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91. 发明专利

TW200510928A 磺胺化合物、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 SULFONAMIDE COMPOUND, POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMATION METHOD 审中-公开
简体标题：磺胺化合物、高分子化合物、光阻材料及图案形成方法 SULFONAMIDE COMPOUND, POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMATION METHOD
公开(公告)号：TW200510928A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093126715
申请日：2004-09-03
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：岸村真治 KISHIMURA, SHINJI , 遠藤政孝 ENDO, MASAYUKI , 子勝 SASAGO, MASARU , 上田充 UEDA, MITSURU , 飯森弘和 IMORI, HIROKAZU , 福原敏明 FUKUHARA, TOSHIAKI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C08F220/18 , C08F212/02 , C08F228/02 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/107 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：本發明旨在提供一種對波長小於等於300nm帶之曝光光之透過性優良、基板密著性、顯影溶解性優良之光阻材料。光阻材料之底樹脂，係含有由〔化學式1〕之一般式所表示之單元。093126715-p01.bmp R^1、R^2及R^3相同或者不同，為氫原子、氟原子、碳原子之個數大於等於1且小於等於20之直鏈狀烷基、分支狀或環狀烷基、或者氟化烷基；R^4為碳原子之個數大於等於0且小於等於20之直鏈亞烷基、或者分支狀或環狀亞烷基；R^5、R^6相同或者不同，為氫原子、碳原子之個數大於等於1且小於等於20之直鏈狀烷基、分支狀或環狀烷基、氟化烷基、或者由酸脫離之保護基。
简体摘要：本发明旨在提供一种对波长小于等于300nm带之曝光光之透过性优良、基板密着性、显影溶解性优良之光阻材料。光阻材料之底树脂，系含有由〔化学式1〕之一般式所表示之单元。093126715-p01.bmp R^1、R^2及R^3相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子之个数大于等于1且小于等于20之直链状烷基、分支状或环状烷基、或者氟化烷基；R^4为碳原子之个数大于等于0且小于等于20之直链亚烷基、或者分支状或环状亚烷基；R^5、R^6相同或者不同，为氢原子、碳原子之个数大于等于1且小于等于20之直链状烷基、分支状或环状烷基、氟化烷基、或者由酸脱离之保护基。

92. 发明专利

TW200508801A 含矽之高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法审中-公开
简体标题：含硅之高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW200508801A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093115133
申请日：2004-05-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0758 , C08F30/08 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/109 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/143
摘要：本發明係有關一種含有一般式(1)表示之重覆單位，及藉由酸提高鹼可溶性之單位之含矽之高分子化合物，093115133-p01.bmp(式中，R^1為H或烷基，R^2為單鍵或(-SiR^10R^11-R^12-)b表示之二價連結基，R^3~R^9為H或烷基，R^10、R^11為烷基，R^12為單鍵、O或伸烷基，a為正數，b為1~20之整數)。本發明之光阻材料係感應高能量線，且波長300nm以下之感度、解像性、氧電漿蝕刻耐性優異。093115133-p01.bmp
简体摘要：本发明系有关一种含有一般式(1)表示之重复单位，及借由酸提高碱可溶性之单位之含硅之高分子化合物，093115133-p01.bmp(式中，R^1为H或烷基，R^2为单键或(-SiR^10R^11-R^12-)b表示之二价链接基，R^3~R^9为H或烷基，R^10、R^11为烷基，R^12为单键、O或伸烷基，a为正数，b为1~20之整数)。本发明之光阻材料系感应高能量线，且波长300nm以下之感度、解像性、氧等离子蚀刻耐性优异。093115133-p01.bmp

93. 发明专利

TW200500794A 聚合物及包括該聚合物之光阻劑 POLYMERS AND PHOTORESISTS COMPRISING SAME 审中-公开
简体标题：聚合物及包括该聚合物之光阻剂 POLYMERS AND PHOTORESISTS COMPRISING SAME
公开(公告)号：TW200500794A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093105491
申请日：2004-03-03
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C.
发明人：沙賓尼安東尼 ZAMPINI, ANTHONY , 張弢 ZHANG, TAO , 李才永 LEE, JAI HYOUNG
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0757 , C08G77/24 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要：提供新穎聚合物，其具有非碳四價物種(矽、鈦、鍺、鉻、錫)以及提供含有此種聚合物之光可成像組成物。較佳聚合物為有機聚合物，例如一或多個聚合物重複單位包含碳原子。特佳為包含二氧化矽或二氧化鈦重複單位之聚合物，該聚合物高度有用於作為於如次300奈米及次200奈米之短波長成像之光阻劑之樹脂成分。093105491-p01.bmp
简体摘要：提供新颖聚合物，其具有非碳四价物种(硅、钛、锗、铬、锡)以及提供含有此种聚合物之光可成像组成物。较佳聚合物为有机聚合物，例如一或多个聚合物重复单位包含碳原子。特佳为包含二氧化硅或二氧化钛重复单位之聚合物，该聚合物高度有用于作为于如次300奈米及次200奈米之短波长成像之光阻剂之树脂成分。093105491-p01.bmp

94. 发明专利

TW200418883A 用作光阻之具融合4員環多環基之氟化聚合物,及微影蝕刻之方法 FLUORINATED POLYMERS HAVING POLYCYCLIC GROUPS WITH FUSED 4-MEMBERED RINGS, USEFUL AS PHOTORESISTS, AND PROCESSES FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题：用作光阻之具融合4员环多环基之氟化聚合物,及微影蚀刻之方法 FLUORINATED POLYMERS HAVING POLYCYCLIC GROUPS WITH FUSED 4-MEMBERED RINGS, USEFUL AS PHOTORESISTS, AND PROCESSES FOR MICROLITHOGRAPHY
公开(公告)号：TW200418883A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092121993
申请日：2003-08-11
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：威廉布朗法漢 WILLIAM BROWN FARNHAM , 安德魯E. 費靈 ANDREW E. FEIRING , 飛亞徹斯拉夫亞歷桑卓維奇彼卓夫 VIACHESLAV ALEXANDROVICH PETROV , 法蘭克L. 夏德三世 FRANK L. SCHADT, III , 布魯斯艾德蒙史瑪特 BRUCE EDMUND SMART
IPC分类号： C08F
CPC分类号： C08F214/18 , C08F214/26 , C08F220/24 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：本發明提供新穎含氟聚合物，其包括至少一種氟化烯烴、至少一種具稠合4－員碳環系環之多環乙烯性不飽和單體及選擇性其他單體。該聚合物用於光成像組合物，特別為用於在製造半導體裝量中成像的光阻劑組合物(正作用及／或負作用)。該聚合物尤其用於具有高UV通透性(特別在短波長，例如，157奈米)之光阻劑組合物，該光阻劑組合物用作阻劑中的基礎樹脂，並潛在用於很多其他應用。
简体摘要：本发明提供新颖含氟聚合物，其包括至少一种氟化烯烃、至少一种具稠合4－员碳环系环之多环乙烯性不饱和单体及选择性其他单体。该聚合物用于光成像组合物，特别为用于在制造半导体装量中成像的光阻剂组合物(正作用及／或负作用)。该聚合物尤其用于具有高UV通透性(特别在短波长，例如，157奈米)之光阻剂组合物，该光阻剂组合物用作阻剂中的基础树脂，并潜在用于很多其他应用。

95. 发明专利

TW594412B 正型光阻劑組成物失效
简体标题：正型光阻剂组成物
公开(公告)号：TW594412B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091111321
申请日：2002-05-28
申请人：富士照相軟片股份有限公司 FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
发明人：水谷一良 KAZUYOSHI MIZUTANI , 藤森亨 FUJIMORI, TORU , 漢那慎一 SHINICHI KANNA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要：本發明揭示一種正型光阻組成物，其包含(A)一種樹脂，此樹脂含有：至少一種由下式(I)表示之重複單元及至少一種由式(VII)表示之重複單元，其會在酸作用下分解以增加其在鹼性顯影劑中的溶解度；及(B)一種能在以光化的射線或輻射照射後產生酸之化合物。
简体摘要：本发明揭示一种正型光阻组成物，其包含(A)一种树脂，此树脂含有：至少一种由下式(I)表示之重复单元及至少一种由式(VII)表示之重复单元，其会在酸作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解度；及(B)一种能在以光化的射线或辐射照射后产生酸之化合物。

96. 发明专利

TW593363B 用於增幅型光阻之共聚合物有权
简体标题：用于增幅型光阻之共聚合物
公开(公告)号：TW593363B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW092104048
申请日：2003-02-26
申请人：國際商業機器股份有限公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：伊藤博 ITO, HIROSHI
IPC分类号： C08F
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/108
摘要：提供一種共聚合物，以應用於一微影光阻組成物，特別是一化學增幅型光阻。於一較佳具體實施例中，此共聚合物實質上可被深紫外光區放射線所穿透，即波長低於250nm，其包括157nm、193nm以及248nm之輻射線，並具有改良之敏感度及解析度。於一實施例中，共聚合物包含有一α-氰基-或一α-三氟-甲基丙烯酸酯單體單元，以及一乙烯醚單體單元。本發明亦提供包含一氟化共聚合物之一微影光阻組成物，以及係利用此組成物於一基板上產生光阻影像之製程，即應用於一積體電路製造或其他情況。
简体摘要：提供一种共聚合物，以应用于一微影光阻组成物，特别是一化学增幅型光阻。于一较佳具体实施例中，此共聚合物实质上可被深紫外光区放射线所穿透，即波长低于250nm，其包括157nm、193nm以及248nm之辐射线，并具有改良之敏感度及分辨率。于一实施例中，共聚合物包含有一α-氰基-或一α-三氟-甲基丙烯酸酯单体单元，以及一乙烯醚单体单元。本发明亦提供包含一氟化共聚合物之一微影光阻组成物，以及系利用此组成物于一基板上产生光阻影像之制程，即应用于一集成电路制造或其他情况。

97. 发明专利

TW591337B 正型光阻組合物失效
简体标题：正型光阻组合物
公开(公告)号：TW591337B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW090108294
申请日：2001-04-06
申请人：富士寫真膠片股份有限公司 FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
发明人：佐佐木知也 TOMOYA SASAKI , 水谷一良 KAZUYOSHI MIZUTANI , 安波昭一郎 SHOICHIRO YASUNAMI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , Y10S430/106 , Y10S430/107 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要：本發明提供一種用於製造半導體裝置之正型光阻組合物，該組合物可確保高析像度、減低線圖案邊緣粗糙度及少量之顯影缺陷。該正型光阻組合物包括一種於側鏈上具特定含矽基團之樹脂，在酸作用下，該樹脂於鹼顯影劑中之溶解度增加。
简体摘要：本发明提供一种用于制造半导体设备之正型光阻组合物，该组合物可确保高析像度、减低线图案边缘粗糙度及少量之显影缺陷。该正型光阻组合物包括一种于侧链上具特定含硅基团之树脂，在酸作用下，该树脂于碱显影剂中之溶解度增加。

98. 发明专利

TW589512B 具有多環結構之醚單體及由其獲得之光敏性聚合物及光阻組成物失效
简体标题：具有多环结构之醚单体及由其获得之光敏性聚合物及光阻组成物
公开(公告)号：TW589512B
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW091108303
申请日：2002-04-23
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金賢友 HYUN WOO KIM , 禹相均 SANG-GYUN WOO , 李性昊 LEE, SUNG-HO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F34/02 , C07D311/78 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：提供一種具有多環結構之以烯基醚為主之單體，及由其得之光敏性聚合物與光阻劑組成物。光敏性聚合物包括由下式表示之單體單元：
简体摘要：提供一种具有多环结构之以烯基醚为主之单体，及由其得之光敏性聚合物与光阻剂组成物。光敏性聚合物包括由下式表示之单体单元：

99. 发明专利

TW574607B 聚合物,光阻組成物以及形成圖案的方法有权
简体标题：聚合物,光阻组成物以及形成图案的方法
公开(公告)号：TW574607B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW091113668
申请日：2002-06-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. , 中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 原田裕次 HARADA, YUJI , 河合義夫 KAWAI, YOSHIO , 子勝 SASAGO, MASARU , 遠藤政孝 ENDO, MASAYUKI , 岸村真治 KISHIMURA, SHINJI , 大谷充孝 OOTANI, MICHITAKA , 宮澤覺 MIYAZAWA, SATORU , 堤憲太郎 TSUTSUMI, KENTARO , 前田一彥 MAEDA, KAZUHIKO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：一種至少具有一個C6-20環脂肪族結構之丙烯酸單體與降冰片烯衍生物或具有六氟醇側基之苯乙烯單體之共聚物，其對VUV輻射係高度穿透且對電漿蝕刻具有阻抗。使用聚合物作為基質樹脂之光阻組成物對低於200奈米之高能輻射是敏感時且具有優良的靈敏度、穿透性與乾蝕刻阻抗且係適合用於石版印刷微處理。
简体摘要：一种至少具有一个C6-20环脂肪族结构之丙烯酸单体与降冰片烯衍生物或具有六氟醇侧基之苯乙烯单体之共聚物，其对VUV辐射系高度穿透且对等离子蚀刻具有阻抗。使用聚合物作为基质树脂之光阻组成物对低于200奈米之高能辐射是敏感时且具有优良的灵敏度、穿透性与干蚀刻阻抗且系适合用于石版印刷微处理。

100. 发明专利

TW200401804A 聚矽氧烷之製法,以及含有該矽氧烷之光阻組成物 PROCESSES FOR PRODUCING POLYSLOXANES AND PHOTORESIST COMPOSITIONS COMPRISING SAME 审中-公开
简体标题：聚硅氧烷之制法,以及含有该硅氧烷之光阻组成物 PROCESSES FOR PRODUCING POLYSLOXANES AND PHOTORESIST COMPOSITIONS COMPRISING SAME
公开(公告)号：TW200401804A
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW092104362
申请日：2003-03-03
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：喬治 G 巴克里 GEORGE G. BARCLAY , 莎巴蒂卡那尬莎巴趴蒂 SUBBAREDDY KANAGASAPATHY , 馬休 A 齊 MATTHEW A. KING
IPC分类号： C08L
CPC分类号： C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/14 , C08G77/24 , G03F7/0046 , G03F7/0757 , Y10S430/106 , Y10S430/108
摘要：本發明提供合成聚矽氧烷（矽倍半氧烷）之新穎方法以及包含聚矽氧烷之光阻。本發明之合成方法包括使用有複數個反應性氮基之聚合樣板反應劑，特別為二胺反應劑。
简体摘要：本发明提供合成聚硅氧烷（硅倍半氧烷）之新颖方法以及包含聚硅氧烷之光阻。本发明之合成方法包括使用有复数个反应性氮基之聚合样板反应剂，特别为二胺反应剂。

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