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1. 发明专利

TW201038583A 用於含鋯薄膜之原子層沉積的鋯前驅物 ZIRCONIUM PRECURSORS USEFUL IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZIRCONIUM-CONTAINING FILMS 审中-公开
简体标题：用于含锆薄膜之原子层沉积的锆前驱物 ZIRCONIUM PRECURSORS USEFUL IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZIRCONIUM-CONTAINING FILMS
公开(公告)号：TW201038583A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW098144554
申请日：2009-12-23
申请人：尖端科技材料股份有限公司
发明人：蘇中因 , 卡麥容湯瑪仕M , 漢迪克斯布萊恩C , 葛瑞格約翰N
IPC分类号： C07F , H01L
CPC分类号： H01B3/10 , C07C211/65 , C23C16/405 , C23C16/45553
摘要：本發明係關於下式之鋯前驅物

該等前驅物在室溫下為液體,且可在諸如ALD之氣相沉積製程中使用以在微電子裝置基板上形成含鋯膜,例如高k介電膜。在該等氣相沉積製程中,該等鋯前驅物可藉由熱穩定胺添加劑來穩定化。
简体摘要：本发明系关于下式之锆前驱物该等前驱物在室温下为液体,且可在诸如ALD之气相沉积制程中使用以在微电子设备基板上形成含锆膜,例如高k介电膜。在该等气相沉积制程中,该等锆前驱物可借由热稳定胺添加剂来稳定化。

2. 发明专利

TWI491759B 利用輔助性金屬物種以沉積釕的方法與組成物有权
简体标题：利用辅助性金属物种以沉积钌的方法与组成物
公开(公告)号：TWI491759B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW099107821
申请日：2010-03-17
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：盧伯古班二世喬治A , LUBGUBAN, JR., JORGE A. , 卡麥容湯瑪仕M , CAMERON, THOMAS M. , 蘇中因 , XU, CHONGYING , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/458 , C07F17/02 , C07F19/00
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/18 , C23C16/45534 , H01L28/65

3. 发明专利

TW201402587A 用於矽基薄膜的低溫ＡＬＤ之矽前驅物审中-公开
简体标题：用于硅基薄膜的低温ＡＬＤ之硅前驱物
公开(公告)号：TW201402587A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102118524
申请日：2013-05-24
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：卡麥容湯瑪仕M , CAMERON, THOMAS M. , 迪莫蘇珊V , DIMEO, SUSAN V. , 漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 李衛民 , LI, WEIMIN
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/28229 , C07F7/10 , C09D5/24 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/44 , C23C16/45525 , H01L28/40 , H01L29/516
摘要：描述了一種矽前驅物組合物，包括選自以下化合物的矽烯(silylene)化合物：下式的矽烯化合物：其中每個R和R1係獨立選自有機取代基；脒基矽烯；以及雙(脒基)矽烯。該矽烯化合物可用於在微電子元件產品的製造中藉由諸如CVD、脈衝CVD、ALD以及脈衝電漿製程等氣相沉積製程形成高品質、保形的SiO2、Si3N4、SiC以及摻雜的矽酸鹽含矽膜。在一個實施方式中，這樣的矽前驅物可以在氧化劑存在下藉由在孔隙中低溫沉積氧化矽而用於密封包含多孔氧化矽的基板中的孔隙，該低溫沉積之溫度例如在50℃至200℃範圍中的溫度。
简体摘要：描述了一种硅前驱物组合物，包括选自以下化合物的硅烯(silylene)化合物：下式的硅烯化合物：其中每个R和R1系独立选自有机取代基；脒基硅烯；以及双(脒基)硅烯。该硅烯化合物可用于在微电子组件产品的制造中借由诸如CVD、脉冲CVD、ALD以及脉冲等离子制程等气相沉积制程形成高品质、保形的SiO2、Si3N4、SiC以及掺杂的硅酸盐含硅膜。在一个实施方式中，这样的硅前驱物可以在氧化剂存在下借由在孔隙中低温沉积氧化硅而用于密封包含多孔氧化硅的基板中的孔隙，该低温沉积之温度例如在50℃至200℃范围中的温度。

4. 发明专利

TW201042681A 摻雜ＺｒＯ２之電容器材料及結構 DOPED ZrO2 CAPACITOR MATERIALS AND STRUCTURES 审中-公开
简体标题：掺杂ＺｒＯ２之电容器材料及结构 DOPED ZrO2 CAPACITOR MATERIALS AND STRUCTURES
公开(公告)号：TW201042681A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099112063
申请日：2010-04-16
申请人：尖端科技材料股份有限公司
发明人：羅伊德傑佛里F , 漢迪克斯布萊恩C , 比洛德歐史帝芬M , 史道夫葛列格里T , 陳天牛 , 卡麥容湯瑪仕M , 蘇中因
IPC分类号： H01G , C23C , H01L
CPC分类号： H01G4/1209 , C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/1254 , H01G4/20 , H01L21/02194 , H01L21/02271 , H01L21/3142 , H01L28/40 , Y10T428/12493 , Y10T428/12674 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/1284
摘要：一種複合介電材料，其包含一種前期過渡金屬或前期過渡金屬氧化物之基底材料以及一種摻雜、共沉積、合金化或層疊用的第二材料，該第二材料選自於鈮(Nb)、鍺(Ge)、鉭(Ta)、鑭(La)、釔(Y)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈣(Ca)、鎂(Mg)及該些金屬之氧化物及氧化鋁之群組中，以做為摻雜或合金化之第二材料。可利用氣相沉積製程，例如原子層沉積(ALD)，並使用適合的前驅物來形成此複合介電材料，以形成微電子裝置，例如鐵電高介電常數電容器、閘極結構、DRAMs，及其他諸如此類者。
简体摘要：一种复合介电材料，其包含一种前期过渡金属或前期过渡金属氧化物之基底材料以及一种掺杂、共沉积、合金化或层叠用的第二材料，该第二材料选自于铌(Nb)、锗(Ge)、钽(Ta)、镧(La)、钇(Y)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、锶(Sr)、钡(Ba)、钙(Ca)、镁(Mg)及该些金属之氧化物及氧化铝之群组中，以做为掺杂或合金化之第二材料。可利用气相沉积制程，例如原子层沉积(ALD)，并使用适合的前驱物来形成此复合介电材料，以形成微电子设备，例如铁电高介电常数电容器、闸极结构、DRAMs，及其他诸如此类者。

5. 发明专利

TW201042071A 利用輔助性金屬物種以沉積釕的方法與組成物 METHOD AND COMPOSITION FOR DEPOSITING RUTHENIUM WITH ASSISTIVE METAL SPECIES 审中-公开
简体标题：利用辅助性金属物种以沉积钌的方法与组成物 METHOD AND COMPOSITION FOR DEPOSITING RUTHENIUM WITH ASSISTIVE METAL SPECIES
公开(公告)号：TW201042071A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099107821
申请日：2010-03-17
申请人：尖端科技材料股份有限公司
发明人：盧伯古班二世喬治A , 卡麥容湯瑪仕M , 蘇中因 , 李衛民
IPC分类号： C23C , C07F
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/18 , C23C16/45534 , H01L28/65
摘要：一種於氣相沉積製程中形成含釕薄膜之方法，其步驟包含沉積釕與一輔助性金屬物種，相較於不含此輔助性金屬物種之釕的沉積，該輔助性金屬物種增加釕成核之速率及程度。有助於進行此方法之說明用前驅物組成物包括釕前驅物及鍶前驅物於溶劑介質中，其中釕及鍶前驅物之一者包括一與另一前驅物之中心金屬原子配位之懸架官能基，以便釕及鍶相互共沉積。該方法使得釕沉積於非金屬基板上之潛伏時間非常短暫，因此在例如原子層沉積之方法中提供非常快速之薄膜形成。
简体摘要：一种于气相沉积制程中形成含钌薄膜之方法，其步骤包含沉积钌与一辅助性金属物种，相较于不含此辅助性金属物种之钌的沉积，该辅助性金属物种增加钌成核之速率及程度。有助于进行此方法之说明用前驱物组成物包括钌前驱物及锶前驱物于溶剂介质中，其中钌及锶前驱物之一者包括一与另一前驱物之中心金属原子配位之悬架官能基，以便钌及锶相互共沉积。该方法使得钌沉积于非金属基板上之潜伏时间非常短暂，因此在例如原子层沉积之方法中提供非常快速之薄膜形成。

6. 发明专利

TW201524988A 具有用於ＴｉＯ原子層沉積的臭氧活化配位基之環戊二烯鈦醇鹽审中-公开
简体标题：具有用于ＴｉＯ原子层沉积的臭氧活化配位基之环戊二烯钛醇盐
公开(公告)号：TW201524988A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103144361
申请日：2014-12-18
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：卡麥容湯瑪仕M , CAMERON, THOMAS M. , 杭克斯威廉 , HUNKS, WILLIAM
IPC分类号： C07F7/28 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/45553 , C01G23/07 , C07F7/28 , C07F17/00 , C23C16/405 , H01L21/02186 , H01L21/02208 , H01L21/02271
摘要：一種有機鈦化合物，選自由下列所組成的群組：(i)具式(I)的一有機鈦化合物：其中：R0、R1和R2彼此為相同或不同且個別選自含烯烴或炔基不飽和有機取代基；及R3、R4、R5、R6和R7彼此為相同或不同且個別選自H、C1-C12烷基和含烯烴或炔基不飽和有機取代基；(ii)包括至少一三(烷基氨基烷基)胺配位基與至少一二烷基胺配位基的一有機鈦化合物，其中烷基係C1-C6烷基；及(iii)包括一環戊二烯配位基與除環戊二烯外的一環二烯或三烯配位基的一有機鈦化合物。此類有機鈦化合物通常用於氣相沉積製程來沉積鈦至基板上，以如製造微電子裝置和微電子裝置前驅結構。
简体摘要：一种有机钛化合物，选自由下列所组成的群组：(i)具式(I)的一有机钛化合物：其中：R0、R1和R2彼此为相同或不同且个别选自含烯烃或炔基不饱和有机取代基；及R3、R4、R5、R6和R7彼此为相同或不同且个别选自H、C1-C12烷基和含烯烃或炔基不饱和有机取代基；(ii)包括至少一三(烷基氨基烷基)胺配位基与至少一二烷基胺配位基的一有机钛化合物，其中烷基系C1-C6烷基；及(iii)包括一环戊二烯配位基与除环戊二烯外的一环二烯或三烯配位基的一有机钛化合物。此类有机钛化合物通常用于气相沉积制程来沉积钛至基板上，以如制造微电子设备和微电子设备前驱结构。

7. 发明专利

TW201004966A 做為用以形成含金屬薄膜之化學氣相沈積及原子層沈積前驅物的第四族元素的複合物 GROUP IV COMPLEXES AS CVD AND ALD PRECURSORS FOR FORMING METAL-CONTAINING THIN FILMS 审中-公开
简体标题：做为用以形成含金属薄膜之化学气相沉积及原子层沉积前驱物的第四族元素的复合物 GROUP IV COMPLEXES AS CVD AND ALD PRECURSORS FOR FORMING METAL-CONTAINING THIN FILMS
公开(公告)号：TW201004966A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW097127194
申请日：2008-07-17
申请人：尖端科技材料股份有限公司
发明人：卡麥容湯瑪仕M , 蘇宗義
IPC分类号： C07F , C07C , C23C
摘要：一種金屬前驅物，其係選自：（i）具有化學式(NR 1 R 2 )4-xM(螯合物)x的前驅物及（ii）具有化學式(NR 10 R 11 )4-2yM( 12 RN(CH2)zNR 13 )y之前驅物，其中x＝1、2、3或4；M＝Ti、Zr或Hf；每個螯合物為獨立選自具特定化學式的胍基配位子、脒基配位子和異脲基配位子；y為0、1或2；R 1 、R 2 、R 10 、R 11 、R 12 及R 13 各自獨立選自於氫、C1-C12烷基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷氧基、C3-C10環烷基、C2-C12烯基、C7-C12芳烷基、C7-C12烷基芳基、C6-C12芳基、C5-C12雜芳基、C1-C10過氟烷基、及選自矽基、烷基矽基、過氟烷基矽基、三芳基矽基及烷矽基矽基所組成組群的含矽基、胺基烷基、烷氧基烷基、芳氧基烷基、亞胺烷基、乙醯烷基，及在該前驅物的二個不同氮原子之間的N-鍵結官能基可包含C1-C4伸烷基、亞矽烷基(-SiH2-)或C1-C4二烷基亞矽烷基。此前驅物在微電子元件及結構的製造上可用於在基材上形成含鈦、鋯及/或鉿膜。
简体摘要：一种金属前驱物，其系选自：（i）具有化学式(NR 1 R 2 )4-xM(螯合物)x的前驱物及（ii）具有化学式(NR 10 R 11 )4-2yM( 12 RN(CH2)zNR 13 )y之前驱物，其中x＝1、2、3或4；M＝Ti、Zr或Hf；每个螯合物为独立选自具特定化学式的胍基配位子、脒基配位子和异脲基配位子；y为0、1或2；R 1 、R 2 、R 10 、R 11 、R 12 及R 13 各自独立选自于氢、C1-C12烷基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷氧基、C3-C10环烷基、C2-C12烯基、C7-C12芳烷基、C7-C12烷基芳基、C6-C12芳基、C5-C12杂芳基、C1-C10过氟烷基、及选自硅基、烷基硅基、过氟烷基硅基、三芳基硅基及烷硅基硅基所组成组群的含硅基、胺基烷基、烷氧基烷基、芳氧基烷基、亚胺烷基、乙酰烷基，及在该前驱物的二个不同氮原子之间的N-键结官能基可包含C1-C4伸烷基、亚硅烷基(-SiH2-)或C1-C4二烷基亚硅烷基。此前驱物在微电子组件及结构的制造上可用于在基材上形成含钛、锆及/或铪膜。

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