器，其适于在主机的电源故障时将在挥发性内存设备中存储的数据备份到非挥发性内存设备中，并且在电源故障恢复时将在非挥发性内存设备中备份的数据恢复到挥发性内存设备中，控制器包括：命令/位址探听逻辑，其用于探听从主机的内存控制器输入的命令和位址并分析在各个挥发性内存设备中存储的数据的数量；以及命令/位址控制逻辑，其用于基于命令/位址探听逻辑的分析结果以存储的数据的数量的顺序选择挥发性内存设备中的一个，并将所选择的挥发性内存设备的数据备份在非挥发性内存设备中。

99. 发明专利

TWI594242B 用於驗證記憶體資料的方法及裝置有权
简体标题：用于验证内存数据的方法及设备
公开(公告)号：TWI594242B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW101144990
申请日：2012-11-30
申请人：賽普拉斯半導體公司 , CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：希洛斯萊恩T , HIROSE, RYAN T. , 堤迪約翰 , TIEDE, JOHN , 伊格納特裘猶斯丁 , IGNATESCU, IUSTIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/3459

100. 发明专利

TWI594241B 具備ＥＥＰＲＯＭ功能之快閃記憶體系統有权
简体标题：具备ＥＥＰＲＯＭ功能之闪存系统
公开(公告)号：TWI594241B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104124520
申请日：2015-07-29
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 阮雄國 , NGUYEN, HUNG QUOC , 杜恩漢 , DO, NHAN , 阮雄國 , TIWARI, VIPIN
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/24 , G11C16/26 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC分类号： G11C16/0433 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C16/0425 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/102 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , H01L27/11524 , H01L29/42328

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