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1. 发明专利

TWI664754B 接合體以及彈性波元件有权
简体标题：接合体以及弹性波组件
公开(公告)号：TWI664754B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106105858
申请日：2017-02-22
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：多井知義 , TAI, TOMOYOSHI , 後藤万佐司 , GOTO, MASASHI , 鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 金子真也 , KANEKO, SHINYA
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313

2. 发明专利

TW202027414A 接合體及彈性波元件审中-公开
简体标题：接合体及弹性波组件
公开(公告)号：TW202027414A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108134155
申请日：2019-09-23
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 後藤萬佐司 , GOTO, MASASHI , 多井知義 , TAI, TOMOYOSHI
IPC分类号： H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/25 , H03H9/64 , H01L41/22 , H01L41/18 , H05H3/02 , G21K1/00
摘要：本發明提供一種接合體及彈性波元件，經由由氧比率低之矽氧化物構成的接合層，將壓電性材料基板牢固而穩定地接合至由金屬氧化物構成的支持基板上。接合體5、5A，具備：支持基板1，由金屬氧化物構成；壓電性材料基板4、4A；接合層2B，設置於支持基板與壓電性材料基板之間，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）的組成；以及非晶質層10，設置於接合層與支持基板之間。非晶質層10之氧比率，較支持基板1之氧比率更高。
简体摘要：本发明提供一种接合体及弹性波组件，经由由氧比率低之硅氧化物构成的接合层，将压电性材料基板牢固而稳定地接合至由金属氧化物构成的支持基板上。接合体5、5A，具备：支持基板1，由金属氧化物构成；压电性材料基板4、4A；接合层2B，设置于支持基板与压电性材料基板之间，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）的组成；以及非晶质层10，设置于接合层与支持基板之间。非晶质层10之氧比率，较支持基板1之氧比率更高。

3. 发明专利

TW201840128A 接合體及彈性波元件审中-公开
简体标题：接合体及弹性波组件
公开(公告)号：TW201840128A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109932
申请日：2018-03-23
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：後藤萬佐司 , GOTO, MASASHI , 鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 淺井圭一郎 , ASAI, KEIICHIRO , 多井知義 , TAI, TOMOYOSHI
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/25 , H01L41/18 , H01L41/22
摘要：依本發明之接合體具有：支持基板，由多晶陶瓷材料或單晶材料形成；壓電性單晶基板；及接合層，設置在支持基板與壓電性單晶基板之間。本發明旨在於此接合體中，提高接合層之絕緣性且提高支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。為達前述目的，接合體5具有：支持基板1、壓電性單晶基板4、及設置在支持基板1與壓電性單晶基板4間之接合層2A。接合層2A具有Si(1-x)Ox(0.008≦x≦0.408)之組成。
简体摘要：依本发明之接合体具有：支持基板，由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；压电性单晶基板；及接合层，设置在支持基板与压电性单晶基板之间。本发明旨在于此接合体中，提高接合层之绝缘性且提高支持基板与压电性单晶基板之接合强度。为达前述目的，接合体5具有：支持基板1、压电性单晶基板4、及设置在支持基板1与压电性单晶基板4间之接合层2A。接合层2A具有Si(1-x)Ox(0.008≦x≦0.408)之组成。

4. 发明专利

TW202015334A 接合體及彈性波元件审中-公开
简体标题：接合体及弹性波组件
公开(公告)号：TW202015334A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108116354
申请日：2019-05-13
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 後藤萬佐司 , GOTO, MASASHI , 多井知義 , TAI, TOMOYOSHI
IPC分类号： H03H9/25
摘要：發明提供一種接合體及彈性波元件，在將由單晶矽構成的支持基板對壓電性單晶基板接合之接合體中，使用高電阻接合層，並改善支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。接合體5、5A，具備：壓電性單晶基板4、4A；支持基板1，由單晶矽構成；接合層2A，設置於支持基板1與壓電性單晶基板4、4A之間，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）之組成；以及非晶質層8，設置於支持基板1與接合層2A之間，含有矽原子、氧原子及氬原子。非晶質層8的接合層2A側端部之氧原子的濃度，較接合層2A內之氧原子的平均濃度更高。
简体摘要：发明提供一种接合体及弹性波组件，在将由单晶硅构成的支持基板对压电性单晶基板接合之接合体中，使用高电阻接合层，并改善支持基板与压电性单晶基板之接合强度。接合体5、5A，具备：压电性单晶基板4、4A；支持基板1，由单晶硅构成；接合层2A，设置于支持基板1与压电性单晶基板4、4A之间，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）之组成；以及非晶质层8，设置于支持基板1与接合层2A之间，含有硅原子、氧原子及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部之氧原子的浓度，较接合层2A内之氧原子的平均浓度更高。

5. 发明专利

TWI668958B 接合體及彈性波元件有权
简体标题：接合体及弹性波组件
公开(公告)号：TWI668958B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107109932
申请日：2018-03-23
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：後藤萬佐司 , GOTO, MASASHI , 鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 淺井圭一郎 , ASAI, KEIICHIRO , 多井知義 , TAI, TOMOYOSHI
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/25 , H01L41/18 , H01L41/22

6. 发明专利

TW201743481A 接合體以及彈性波元件审中-公开
简体标题：接合体以及弹性波组件
公开(公告)号：TW201743481A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106105858
申请日：2017-02-22
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：多井知義 , TAI, TOMOYOSHI , 後藤万佐司 , GOTO, MASASHI , 鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 金子真也 , KANEKO, SHINYA
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313
CPC分类号： H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313 , H01L41/337 , H03H3/08 , H03H9/25
摘要：在由陶瓷所構成支撐基板上設置接合層，並將接合層與壓電性單晶基板進行接合之際，提升壓電性單晶基板與接合層間之接合強度，且防止接合層與支撐基板間發生剝離。接合體8係設有由陶瓷所構成支撐基板1、以及在支撐基板1的表面1a上設置之接合層3A；包括有：由從高鋁紅柱石、氧化鋁、五氧化鉭、氧化鈦及五氧化鈮所構成群組中選擇一種以上材質構成的接合層3A、以及接合於接合層3A的壓電性單晶基板6A。支撐基板1的表面1a之算術平均粗糙度Ra係0.5nm以上且5.0nm以下。
简体摘要：在由陶瓷所构成支撑基板上设置接合层，并将接合层与压电性单晶基板进行接合之际，提升压电性单晶基板与接合层间之接合强度，且防止接合层与支撑基板间发生剥离。接合体8系设有由陶瓷所构成支撑基板1、以及在支撑基板1的表面1a上设置之接合层3A；包括有：由从高铝红柱石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛及五氧化铌所构成群组中选择一种以上材质构成的接合层3A、以及接合于接合层3A的压电性单晶基板6A。支撑基板1的表面1a之算术平均粗糙度Ra系0.5nm以上且5.0nm以下。

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