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91. 发明专利

TW201306307A ＩＩＩ族氮化物半導體發光元件、及ＩＩＩ族氮化物半導體發光元件之製作方法审中-公开
简体标题：ＩＩＩ族氮化物半导体发光组件、及ＩＩＩ族氮化物半导体发光组件之制作方法
公开(公告)号：TW201306307A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101116536
申请日：2012-05-09
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：米村卓巳 , YONEMURA, TAKUMI , 京野孝史 , KYONO, TAKASHI , 鹽谷陽平 , ENYA, YOHEI
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0035 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34333
摘要：本發明提供一種順向電壓降低之III族氮化物半導體雷射元件。p型包覆層中，係以p型包覆層中之p型摻雜劑之濃度大於n型雜質之濃度之方式而含有p型摻雜劑及n型雜質。由使用有較p型包覆層之帶隙更大之激發光之測定而獲得的光致發光(PL)光譜具有頻帶端發光及施體受體對發光之波峰。該PL光譜之頻帶端發光峰值之能量E(BAND)與該PL光譜之施體受體對發光峰值之能量E(DAP)之差(E(BAND)-E(DAP))係與該III族氮化物半導體雷射元件11之順向驅動電壓(Vf)相關。當該能量差(E(BAND)-E(DAP))為0.42 eV以下時，III族氮化物半導體發光元件之順向電壓施加時之驅動電壓降低。
简体摘要：本发明提供一种顺向电压降低之III族氮化物半导体激光组件。p型包覆层中，系以p型包覆层中之p型掺杂剂之浓度大于n型杂质之浓度之方式而含有p型掺杂剂及n型杂质。由使用有较p型包覆层之带隙更大之激发光之测定而获得的光致发光(PL)光谱具有频带端发光及施体受体对发光之波峰。该PL光谱之频带端发光峰值之能量E(BAND)与该PL光谱之施体受体对发光峰值之能量E(DAP)之差(E(BAND)-E(DAP))系与该III族氮化物半导体激光组件11之顺向驱动电压(Vf)相关。当该能量差(E(BAND)-E(DAP))为0.42 eV以下时，III族氮化物半导体发光组件之顺向电压施加时之驱动电压降低。

92. 发明专利

TW201300548A Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２－ＺｎＯ系濺鍍靶材审中-公开
简体标题：Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２－ＺｎＯ系溅镀靶材
公开(公告)号：TW201300548A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101116722
申请日：2012-05-10
申请人：出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
发明人：糸瀨將之 , ITOSE, MASAYUKI , 西村麻美 , NISHIMURA, MAMI , 砂川美佐 , SUNAGAWA, MISA , 笠見雅司 , KASAMI, MASASHI , 矢野公規 , YANO, KOKI
IPC分类号： C22C30/04 , C22C1/04
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：本發明係關於一種濺鍍靶材，其包含銦元素(In)、錫元素(Sn)、鋅元素(Zn)及含有選自下述X群中之1種以上之元素X的氧化物，並且各元素之原子比滿足下述式(1)~(4)。X群：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85 (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40 (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70 (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (4) (式中，In、Sn、Zn及X分別表示濺鍍靶材中之各元素之原子比)。
简体摘要：本发明系关于一种溅镀靶材，其包含铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及含有选自下述X群中之1种以上之元素X的氧化物，并且各元素之原子比满足下述式(1)~(4)。X群：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85 (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40 (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70 (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (4) (式中，In、Sn、Zn及X分别表示溅镀靶材中之各元素之原子比)。

93. 发明专利

TW201244134A 用於形成氧化鎘錫層及光伏打裝置之方法 METHOD FOR FORMING CADMIUM TIN OXIDE LAYER AND A PHOTOVOLTAIC DEVICE 失效
简体标题：用于形成氧化镉锡层及光伏打设备之方法 METHOD FOR FORMING CADMIUM TIN OXIDE LAYER AND A PHOTOVOLTAIC DEVICE
公开(公告)号：TW201244134A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW100145393
申请日：2011-12-08
申请人：奇異電器公司
发明人：麥可約瑟夫達瑞 , 巴雷奇布魯斯艾德華 , 安卓尼克里斯頓威廉 , 羅裘朱恩卡洛斯 , 菲德曼皮柏狄史考特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/022466 , C03C17/2453 , C03C2217/232 , C03C2218/32 , C23C14/086 , C23C14/5806 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L31/073 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要：於本發明之一態樣中,提供一種方法。該方法包括將實質非晶形氧化鎘錫層佈置於支撐物上及藉由使該實質非晶形氧化鎘錫層之第一表面曝露於電磁輻射使該實質非晶形氧化鎘錫層快速熱退火以形成透明層。亦提供一種製造光伏打裝置之方法。
简体摘要：于本发明之一态样中,提供一种方法。该方法包括将实质非晶形氧化镉锡层布置于支撑物上及借由使该实质非晶形氧化镉锡层之第一表面曝露于电磁辐射使该实质非晶形氧化镉锡层快速热退火以形成透明层。亦提供一种制造光伏打设备之方法。

94. 发明专利

TW201243079A 濺鍍靶、其製造方法及薄膜電晶體之製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶、其制造方法及薄膜晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW201243079A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101106814
申请日：2012-03-01
申请人：夏普股份有限公司
发明人：神崎庸輔 , 楠見崇嗣 , 玉利直啟 , 守口正生
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/203 , H01L29/7869 , Y10T29/49826
摘要：本發明之目的在於提供一種可獲得特性良好之膜之濺鍍靶。濺鍍靶(100)藉由複數個靶材(10)、背襯板(20)、接合材(30)、及保護材(50)而構成。複數個靶材(10)與背襯板(20)經由接合材(30)而接合。於與鄰接之靶材(10)彼此之接縫(15)相對之背襯板(20)之表面形成有溝槽(40)。於各溝槽(40)設置有與靶材(10)為相同材料之保護材(50)。保護材(50)之寬度(W2)寬於接縫(15)之寬度(W1)，且窄於溝槽(40)之寬度(W3)。保護材(50)之厚度(T4)大於溝槽(40)之深度(D1)。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可获得特性良好之膜之溅镀靶。溅镀靶(100)借由复数个靶材(10)、背衬板(20)、接合材(30)、及保护材(50)而构成。复数个靶材(10)与背衬板(20)经由接合材(30)而接合。于与邻接之靶材(10)彼此之接缝(15)相对之背衬板(20)之表面形成有沟槽(40)。于各沟槽(40)设置有与靶材(10)为相同材料之保护材(50)。保护材(50)之宽度(W2)宽于接缝(15)之宽度(W1)，且窄于沟槽(40)之宽度(W3)。保护材(50)之厚度(T4)大于沟槽(40)之深度(D1)。

95. 发明专利

TW201234598A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201234598A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100148629
申请日：2011-12-26
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C11/403 , G11C16/0433 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/10873 , H01L27/1108 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L29/24 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個實施例提供一種能夠進行高速工作的半導體裝置。此外,本發明的一個實施例還提供一種不容易發生因短通道效應而導致的電特性的變動的半導體裝置。將具有結晶性的氧化物半導體用於電晶體的半導體層,在該半導體層上形成通道形成區、源極區以及汲極區。源極區及汲極區藉由利用將閘極電極用作掩模且對半導體層添加第15族元素中的一種或多種的元素的自對準製程來形成。可以使源極區及汲極區具有纖鋅礦型晶體結構。
简体摘要：本发明的一个实施例提供一种能够进行高速工作的半导体设备。此外,本发明的一个实施例还提供一种不容易发生因短信道效应而导致的电特性的变动的半导体设备。将具有结晶性的氧化物半导体用于晶体管的半导体层,在该半导体层上形成信道形成区、源极区以及汲极区。源极区及汲极区借由利用将闸极电极用作掩模且对半导体层添加第15族元素中的一种或多种的元素的自对准制程来形成。可以使源极区及汲极区具有纤锌矿型晶体结构。

96. 发明专利

TW201232668A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201232668A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100132649
申请日：2011-09-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 野中裕介 , 井上卓之 , 津吹將志 , 秋元健吾 , 宮永昭治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78603
摘要：本發明之目的在於提供具有穩定電氣特徵和高可靠度之包含氧化物半導體膜的半導體裝置。在絕緣表面之上形成具有1 nm至10 nm厚度的第一材料膜(具有六角晶體結構的膜),以及使用第一材料膜作為核心而形成具有六角晶體結構的第二材料膜(結晶氧化物半導體膜),而形成第一及第二材料膜的堆疊。使用具有纖鋅礦晶體結構的材料膜(例如,氮化鎵或氮化鋁)或是具有剛玉晶體結構的材料膜(��-Al2O3、��-Ga2O3、In2O3、Ti2O3、V2O3、Cr2O3、或��-Fe2O3),作為第一材料膜。
简体摘要：本发明之目的在于提供具有稳定电气特征和高可靠度之包含氧化物半导体膜的半导体设备。在绝缘表面之上形成具有1 nm至10 nm厚度的第一材料膜(具有六角晶体结构的膜),以及使用第一材料膜作为内核而形成具有六角晶体结构的第二材料膜(结晶氧化物半导体膜),而形成第一及第二材料膜的堆栈。使用具有纤锌矿晶体结构的材料膜(例如,氮化镓或氮化铝)或是具有刚玉晶体结构的材料膜(��-Al2O3、��-Ga2O3、In2O3、Ti2O3、V2O3、Cr2O3、或��-Fe2O3),作为第一材料膜。

97. 发明专利

TW201222734A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201222734A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100125446
申请日：2011-07-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78603 , H01L29/78618
摘要：包括氧化物半導體的半導體裝置的電特性因被可見光或紫外光輻照而改變。鑒於上述問題，一個目標在於提供包括氧化物半導體薄膜的半導體裝置，其具有穩定的電特性和高可靠性。在氧化物絕緣層上形成厚度大於或等於1nm且小於或等於10nm的第一氧化物半導體層且通過熱處理使其結晶，以形成第一結晶氧化物半導體層。在其上形成厚度比該第一結晶氧化物半導體層大的第二結晶氧化物半導體層。
简体摘要：包括氧化物半导体的半导体设备的电特性因被可见光或紫外光辐照而改变。鉴于上述问题，一个目标在于提供包括氧化物半导体薄膜的半导体设备，其具有稳定的电特性和高可靠性。在氧化物绝缘层上形成厚度大于或等于1nm且小于或等于10nm的第一氧化物半导体层且通过热处理使其结晶，以形成第一结晶氧化物半导体层。在其上形成厚度比该第一结晶氧化物半导体层大的第二结晶氧化物半导体层。

98. 发明专利

TW201210023A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201210023A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100117406
申请日：2011-05-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：遠藤佑太 , 佐佐木俊成 , 野田耕生 , 佐藤瑞穗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02488 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要：本發明的目的是製造一種半導體裝置,其中在使用氧化物半導體的電晶體,電特性的變動小且可靠性高。作為與形成通道的氧化物半導體層接觸的絕緣層,使用含有矽過氧化自由基的絕緣層。藉由氧從絕緣層放出,可以降低氧化物半導體層中的氧缺陷及所述絕緣層與所述氧化物半導體層之間的介面態,而可以製造電特性的變動小且可靠性高的半導體裝置。
简体摘要：本发明的目的是制造一种半导体设备,其中在使用氧化物半导体的晶体管,电特性的变动小且可靠性高。作为与形成信道的氧化物半导体层接触的绝缘层,使用含有硅过氧化自由基的绝缘层。借由氧从绝缘层放出,可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷及所述绝缘层与所述氧化物半导体层之间的界面态,而可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体设备。

99. 发明专利

TW201205818A 薄膜電晶體之半導體層用氧化物及濺鍍靶、以及薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管之半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201205818A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100113716
申请日：2011-04-20
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：三木綾 , 岩成裕美 , 釘宮敏洋 , 森田晉也 , 寺尾泰昭 , 安野聰
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：係提供一種薄膜電晶體的開關特性佳,即使在ZnO濃度特高之區域,且即使在形成保護膜後以及施加應力後,亦可穩定地得到良好特性之薄膜電晶體半導體層用氧化物。本發明之薄膜電晶體之半導體層用氧化物,為使用在薄膜電晶體的半導體層之氧化物,前述氧化物係含有Zn及Sn,且進一步含有選自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土類元素所組成之X群的至少一種元素。
简体摘要：系提供一种薄膜晶体管的开关特性佳,即使在ZnO浓度特高之区域,且即使在形成保护膜后以及施加应力后,亦可稳定地得到良好特性之薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明之薄膜晶体管之半导体层用氧化物,为使用在薄膜晶体管的半导体层之氧化物,前述氧化物系含有Zn及Sn,且进一步含有选自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土类元素所组成之X群的至少一种元素。

100. 发明专利

TW201205684A 半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201205684A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100113545
申请日：2011-04-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/465 , H01L21/477 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要：提供一種包含具有穩定的電特徵及高可靠度的氧化物半導體之半導體裝置。藉由使用光阻掩罩以形成島狀氧化物半導體層,去除光阻掩罩,將氧導入至(添加至)氧化物半導體層,以及,實施熱處理。連續地實施光阻掩罩的去除、氧的導入、及熱處理而未曝露於空氣。經由氧導入及熱處理,將例如氫、濕氣、羧基、或氫化物等雜質從氧化物半導體層刻意地去除,因而將氧化物半導體層高度純化。在形成氧化物半導體層之前,可以將氯導入至有氧化物半導體層形成於其上的絕緣層。藉由導入氯,能夠使絕緣層中的氫固定,藉以防止氫從絕緣層擴散至氧化物半導體層。
简体摘要：提供一种包含具有稳定的电特征及高可靠度的氧化物半导体之半导体设备。借由使用光阻掩罩以形成岛状氧化物半导体层,去除光阻掩罩,将氧导入至(添加至)氧化物半导体层,以及,实施热处理。连续地实施光阻掩罩的去除、氧的导入、及热处理而未曝露于空气。经由氧导入及热处理,将例如氢、湿气、羧基、或氢化物等杂质从氧化物半导体层刻意地去除,因而将氧化物半导体层高度纯化。在形成氧化物半导体层之前,可以将氯导入至有氧化物半导体层形成于其上的绝缘层。借由导入氯,能够使绝缘层中的氢固定,借以防止氢从绝缘层扩散至氧化物半导体层。

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