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1. 发明专利

TW201837992A 成膜裝置、成膜方法及絕熱構件审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及绝热构件
公开(公告)号：TW201837992A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106144309
申请日：2017-12-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 渡邊將久 , WATANABE, MASAHISA , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 矢野一紀 , YANO, KAZUKI , 藤田圭介 , FUZITA, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
摘要：本發明之目的在於針對基板固持具所多層固持之複數個被處理基板進行成膜處理之際，調整被處理基板群中之由基板固持具的上部側或下部側所固持之被處理基板的面內之膜厚分佈，並且提昇被處理基板間之膜厚的均勻性。本發明係將裝置構成為具備：氣體供給部24，用以將成膜氣體供給至立式的反應容器11內；絕熱構件R，在基板固持具3之中在比被處理基板W的配置區域更上方或更下方設置成與該配置區域重疊，用以在反應容器11內將前述配置區域與比該配置區域更上方之上方區域、或前述配置區域與比該配置區域更下方之下方區域加以絕熱；以及貫穿孔35，為了調整絕熱構件R附近的被處理基板W的面內的溫度分佈，而設置在該絕熱構件R之中與該被處理基板W的中心部重疊之位置。
简体摘要：本发明之目的在于针对基板固持具所多层固持之复数个被处理基板进行成膜处理之际，调整被处理基板群中之由基板固持具的上部侧或下部侧所固持之被处理基板的面内之膜厚分布，并且提升被处理基板间之膜厚的均匀性。本发明系将设备构成为具备：气体供给部24，用以将成膜气体供给至立式的反应容器11内；绝热构件R，在基板固持具3之中在比被处理基板W的配置区域更上方或更下方设置成与该配置区域重叠，用以在反应容器11内将前述配置区域与比该配置区域更上方之上方区域、或前述配置区域与比该配置区域更下方之下方区域加以绝热；以及贯穿孔35，为了调整绝热构件R附近的被处理基板W的面内的温度分布，而设置在该绝热构件R之中与该被处理基板W的中心部重叠之位置。

2. 发明专利

TWI686505B 矽膜之形成方法與形成裝置及記錄媒體有权
简体标题：硅膜之形成方法与形成设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI686505B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106109625
申请日：2017-03-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C16/42 , H01L21/285

3. 发明专利

TW201318039A 薄膜形成方法及膜形成設備审中-公开
简体标题：薄膜形成方法及膜形成设备
公开(公告)号：TW201318039A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101135631
申请日：2012-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 宮原孝廣 , MIYAHARA, TAKAHIRO , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 五十嵐一將 , IGARASHI, KAZUMASA
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
摘要：一種在配置成可真空排氣之處理容器中於待處理物體的表面上形成晶種膜以及含雜質矽膜之薄膜形成方法，包含：執行藉由供應包含胺基矽烷基氣體以及多矽數矽烷至少一者之晶種膜原料氣體至處理容器中，從而形成晶種膜的第一步驟；以及執行藉由供應矽烷基氣體以及含雜質氣體至處理容器中，從而形成呈非晶狀態之含雜質矽膜的第二步驟。
简体摘要：一种在配置成可真空排气之处理容器中于待处理物体的表面上形成晶种膜以及含杂质硅膜之薄膜形成方法，包含：运行借由供应包含胺基硅烷基气体以及多硅数硅烷至少一者之晶种膜原料气体至处理容器中，从而形成晶种膜的第一步骤；以及运行借由供应硅烷基气体以及含杂质气体至处理容器中，从而形成呈非晶状态之含杂质硅膜的第二步骤。

4. 发明专利

TWI547586B 膜沉積方法與膜沉積設備有权
简体标题：膜沉积方法与膜沉积设备
公开(公告)号：TWI547586B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101108695
申请日：2012-03-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01L21/02337 , H01L21/31116 , H01L21/67109

5. 发明专利

TWI635555B 成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI635555B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104128550
申请日：2015-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/67

6. 发明专利

TW201308407A 矽膜之形成方法與設備审中-公开
简体标题：硅膜之形成方法与设备
公开(公告)号：TW201308407A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101123577
申请日：2012-06-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/76
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/045 , C23C16/45523 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一種用以形成矽膜之方法與設備，其可抑制孔洞或縫隙的產生。該方法包含執行第一成膜製程、執行蝕刻製程、執行摻雜製程、以及執行第二成膜製程。在第一成膜製程中，形成未受雜質摻雜之未摻雜矽膜以嵌入物體的溝槽。在蝕刻製程中，蝕刻經由第一成膜製程形成之未摻雜矽膜。在摻雜製程中，以雜質摻雜經由蝕刻製程蝕刻之未摻雜矽膜。在第二成膜製程中，形成雜質摻雜矽膜以嵌入經由摻雜製程摻雜之矽膜。
简体摘要：本发明提供一种用以形成硅膜之方法与设备，其可抑制孔洞或缝隙的产生。该方法包含运行第一成膜制程、运行蚀刻制程、运行掺杂制程、以及运行第二成膜制程。在第一成膜制程中，形成未受杂质掺杂之未掺杂硅膜以嵌入物体的沟槽。在蚀刻制程中，蚀刻经由第一成膜制程形成之未掺杂硅膜。在掺杂制程中，以杂质掺杂经由蚀刻制程蚀刻之未掺杂硅膜。在第二成膜制程中，形成杂质掺杂硅膜以嵌入经由掺杂制程掺杂之硅膜。

7. 发明专利

TWI648771B 矽膜之形成方法與設備有权
简体标题：硅膜之形成方法与设备
公开(公告)号：TWI648771B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW101123577
申请日：2012-06-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/76

8. 发明专利

TW201802290A 矽膜之形成方法與形成裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：硅膜之形成方法与形成设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201802290A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106109625
申请日：2017-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C16/42 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/76882 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/52 , H01L21/32055 , H01L21/32135 , H01L21/76802 , H01L21/76879
摘要：本發明提供一種矽膜之形成方法，對於在表面具備形成有凹部之絕緣膜的被處理基板，於該凹部內形成矽膜，其包含以下步驟：(a)對被處理基板供給矽原料氣體而填埋該凹部，以將第1矽膜成膜；(b)接著，對該被處理基板供給含鹵素之蝕刻氣體，蝕刻該第1矽膜，使該被處理基板的表面及該凹部的內壁上部之該絕緣膜表面露出，使該第1矽膜留存於在該凹部內的底部；以及(c)接著，對蝕刻後的被處理基板供給矽原料氣體，在留存於該凹部內的底部之該第1矽膜上，使第2矽膜由下而上地生長。
简体摘要：本发明提供一种硅膜之形成方法，对于在表面具备形成有凹部之绝缘膜的被处理基板，于该凹部内形成硅膜，其包含以下步骤：(a)对被处理基板供给硅原料气体而填埋该凹部，以将第1硅膜成膜；(b)接着，对该被处理基板供给含卤素之蚀刻气体，蚀刻该第1硅膜，使该被处理基板的表面及该凹部的内壁上部之该绝缘膜表面露出，使该第1硅膜留存于在该凹部内的底部；以及(c)接着，对蚀刻后的被处理基板供给硅原料气体，在留存于该凹部内的底部之该第1硅膜上，使第2硅膜由下而上地生长。

9. 发明专利

TW201614757A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201614757A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104128550
申请日：2015-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/02 , C23C16/22 , C23C16/24 , C30B1/026 , C30B1/04 , C30B29/08 , C30B29/52 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L21/02669
摘要：一種矽或鍺或矽鍺膜之成膜方法，係在被處理體之被處理面上形成膜，其包含以下步驟：(1)收容步驟，將在前述被處理面上具有單晶質的前述被處理體收容於處理室內；(2)供給步驟，將抑制「成膜在前述被處理面上的單晶質之結晶化」的結晶化抑制處理氣體供給至前述處理室內；及(3)成膜步驟，將原料氣體供給至前述處理室內，在前述被處理體之被處理面上形成非晶質膜。
简体摘要：一种硅或锗或硅锗膜之成膜方法，系在被处理体之被处理面上形成膜，其包含以下步骤：(1)收容步骤，将在前述被处理面上具有单晶质的前述被处理体收容于处理室内；(2)供给步骤，将抑制“成膜在前述被处理面上的单晶质之结晶化”的结晶化抑制处理气体供给至前述处理室内；及(3)成膜步骤，将原料气体供给至前述处理室内，在前述被处理体之被处理面上形成非晶质膜。

10. 发明专利

TWI517215B 薄膜形成方法及膜形成設備有权
简体标题：薄膜形成方法及膜形成设备
公开(公告)号：TWI517215B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101135631
申请日：2012-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 遠藤篤史 , ENDO, ATSUSHI , 宮原孝廣 , MIYAHARA, TAKAHIRO , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 五十嵐一將 , IGARASHI, KAZUMASA
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109

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