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1. 发明专利

TW201837992A 成膜裝置、成膜方法及絕熱構件审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及绝热构件
公开(公告)号：TW201837992A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106144309
申请日：2017-12-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 渡邊將久 , WATANABE, MASAHISA , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 矢野一紀 , YANO, KAZUKI , 藤田圭介 , FUZITA, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
摘要：本發明之目的在於針對基板固持具所多層固持之複數個被處理基板進行成膜處理之際，調整被處理基板群中之由基板固持具的上部側或下部側所固持之被處理基板的面內之膜厚分佈，並且提昇被處理基板間之膜厚的均勻性。本發明係將裝置構成為具備：氣體供給部24，用以將成膜氣體供給至立式的反應容器11內；絕熱構件R，在基板固持具3之中在比被處理基板W的配置區域更上方或更下方設置成與該配置區域重疊，用以在反應容器11內將前述配置區域與比該配置區域更上方之上方區域、或前述配置區域與比該配置區域更下方之下方區域加以絕熱；以及貫穿孔35，為了調整絕熱構件R附近的被處理基板W的面內的溫度分佈，而設置在該絕熱構件R之中與該被處理基板W的中心部重疊之位置。
简体摘要：本发明之目的在于针对基板固持具所多层固持之复数个被处理基板进行成膜处理之际，调整被处理基板群中之由基板固持具的上部侧或下部侧所固持之被处理基板的面内之膜厚分布，并且提升被处理基板间之膜厚的均匀性。本发明系将设备构成为具备：气体供给部24，用以将成膜气体供给至立式的反应容器11内；绝热构件R，在基板固持具3之中在比被处理基板W的配置区域更上方或更下方设置成与该配置区域重叠，用以在反应容器11内将前述配置区域与比该配置区域更上方之上方区域、或前述配置区域与比该配置区域更下方之下方区域加以绝热；以及贯穿孔35，为了调整绝热构件R附近的被处理基板W的面内的温度分布，而设置在该绝热构件R之中与该被处理基板W的中心部重叠之位置。

2. 发明专利

TWI547586B 膜沉積方法與膜沉積設備有权
简体标题：膜沉积方法与膜沉积设备
公开(公告)号：TWI547586B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101108695
申请日：2012-03-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01L21/02337 , H01L21/31116 , H01L21/67109

3. 发明专利

TW201520356A 矽膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形狀之控制方法审中-公开
简体标题：硅膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形状之控制方法
公开(公告)号：TW201520356A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103126085
申请日：2014-07-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 古澤純和 , FURUSAWA, YOSHIKAZU , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 林寬之 , HAYASHI, HIROYUKI , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
IPC分类号： C23C16/24 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要：本發明提供一種矽膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形狀之控制方法，該矽膜之成膜方法，在具有被處理面之被處理體上，將矽膜成膜，其包含如下程序：（1）對該被處理面上，供給分子式中含有2個以上的矽之高次胺基矽烷系氣體，將矽吸附於該被處理面上以形成種晶層的程序；以及（2）對該種晶層上，供給不含胺基之矽烷系氣體，使矽沉積於該種晶層上以形成矽膜的程序；其中，使該（1）程序中之處理溫度為350℃以下室溫（25℃）以上的範圍。
简体摘要：本发明提供一种硅膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形状之控制方法，该硅膜之成膜方法，在具有被处理面之被处理体上，将硅膜成膜，其包含如下进程：（1）对该被处理面上，供给分子式中含有2个以上的硅之高次胺基硅烷系气体，将硅吸附于该被处理面上以形成种晶层的进程；以及（2）对该种晶层上，供给不含胺基之硅烷系气体，使硅沉积于该种晶层上以形成硅膜的进程；其中，使该（1）进程中之处理温度为350℃以下室温（25℃）以上的范围。

4. 发明专利

TW201507010A 充塡渠溝之方法及處理裝置审中-公开
简体标题：充填渠沟之方法及处理设备
公开(公告)号：TW201507010A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103118157
申请日：2014-05-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 小野寺聰 , ONODERA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02592 , H01L21/02645 , H01L21/02667
摘要：本發明係關於一種形成於被處理體之絕緣膜之渠溝的充填方法，包含沿著畫分出渠溝之壁面形成含雜質之第1非晶矽膜的步驟、在第1非晶矽膜上形成第2非晶矽膜的步驟、以及在第2非晶矽形成之後對被處理體進行退火的步驟。
简体摘要：本发明系关于一种形成于被处理体之绝缘膜之渠沟的充填方法，包含沿着画分出渠沟之壁面形成含杂质之第1非晶硅膜的步骤、在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜的步骤、以及在第2非晶硅形成之后对被处理体进行退火的步骤。

5. 发明专利

TWI689617B 成膜方法有权
公开(公告)号：TWI689617B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW106105661
申请日：2017-02-21
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/24 , H01L21/02

6. 发明专利

TWI571916B 充塡渠溝之方法及處理裝置有权
简体标题：充填渠沟之方法及处理设备
公开(公告)号：TWI571916B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW103118157
申请日：2014-05-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 小野寺聰 , ONODERA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02592 , H01L21/02645 , H01L21/02667

7. 发明专利

TWI549181B 矽膜之形成方法及其形成裝置有权
简体标题：硅膜之形成方法及其形成设备
公开(公告)号：TWI549181B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103101512
申请日：2014-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02658 , H01L21/28525 , H01L21/32055 , H01L21/32135 , H01L21/32155 , H01L21/76877

8. 发明专利

TW201800603A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：TW201800603A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106105661
申请日：2017-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/24 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02647 , C23C16/045 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要：一種成膜方法，係在表面形成有微細凹部之被處理基板上，藉由CVD法而形成矽膜、鍺膜、或矽鍺膜；該成膜方法具有以下步驟：於處理容器內配置具有微細凹部之被處理基板的步驟；以及對該處理容器內，供給含有構成所要形成之膜層之元素的成膜氣體、以及含氯化合物氣體的步驟；藉由該含氯化合物氣體，而選擇性地阻礙該成膜氣體之吸附在該微細凹部之上部。
简体摘要：一种成膜方法，系在表面形成有微细凹部之被处理基板上，借由CVD法而形成硅膜、锗膜、或硅锗膜；该成膜方法具有以下步骤：于处理容器内配置具有微细凹部之被处理基板的步骤；以及对该处理容器内，供给含有构成所要形成之膜层之元素的成膜气体、以及含氯化合物气体的步骤；借由该含氯化合物气体，而选择性地阻碍该成膜气体之吸附在该微细凹部之上部。

9. 发明专利

TWI577821B 矽膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形狀之控制方法有权
简体标题：硅膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形状之控制方法
公开(公告)号：TWI577821B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103126085
申请日：2014-07-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 古澤純和 , FURUSAWA, YOSHIKAZU , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 林寬之 , HAYASHI, HIROYUKI , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
IPC分类号： C23C16/24 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089

10. 发明专利

TWI529784B 矽薄膜之形成方法與設備有权
简体标题：硅薄膜之形成方法与设备
公开(公告)号：TWI529784B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW102118448
申请日：2013-05-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 高橋信廣 , TAKAHASHI, NOBUHIRO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02658 , C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/76224 , H01L21/76232

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