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1. 发明授权

KR102363095B1 개선된 공통 모드 과도현상 제거를 가진 갈바닉 절연 데이터 아이솔레이터 有权
公开(公告)号：KR102363095B1
公开(公告)日：2022-02-16
申请号：KR1020197002255
申请日：2017-08-01
IPC分类号： H03K5/1252 , H03K17/56 , H04L25/02
摘要： 공통모드간섭에대해개선된내성을가진변압기기반디지털아이솔레이터가제공된다. 개선된내성은 H-브리지구동회로에관련하여변압기를위치시키며, 변압기에서공통모드전압을제어하도록트랜지스터들의온 상태저항에맞추기위해부가적인노력을취함으로써제공된다.

2. 发明授权

KR102118349B1 게이트 구동 회로, 스위치 장치 및 이를 갖는 전원 공급 장치 有权
公开(公告)号：KR102118349B1
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：KR1020130131617
申请日：2013-10-31
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 차상현 , 박득희 , 이연중 , 최중호 , 유제현 , 류현선 , 이창석
IPC分类号： H03K17/56 , H02M1/08

3. 发明公开

KR1020170031085A 동적 타이밍 기능을 지니는 다단 게이트 턴오프 审中-实审
标题翻译：采用动态计时的多级门关闭
公开(公告)号：KR1020170031085A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020167029690
申请日：2015-07-09
申请人： 파워 인티그레이션즈 스위츨런드 게엠베하
发明人： 탈하임얀
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/16 , H03K17/56 , H02H3/08
CPC分类号： H03K17/56 , H02H3/08 , H03K17/0828 , H03K17/163 , H03K17/168
摘要： 전력반도체스위치(304)를턴오프하는회로(342, 346)는상기전력반도체스위치를턴오프하기위한신호를상기전력반도체스위치의제어단자상으로스위칭하도록연결된턴오프트랜지스터(364) 및턴오프시상기전력반도체스위치의제어단자상에걸린전압(U)을제어하기위한피드백제어루프를포함한다. 상기피드백루프는상기전력반도체스위치의제어단자의전압의측정을피드백하도록하는피드백경로, 시간종속기준전압(U)을생성하도록하는제어단자기준전압생성기, 상기시간종속기준전압및 상기제어단자의전압간의차분을나타내는오차신호를생성하도록하는오차증폭기, 및상기전력반도체스위치를턴오프하기위한신호를상기전력반도체스위치의제어단자상으로스위칭하는것을상기턴오프트랜지스터에의해제어하기위한오차신호포워드를전달하도록하는포워드경로를포함한다.
摘要翻译：一种功率半导体开关304 reulteon成关断电路（342，346）是功率半导体开关以关闭连接到在功率半导体开关的控制端关闭切换到关闭mitteon丘脑EMF半导体的晶体管364个的信号还有一个反馈控制回路，用于控制开关控制端上的电压U。所述控制端的参考电压发生器，所述时间相关的参考电压和用于产生一个反馈路径中的控制终端的反馈环路电压，依赖于时间的参考电压（U）被反馈到功率半导体开关的控制端子的电压的所述测量误差放大器之间，以产生表示差值的误差信号，误差信号被转发到由所述关断晶体管的控制切换信号，以将功率半导体开关关闭到功率半导体开关的控制端转发路径。

4. 发明授权

KR101704609B1 플로팅 레일들을 갖는 스위칭 전력 스테이지들을 포함하는 차지-리사이클링 회로들 有权
标题翻译： - 充电回收电路，包括带浮动电源的开关电源
公开(公告)号：KR101704609B1
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020167029485
申请日：2015-04-23
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 사아다트,세예드모흐모우드레자 , 쉬,춘레이 , 창,청창
IPC分类号： H03K17/56 , H03K17/687 , H03K3/012
CPC分类号： H03K3/012 , H03K17/56 , H03K17/6874 , H03K2217/0036 , H03K2217/0081
摘要： 제 1 스위칭트랜지스터(106) 및제 2 스위칭트랜지스터(108)를포함하는회로가개시된다. 제 1 스위칭트랜지스터및 제 2 스위칭트랜지스터는, 입력전압(V)과접지사이에서직렬로커플링되고그리고스위칭출력을제공하기위한그들사이의공통노드(스위치노드)를갖는다. 제 1 스위칭회로(120)는, 제 1 스위칭트랜지스터의게이트(G)를입력전압및 제 1 중간-레벨전압서플라이(V)에선택적으로커플링시킨다. 제 2 스위칭회로(118)는, 제 2 스위칭트랜지스터의게이트(G)를제 2 중간-레벨전압서플라이(V) 및접지에선택적으로커플링시킨다. 그에의해, 차지-리사이클링회로는, 제 1 중간-레벨전압서플라이와제 2 중간-레벨전압서플라이사이에서차지를선택적으로리사이클링하기위해, 제 1 스위칭트랜지스터의게이트, 제 2 스위칭트랜지스터의게이트, 제 1 중간-레벨전압서플라이, 및제 2 중간-레벨전압서플라이에연결된다.
摘要翻译：在一个实施例中，电路包括第一开关晶体管和第二开关晶体管。第一开关晶体管和第二开关晶体管串联耦合在输入电压和地之间并且在它们之间具有公共节点以提供开关输出。第一开关电路将第一开关晶体管的栅极选择性地耦合到输入电压和第一中间电平电压。第二开关电路将第二开关晶体管的栅极选择性地耦合到第二中间电平电压源并接地。电荷再循环电路耦合到第一开关晶体管的栅极，第二开关晶体管的栅极，第一中间电平电压和第二中间电平电压，以选择性地在第一中间电平电压供应和第二中间电压供应。

5. 发明授权

KR101438236B1 입력 신호의 전송을 위한 상단 레벨쉬프터를 구비한 구동회로 有权
标题翻译：带有输入信号传输的顶级变速器的驱动电路
公开(公告)号：KR101438236B1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020080011632
申请日：2008-02-05
申请人： 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
发明人： 덕터레인하드헤르저 , 마트히아스롭베르그 , 바스티안보그러
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K17/56 , H02M7/5387
CPC分类号： H03K17/08122 , H03K17/666 , H03K19/018521
摘要： 본 발명은 직렬로 연결된 제1(상단) 및 제2(하단) 스위치라고 불리는 2개의 전력 스위치에 의해 형성되는 반브리지 회로를 구비한 전력전자 시스템에서의 구동회로에 관한 것이다. 상기 구동회로는 구동로직으로부터 상단 드라이버에 입력신호를 전송하기 위한 상단 레벨쉬프터를 구비한다. 이 경우, 상단 레벨쉬프터는 하향 신호 평가 회로와 업 및 다운 레벨쉬프터 경로를 배열하여 구성된다. 이와 관련된 방법으로서 입력신호의 전송 방법에서는, 업 레벨쉬프터 경로와 다운 레벨쉬프터 경로 중 하나 또는 양쪽 모두가 신호 평가 회로의 관련 입력단에 신호를 출력하면 신호 평가 회로는 상단 드라이버에 출력 신호를 전달한다.
구동회로, 구동로직, 레벨쉬프터 경로, 신호 평가 회로, 펄스 생성 회로

6. 发明授权

KR101284735B1 외부 커패시터를 이용한 대기압 플라즈마 발생장치 有权
标题翻译：使用外部镇流电容器产生大气等离子体的装置
公开(公告)号：KR101284735B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020110098290
申请日：2011-09-28
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 이호준 , 이해준 , 김동현 , 하창승 , 손지한
IPC分类号： H05H1/46 , H03K17/56
摘要： 본 발명은 가스가 공급되는 플라즈마 발생부의 음극은 접지시키고 양극은 가변 가능한 외부 커패시터와 연결하여 방전 에너지를 외부 커패시터로부터 공급받아서 플라즈마를 발생시키는 외부 커패시터를 이용한 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 전원 공급부;상기 전원 공급부의 전원을 이용하여 플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생부;상기 전원 공급부와 플라즈마 발생부 사이에 직렬 연결되어 플라즈마 발생 동작시의 전원 공급을 제어하는 제 1,2 스위칭 소자;상기 제 1,2 스위칭 소자의 사이의 접점에 병렬 연결되어 충전 및 방전을 하고 상기 제 1,2 스위칭 소자의 제어에 의해 방전 에너지를 플라즈마 발생부로 공급하는 가변 커패시터;를 포함한다.

7. 发明公开

KR1020080074778A 입력 신호의 전송을 위한 상단 레벨쉬프터를 구비한 구동회로 有权
标题翻译：用于传输输入信号和相关方法的顶级变速器的驱动电路
公开(公告)号：KR1020080074778A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020080011632
申请日：2008-02-05
申请人： 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지
发明人： 덕터레인하드헤르저 , 마트히아스롭베르그 , 바스티안보그러
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K17/56 , H02M7/5387
CPC分类号： H03K17/08122 , H03K17/666 , H03K19/018521
摘要： A drive circuit having a top level shifter for transmitting an input signal and a method related to the same are provided to reliably transmit an input signal to a driver for a top switch as an output signal at an electric potential state between a secondary side reference voltage to ground and a primary side reference voltage to ground. A drive circuit having a top level shifter for transmitting an input signal includes a top level shifter(80) for transmitting an input signal to a top driver(40) from a driving logic(20). The top level shifter includes a pulse generation circuit(82), an up-level shifter path(84), a down-level shifter path(86), and a downward signal evaluation circuit(88). In the top level shifter, the up-level shifter path is substantially complemented with the up-level shifter.
摘要翻译：提供具有用于发送输入信号的顶层移位器和与其相关的方法的驱动电路，以将输入信号可靠地发送到用于顶部开关的驱动器作为次级侧基准电压之间的电位状态的输出信号接地和初级侧参考电压接地。具有用于发送输入信号的顶层移位器的驱动电路包括用于从驱动逻辑（20）将输入信号发送到顶部驱动器（40）的顶层移位器（80）。顶层移位器包括脉冲发生电路（82），上电平移位器路径（84），下电平移位器路径（86）和下行信号评估电路（88）。在顶层移位器中，上电平移位器路径基本上与上位移位器互补。

8. 发明公开

KR1020040029082A 하프 브리지 회로 및 이를 포함하는 장치 无效
标题翻译：半桥电路和包含它们的设备
公开(公告)号：KR1020040029082A
公开(公告)日：2004-04-03
申请号：KR1020047002914
申请日：2002-07-12
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 미델쟈코 , 반덴엘샤우트스테파누스
IPC分类号： H03K17/56
CPC分类号： H03K17/6871 , H02M7/538
摘要： 하프 브리지 회로는 각각 하측 트랜지스터(T1) 및 상측 트랜지스터(T2)를 구동하는 하측 구동 모듈(110) 및 상측 구동 모듈(210)을 포함한다. 각각의 구동 모듈(110, 210)은 전하 트랩 회로로, 하측 구동 모듈(110)은 용량성 부하(C)의 전하를 사용해서 하측 트랜지스터(T1)를 구동하고, 고전압 공급기에 의해 구동되는 바에 따라서 상측 모듈(210)은 용량성 부하(C)를 교번해서 재충전시킨다. 각각의 전하 트랩 회로(110, 210)는 구동되는 트랜지스터(T1, T2)의 게이트에서의 전하의 의도하지 않은 손실을 방지하는 다이오드(D1, D2) 및 게이트 전압을 안전 레벨로 클램프하는 제너 다이오드(Z1, Z2)를 포함한다. 이런 식으로, 하프 브리지 회로는 보조 전력 공급부를 사용하지 않고도 효율적으로 구동된다.

9. 发明授权

KR100173321B1 스위칭 회로 失效
公开(公告)号：KR100173321B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019910002532
申请日：1991-02-13
申请人： 세이코 덴시고교 가부시키가이샤
发明人： 시모다사다시
IPC分类号： H03K17/56
CPC分类号： H03K17/693 , H03K5/2472 , H03K2217/0018
摘要： 본 발명의 스위칭 회로는 한쌍의 다른 입력 전압 모두에 대해서 선택적으로 할 수 있는 모노리틱 IC로 구성되어 있다. 또한, 다이오드는 외부제어 신호에 응답하는 출력으로부터 양쪽입력 전압을 블록할 수 있도록 모노리틱 IC로 구성되어 있다.

10. 发明授权

KR100084378B1 반도체 릴레이회로 失效
标题翻译：半导体继电器电路
公开(公告)号：KR100084378B1
公开(公告)日：1995-04-27
申请号：KR1019910002335
申请日：1991-02-12
申请人： 파나소닉 전공 주식회사
发明人： 이다까유끼오 , 야마구찌슈이찌로오 , 미야지마히라까즈 , 마쓰모도다께시 , 미야모도야스노리
IPC分类号： H03K17/56

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