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1. 发明专利

TW457119B 含氫排氣處理裝置失效
简体标题：含氢排气处理设备
公开(公告)号：TW457119B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW088100151
申请日：1999-06-11
申请人：日立製作所股份有限公司 , 富士金股份有限公司
发明人：田邊義和 , 皆見幸男 , 川田幸司 , 池田信一 , 森本明弘 , 平尾圭志
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/8671
摘要：本發明之課題係在於：將從半導體製造設施等排出的含氫排氣用小型的處理裝置製作成，即使含氫排氣量等大幅度地變動，也能夠經常安定且確實地處理，並且不會帶給半導體製造裝置側之運作不良的影響。
本發明之解決手段所採用之處理裝置係由：將含氫排氣之排出源連接於吸入口並且將氧氣供給源連接於驅動用流體供給口之噴射器型的真空發生器、及連接於真空發生器之驅動用流體排出口之具備有觸媒之氫與氧的反應爐、及連接於反應爐之出口而可積存來自反應爐的水之排洩槽所構成。
简体摘要：本发明之课题系在于：将从半导体制造设施等排出的含氢排气用小型的处理设备制作成，即使含氢排气量等大幅度地变动，也能够经常安定且确实地处理，并且不会带给半导体制造设备侧之运作不良的影响。本发明之解决手段所采用之处理设备系由：将含氢排气之排出源连接于吸入口并且将氧气供给源连接于驱动用流体供给口之喷射器型的真空发生器、及连接于真空发生器之驱动用流体排出口之具备有触媒之氢与氧的反应炉、及连接于反应炉之出口而可积存来自反应炉的水之排泄槽所构成。

2. 发明专利

TW430870B 半導體製造用水分之產生方法失效
简体标题：半导体制造用水分之产生方法
公开(公告)号：TW430870B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW087109410
申请日：1998-06-12
申请人：大見忠弘 , 富士金股份有限公司 , 日立製作所股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 皆見幸男 , 川田幸司 , 池田信一 , 森本明弘 , 田邊義和
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C01B5/00
摘要：本發明有關於主要係在半導體製造設備上所使用之水分產生用反應爐之運轉方法。
(課題)減少水分產生用反應爐之起動及停止時之產生水分內之未反應氫氣之量，以提高半導體製造裝置之安全性，同時使不會阻礙藉水分氧化法之矽氧化膜之被覆等。
(構成)對於其內部空間之壁面，備有白金被覆皮膜之反應爐本體內，供給氫氣及氧氣，藉由白金之催化作用而提高氫氣及氧氣之反應活性，同時以低於氫氣混合氣體之發火溫度之下令該提高反應之氫氣及氧氣瞬時的反應，使之沒有高溫燃燒之下產生水分之半導體製造用水分之產生方法中，在於水分產生之開始時，延遲於氧氣之供給地開始氫氣之供給者。選擇圖，第7圖。
简体摘要：本发明有关于主要系在半导体制造设备上所使用之水分产生用反应炉之运转方法。 (课题)减少水分产生用反应炉之起动及停止时之产生水分内之未反应氢气之量，以提高半导体制造设备之安全性，同时使不会阻碍藉水分氧化法之硅氧化膜之被覆等。 (构成)对于其内部空间之壁面，备有白金被覆皮膜之反应炉本体内，供给氢气及氧气，借由白金之催化作用而提高氢气及氧气之反应活性，同时以低于氢气混合气体之发火温度之下令该提高反应之氢气及氧气瞬时的反应，使之没有高温燃烧之下产生水分之半导体制造用水分之产生方法中，在于水分产生之开始时，延迟于氧气之供给地开始氢气之供给者。选择图，第7图。

3. 发明专利

TW577128B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW577128B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW090114046
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

4. 发明专利

TW559923B 半導體積體電路裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体集成电路设备及其制造方法
公开(公告)号：TW559923B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091101664
申请日：2002-01-31
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：山本直樹 , 田邊義和 , 小粥敬成 , 吉田武彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4941 , H01L21/28044 , H01L21/28061 , H01L21/28176 , H01L21/28211 , H01L21/28556 , H01L21/324 , H01L27/10814 , H01L27/10873 , H01L27/10894
摘要：本發明係提供一種半導體積體電路裝置之製造方法，係在多結晶矽膜與高熔點金屬之間介存有包含阻障層之3層構造所組成之多金屬(Polymetal)構造之閘極中，防止高熔點金屬與多結晶矽膜之界面接觸電阻的增加。在包含高濃度氮氣之環境中進行構成具有多金屬構造之閘極7A之阻障層之WNx膜24之成膜，藉以抑制在閘極7A加工後之熱處理步驟中，從WNx膜24中放出N(氮)者。
简体摘要：本发明系提供一种半导体集成电路设备之制造方法，系在多结晶硅膜与高熔点金属之间介存有包含阻障层之3层构造所组成之多金属(Polymetal)构造之闸极中，防止高熔点金属与多结晶硅膜之界面接触电阻的增加。在包含高浓度氮气之环境中进行构成具有多金属构造之闸极7A之阻障层之WNx膜24之成膜，借以抑制在闸极7A加工后之热处理步骤中，从WNx膜24中放出N(氮)者。

5. 发明专利

TW530352B 半導體積體電路裝置之製造方法及半導體積體電路裝置有权
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法及半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW530352B
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：TW091104331
申请日：2000-05-04
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：山本直樹 , 田邊義和
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28194 , H01L21/28079 , H01L21/28176 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/823828 , H01L21/823857 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要：本發明之課題在：於二氧化矽換算膜厚不滿5nm之極薄的閘絕緣膜上形成有金屬閘電極之MISFET中，不使金屬閘電極氧化而修復閘絕緣膜之缺陷。
本發明之解決方法係：在於單晶矽基板1主面上所形成之二氧化矽換算膜厚不滿5nm之閘絕緣膜9A上，形成閘電極材料之W膜11A後，在將水分/氫分壓比設定為將W膜11A實質上不予以氧化而將矽予以氧化之比例之水分+氫混合氣體環境中，將矽基板1予以進行熱處理，藉以修復W膜11A正下方之閘絕緣膜9A之缺陷。
简体摘要：本发明之课题在：于二氧化硅换算膜厚不满5nm之极薄的闸绝缘膜上形成有金属闸电极之MISFET中，不使金属闸电极氧化而修复闸绝缘膜之缺陷。本发明之解决方法系：在於单晶硅基板1主面上所形成之二氧化硅换算膜厚不满5nm之闸绝缘膜9A上，形成闸电极材料之W膜11A后，在将水分/氢分压比设置为将W膜11A实质上不予以氧化而将硅予以氧化之比例之水分+氢混合气体环境中，将硅基板1予以进行热处理，借以修复W膜11A正下方之闸绝缘膜9A之缺陷。

6. 发明专利

TW440964B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW440964B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW087106639
申请日：1998-04-29
申请人：日立製作所股份有限公司 , 日立東京電子股份有限公司
发明人：田邊義和 , 長壽明 , 夏秋信義 , 中塚康彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4412 , B01D53/8671 , B01D2257/108 , C30B25/14 , H01L27/10894 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要：在使用氫氣的半導體晶圓之氣相處理製程中，為提供能夠將氣相處理裝置所排出的氣體中之氫氣安全地除去之技術，而設計如下製程：在形成閘極氧化膜的半導體晶圓1A上形成多金屬層構造之閘極電極後，將包含有低濃度之因觸媒作用由氫氣與氧氣所生成的水之氫氣供給於半導體晶圓1A，而選擇性地氧化其主面，藉此改善前述閘極電極之側壁端部的輪廓。然後，藉由觸媒使得由反應爐排出之氣體中之氫氣與氧氣起反應而完全轉換成水。
简体摘要：在使用氢气的半导体晶圆之气相处理制程中，为提供能够将气相处理设备所排出的气体中之氢气安全地除去之技术，而设计如下制程：在形成闸极氧化膜的半导体晶圆1A上形成多金属层构造之闸极电极后，将包含有低浓度之因触媒作用由氢气与氧气所生成的水之氢气供给于半导体晶圆1A，而选择性地氧化其主面，借此改善前述闸极电极之侧壁端部的轮廓。然后，借由触媒使得由反应炉排出之气体中之氢气与氧气起反应而完全转换成水。

7. 发明专利

TW494493B 半導體積體電路裝置之製造方法及半導體積體電路裝置失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法及半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW494493B
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：TW088107247
申请日：1999-05-04
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：田邊義和 , 山本直樹 , 三谷真一郎 , 花岡裕子
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28247 , H01L21/28044 , H01L21/28061 , H01L21/32105 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L27/1214 , H01L29/4941 , H01L29/4983
摘要：一種半導體積體電路裝置之製造方法，特徵在於包含以下工序：(a)在含有半導體晶圓主面之矽表面上所成形氧化矽膜之柵極絕緣膜上形成多晶矽膜之工序；(b)在前述多晶矽膜上直接或由阻擋層居間形成以鎢為主要成份之高熔點金屬膜之工序；(c)藉由使前述多晶矽膜及前述高熔點金屬膜形成圖形以形成柵極之工序；以及(d)在前述工序(c)之後，於含有氫氣及水蒸氣之混合氣體環境下，對前述柵極端部對應部份之前述矽表面及摻雜硼之前述多晶矽膜進行熱氧化處理之工序。
简体摘要：一种半导体集成电路设备之制造方法，特征在于包含以下工序：(a)在含有半导体晶圆主面之硅表面上所成形氧化硅膜之栅极绝缘膜上形成多晶硅膜之工序；(b)在前述多晶硅膜上直接或由阻挡层居间形成以钨为主要成份之高熔点金属膜之工序；(c)借由使前述多晶硅膜及前述高熔点金属膜形成图形以形成栅极之工序；以及(d)在前述工序(c)之后，于含有氢气及水蒸气之混合气体环境下，对前述栅极端部对应部份之前述硅表面及掺杂硼之前述多晶硅膜进行热氧化处理之工序。

8. 发明专利

TW471068B 具有絕緣膜之半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：具有绝缘膜之半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW471068B
公开(公告)日：2002-01-01
申请号：TW089119829
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以了確保形成氧化膿的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以了确保形成氧化脓的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

9. 发明专利

TW462093B 具有極薄之絕緣膜之半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：具有极薄之绝缘膜之半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW462093B
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：TW087102898
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

10. 发明专利

TW577129B 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW577129B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW090114047
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5 nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。

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