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1. 发明专利

TW593363B 用於增幅型光阻之共聚合物有权
简体标题：用于增幅型光阻之共聚合物
公开(公告)号：TW593363B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW092104048
申请日：2003-02-26
申请人：國際商業機器股份有限公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：伊藤博 ITO, HIROSHI
IPC分类号： C08F
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/108
摘要：提供一種共聚合物，以應用於一微影光阻組成物，特別是一化學增幅型光阻。於一較佳具體實施例中，此共聚合物實質上可被深紫外光區放射線所穿透，即波長低於250nm，其包括157nm、193nm以及248nm之輻射線，並具有改良之敏感度及解析度。於一實施例中，共聚合物包含有一α-氰基-或一α-三氟-甲基丙烯酸酯單體單元，以及一乙烯醚單體單元。本發明亦提供包含一氟化共聚合物之一微影光阻組成物，以及係利用此組成物於一基板上產生光阻影像之製程，即應用於一積體電路製造或其他情況。
简体摘要：提供一种共聚合物，以应用于一微影光阻组成物，特别是一化学增幅型光阻。于一较佳具体实施例中，此共聚合物实质上可被深紫外光区放射线所穿透，即波长低于250nm，其包括157nm、193nm以及248nm之辐射线，并具有改良之敏感度及分辨率。于一实施例中，共聚合物包含有一α-氰基-或一α-三氟-甲基丙烯酸酯单体单元，以及一乙烯醚单体单元。本发明亦提供包含一氟化共聚合物之一微影光阻组成物，以及系利用此组成物于一基板上产生光阻影像之制程，即应用于一集成电路制造或其他情况。

2. 发明专利

TW200307697A 用於增幅型光阻之共聚合物 COPOLYMER FOR USE IN CHEMICAL AMPLIFICATION RESISTS 审中-公开
简体标题：用于增幅型光阻之共聚合物 COPOLYMER FOR USE IN CHEMICAL AMPLIFICATION RESISTS
公开(公告)号：TW200307697A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092104048
申请日：2003-02-26
申请人：國際商業機器股份有限公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：伊藤博 ITO, HIROSHI
IPC分类号： C08F
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/108
摘要：提供一種共聚合物，以應用於一微影光阻組成物，特別是一化學增幅型光阻。於一較佳具體實施例中，此共聚合物實質上可被深紫外光區放射線所穿透，即波長低於250nm，其包括157nm、193nm以及248nm之輻射線，並具有改良之敏感度及解析度。於一實施例中，共聚合物包含有一α–氰基–或一α–三氟–甲基丙烯酸脂單體單元，以及一乙烯醚單體單元。本發明亦提供包含一氟化共聚合物之一微影光阻組成物，以及係利用此組成物於一基板上產生光阻影像之製程，即應用於一積體電路製造或其他情況。
简体摘要：提供一种共聚合物，以应用于一微影光阻组成物，特别是一化学增幅型光阻。于一较佳具体实施例中，此共聚合物实质上可被深紫外光区放射线所穿透，即波长低于250nm，其包括157nm、193nm以及248nm之辐射线，并具有改良之敏感度及分辨率。于一实施例中，共聚合物包含有一α–氰基–或一α–三氟–甲基丙烯酸脂单体单元，以及一乙烯醚单体单元。本发明亦提供包含一氟化共聚合物之一微影光阻组成物，以及系利用此组成物于一基板上产生光阻影像之制程，即应用于一集成电路制造或其他情况。

3. 发明专利

TW200304043A 多重聚合物及相關製備與使用方法 POLYMER BLEND AND ASSOCIATED METHODS OF PREPARATION AND USE 失效
简体标题：多重聚合物及相关制备与使用方法 POLYMER BLEND AND ASSOCIATED METHODS OF PREPARATION AND USE
公开(公告)号：TW200304043A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092104052
申请日：2003-02-26
申请人：國際商業機器股份有限公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：布雷塔葛瑞格里 BREYTA, GREGORY , 伊藤博 ITO, HIROSHI , 張華 D TRUONG, HOA D.
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , C08L33/16 , C08L2205/02 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , Y10S430/108 , C08L2666/04
摘要：本發明係提供一種供使用在微影蝕刻光阻組合物(lithographicphotoresist)之聚合物摻合物(polymerblend)，特別適用在化學放大光阻(chemicalamplificationphotoresist)之部分。在較佳之實施例中，該聚合物摻合物係實質上對深紫外光區之電磁波透明，即波長小於250nm之電磁波，包含157nm、193nm與248nm，且改善了敏感度與解析度。本發明亦提供製備該聚合物摻合物及包含有該聚合物摻合物之微影蝕刻光阻組合物之方法。
简体摘要：本发明系提供一种供使用在微影蚀刻光阻组合物(lithographicphotoresist)之聚合物掺合物(polymerblend)，特别适用在化学放大光阻(chemicalamplificationphotoresist)之部分。在较佳之实施例中，该聚合物掺合物系实质上对深紫外光区之电磁波透明，即波长小于250nm之电磁波，包含157nm、193nm与248nm，且改善了敏感度与分辨率。本发明亦提供制备该聚合物掺合物及包含有该聚合物掺合物之微影蚀刻光阻组合物之方法。

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