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1. 发明专利

TWI622132B 三維電路及其製造方法有权
简体标题：三维电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI622132B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW106109363
申请日：2017-03-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：楊金成 , YANG, CHIN-CHENG
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/76816 , G11C16/08 , H01L21/31144 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582

2. 发明专利

TWI618225B 用於三維ＮＡＮＤ硬遮罩應用的奈米結晶鑽石碳膜有权
简体标题：用于三维ＮＡＮＤ硬遮罩应用的奈米结晶钻石碳膜
公开(公告)号：TWI618225B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104127217
申请日：2015-08-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳咏梅 , CHEN, YONGMEI , 倪克里斯多夫S , NGAI, CHRISTOPHER S. , 劉菁菁 , LIU, JINGJING , 薛君 , XUE, JUN , 殷正操 , YING, CHENTSAU , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/279 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/49 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/51 , H01L29/518

3. 发明专利

TWI617689B 製造３Ｄ裝置的方法及前驅物有权
简体标题：制造３Ｄ设备的方法及前驱物
公开(公告)号：TWI617689B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105102222
申请日：2016-01-25
申请人：慧盛材料美國責任有限公司 , VERSUM MATERIALS US, LLC
发明人：李建恒 , LI, JIANHENG , 瑞吉威羅伯特戈登 , RIDGEWAY, ROBERT GORDON , 雷新建 , LEI, XINJIAN , 孟提雷蒙尼克勞斯 , VRTIS, RAYMOND NICHOLAS , 韓冰 , HAN, BING , 雷馬乎卡巴斯卡拉 , RAO, MADHUKAR BHASKARA
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/02219 , C01B21/087 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L27/11517 , H01L27/11556 , H01L27/11563 , H01L27/11582

4. 发明专利

TWI616984B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI616984B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106103215
申请日：2017-01-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：謝志宏 , HSIEH, CHIH HUNG , 廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/06
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L27/092 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/0649

5. 发明专利

TWI611574B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI611574B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102135662
申请日：2013-10-02
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李起洪 , LEE, KI HONG , 皮昇浩 , PYI, SEUNG HO , 賓真戶 , BIN, JIN HO
IPC分类号： H01L27/24 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/764 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53266 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/11563 , H01L27/11565 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI611561B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI611561B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102116305
申请日：2013-05-08
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李起洪 , LEE, KI HONG , 皮昇浩 , PYI, SEUNG HO , 金一道 , KIM, IL DO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/115 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/66666 , H01L29/7827

7. 发明专利

TWI609466B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI609466B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW102126247
申请日：2013-07-23
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李東基 , LEE, DONG KEE
IPC分类号： H01L23/48 , H01L29/78
CPC分类号： H01L28/20 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/31111 , H01L21/32133 , H01L21/76897 , H01L27/0629 , H01L27/11531 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/2436 , H01L45/10 , H01L45/122 , H01L45/145

8. 发明专利

TW201743335A 非揮發性半導體記憶裝置、半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备、半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201743335A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106116923
申请日：2013-07-23
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：深野剛 , FUKANO,GOU
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C16/08 , G11C16/16 , H01L27/11573 , H01L27/11582
摘要：本發明揭示一種非揮發性半導體記憶裝置，其包含具有多個區塊之一記憶體單元陣列，各區塊具有複數個記憶體串。各記憶體串具有串聯連接於第一選擇電晶體與第二選擇電晶體之間之多個記憶體單元。該裝置進一步包含一列解碼器、一區塊解碼器、第一及第二信號線群組，及一切換電路。該列解碼器具有轉移電晶體，透過該等轉移電晶體將電壓供應至選擇電晶體。該區塊解碼器供應指示是否已選擇第一群組或第二群組之一選擇信號。該等第一及第二信號線群組係連接至該等第一及第二群組之各自第一及第二記憶體區塊中之記憶體串之選擇電晶體。該切換電路將該等第一及第二信號線群組連接至選定群組之各自第一及第二記憶體區塊。
简体摘要：本发明揭示一种非挥发性半导体记忆设备，其包含具有多个区块之一内存单元数组，各区块具有复数个内存串。各内存串具有串联连接于第一选择晶体管与第二选择晶体管之间之多个内存单元。该设备进一步包含一列译码器、一区块译码器、第一及第二信号线群组，及一切换电路。该列译码器具有转移晶体管，透过该等转移晶体管将电压供应至选择晶体管。该区块译码器供应指示是否已选择第一群组或第二群组之一选择信号。该等第一及第二信号线群组系连接至该等第一及第二群组之各自第一及第二内存区块中之内存串之选择晶体管。该切换电路将该等第一及第二信号线群组连接至选定群组之各自第一及第二内存区块。

9. 发明专利

TWI604563B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI604563B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW104140213
申请日：2015-12-01
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO , 側瀬聡文 , GAWASE, AKIFUMI , 渡邉桂 , WATANABE, KEI , 荒井伸也 , ARAI, SHINYA
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/30604 , H01L21/764 , H01L21/76897 , H01L23/53295

10. 发明专利

TW201738928A 原子層沉積第三至五族化合物以形成Ｖ－ＮＡＮＤ裝置审中-公开
简体标题：原子层沉积第三至五族化合物以形成Ｖ－ＮＡＮＤ设备
公开(公告)号：TW201738928A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105142668
申请日：2016-12-22
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：布隆貝格湯姆E , BLOMBERG, TOM E. , 夏爾瑪費倫 , SHARMA, VARUN , 馬耶斯珍威廉 , MAES, JAN WILLEM
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , H01L27/11521 , H01L27/11551
CPC分类号： H01L27/115 , H01L21/02538 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/00
摘要：本發明揭示一種形成V-NAND裝置的方法。詳言之，該方法包含沉積半導體材料、導電材料或介電材料中之至少一者以形成用於V-NAND裝置的通道。此外，該方法可包含預處理步驟，其中可使用ALD、CVD或其它循環沉積製程來改善材料在通道中的附著力。
简体摘要：本发明揭示一种形成V-NAND设备的方法。详言之，该方法包含沉积半导体材料、导电材料或介电材料中之至少一者以形成用于V-NAND设备的信道。此外，该方法可包含预处理步骤，其中可使用ALD、CVD或其它循环沉积制程来改善材料在信道中的附着力。

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