发明专利
TW201038583A 用於含鋯薄膜之原子層沉積的鋯前驅物 ZIRCONIUM PRECURSORS USEFUL IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZIRCONIUM-CONTAINING FILMS
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 用於含鋯薄膜之原子層沉積的鋯前驅物 ZIRCONIUM PRECURSORS USEFUL IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZIRCONIUM-CONTAINING FILMS
- 专利标题（英）：Zirconium precursors useful in atomic layer deposition of zirconium-containing films
- 专利标题（中）：用于含锆薄膜之原子层沉积的锆前驱物 ZIRCONIUM PRECURSORS USEFUL IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZIRCONIUM-CONTAINING FILMS
- 申请号：TW098144554 申请日：2009-12-23
- 公开(公告)号：TW201038583A 公开(公告)日：2010-11-01
- 发明人： 蘇中因 , 卡麥容湯瑪仕M , 漢迪克斯布萊恩C , 葛瑞格約翰N
- 申请人： 尖端科技材料股份有限公司
- 申请人地址： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. 美國 US
- 专利权人： 尖端科技材料股份有限公司
- 当前专利权人： 尖端科技材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. 美國 US
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 美國 61/172,238 20090424 美國 61/257,816 20091103 美國 61/266,878 20091204
- 主分类号： C07F
- IPC分类号： C07F ; H01L
摘要：
本發明係關於下式之鋯前驅物
該等前驅物在室溫下為液體,且可在諸如ALD之氣相沉積製程中使用以在微電子裝置基板上形成含鋯膜,例如高k介電膜。在該等氣相沉積製程中,該等鋯前驅物可藉由熱穩定胺添加劑來穩定化。
摘要（中）：
該等前驅物在室溫下為液體,且可在諸如ALD之氣相沉積製程中使用以在微電子裝置基板上形成含鋯膜,例如高k介電膜。在該等氣相沉積製程中,該等鋯前驅物可藉由熱穩定胺添加劑來穩定化。
本发明系关于下式之锆前驱物
该等前驱物在室温下为液体,且可在诸如ALD之气相沉积制程中使用以在微电子设备基板上形成含锆膜,例如高k介电膜。在该等气相沉积制程中,该等锆前驱物可借由热稳定胺添加剂来稳定化。
摘要（英）：
Zirconium precursors of the formulae Such precursors are liquids at room temperature, and can be employed in vapor deposition processes such as ALD to form zirconium-containing films, e.g., high k dielectric films on microelectronic device substrates. The zirconium precursors can be stabilized in such vapor deposition processes by thermal stabilization amine additives.