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1. 发明授权

KR102301306B1 반도체 레이저 다이오드 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102301306B1
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：KR1020200166704
申请日：2020-12-02
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/20 , H01S5/32
摘要： 본발명의목적은고출력레이저다이오드소자의도핑농도를기존방식보다전체적으로증가하되, 광이분포하는하부클래드층 (2) 영역에가까울수록 3 단계에걸쳐서도핑농도를낮추다가광이집중적으로분포하는영역에서는 4단계로도핑농도를점진적으로낮추어자유캐리어흡수 (free carrier absorption)에의한광손실을최소화하는수백 mW 이상급단일모드 (single mode)와다중모드 (multi mode)의고출력레이저다이오드제작을구현하고자하는것이다. 본발명에따르면, 고출력레이저다이오드의전체적인도핑농도를증가시키면서내부저항이감소하였고, 하부클래드층 (2)의도핑을 3단계까지낮추고마지막 4단계에서점진적으로낮추면서광 밀도가높은영역의자유캐리어흡수 (free carrier absorption)에의한광손실최소화되어고출력레이저다이오드의성능을개선하였다.

2. 发明授权

KR101896180B1 마이크로 디스크, 마이크로 디스크 레이저 및 이를 이용한 화학 센서 有权
公开(公告)号：KR101896180B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020170046549
申请日：2017-04-11
申请人： 재단법인대구경북과학기술원
发明人： 김칠민
IPC分类号： G01N21/76 , H01S5/20 , H01S5/32 , G01J3/02
CPC分类号： G01N21/76 , G01J3/02 , H01S5/20 , H01S5/32
摘要： 본발명의일 실시예로써마이크로디스크가제공된다. 마이크로디스크는고품위값의휘스퍼링갤러리모드를가지며, 휘스퍼링갤러리모드는방향성을갖고발진하고, 마이크로디스크의측면에는유전체가코팅되어형성되는제1 코팅층; 및제1 코팅층상에형성되며, 하나이상의단분자막또는고분자막을포함하는제2 코팅층;을포함하고, 유전체는산화물또는질화물일수 있다.

3. 发明公开

KR20180010641A PBH구조의 레이저 다이오드 제조방법 审中-公开
标题翻译： PBH光学半导体器件HAVING PBH结构尽量减少漏电流和及其制造方法
公开(公告)号：KR20180010641A
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR20160093098
申请日：2016-07-22
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/22 , H01S5/227
摘要： 본발명은기판과, 상기기판위에마련되는하부광구속층및 상부광구속층과, 상기하부광구속층과상부광구속층사이에개재되는다중양자우물(MQW) 구조의활성층과, 상기상부광구속층위에형성된클래드층을포함하고, 메사(Mesa) 형태로이루어지는이중헤테로구조(DH); 상기메사의양편에대칭되게적층되고, 상기클래드층에연결되도록성장된제1 전류차단층과상기제1 전류차단층위에 pn접합된제2 전류차단층을포함하는전류차단층; 및상기메사와상기전류차단층위에형성된상부클래드층;을포함하고, 상기제1 전류차단층과제2 전류차단층사이의접합계면중 상기메사상단의한 쪽에지(Edge) 부분에가장근접한지점(P)에대한횡단면좌표(x,y)가관계식,[(x,y)=(0,0): 메사상단의한 쪽에지포인트, x≥0, y≤0, a=300, b=-70]을만족하는것을특징으로하는레이저다이오드를개시한다.
摘要翻译：本发明约束下光被设置在基板与基板层，和上部光限制层，下光学约束层和上光学限制的多量子阱上位于所述层（MQW）有源层和上光学结构之间一种双异质结构（DH），包括形成在约束层上并且以台面形式的包层; 它对称地层叠在台面的两侧，当前包括关于要被连接到第一电流阻挡层和所述第一电流阻挡层的势垒层包层的生长的第二电流阻挡层的pn结; 和台面和形成在所述电流阻挡层，在支撑（边）的一侧上的最近点在上包层在之间的台面的顶部的接合界面的一部分，并且包括第一电流阻挡层工作的第二电流阻挡层（（x，y）=（0,0）：台面顶部一侧的点，x？0，y？0，a = 300，b = 70]得到满足。

4. 发明公开

KR1020170098974A 모서리 방출 반도체 레이저 审中-实审
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：KR1020170098974A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020177023109
申请日：2010-08-25
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 라우어,크리스티안 , 고-메즈-이그레시아스,알바로
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/042 , H01S5/065 , H01S5/20 , H01S5/32 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要： 반도체몸체(10)를포함한모서리방출반도체레이저가제공되며, 상기반도체몸체는도파로영역(4)을포함하고, 이때 상기도파로영역(4)은제1도파로층(2A), 제2도파로층(2B) 및레이저빔(17)의생성을위해제1도파로층(1A)과제2도파로층(2B) 사이에배치된활성층(3)을포함하고, 상기도파로영역(4)은제1클래딩층(1A),과반도체몸체(10)의성장방향에서도파로영역(4) 이후에위치한제2클래딩층(1B) 사이에배치되며, 반도체몸체(10) 내에는활성층(3)으로부터방출된레이저빔의래터럴모드를선택하기위한위상구조물(6)이형성되고, 이때 위상구조물(6)은적어도하나의홈(7)을포함하고, 홈은반도체몸체(10)의표면으로부터제2클래딩층(1B)안으로연장되며, 제2클래딩층(1B)안에는제2클래딩층(1B)의반도체물질과다른반도체물질로구성된적어도하나의제1중간층(11)이매립되며, 홈(7)은반도체몸체(10)의표면(5)으로부터적어도부분적으로제1중간층(11)안에까지연장된다.
摘要翻译：提供了包括半导体本体10的角落发射半导体激光器，其中半导体本体包括波导区域4，其中波导区域4包括第一波导层2A，第二波导层2B，以及设置在第一波导层1A和第二波导层2B之间用于产生激光束17的有源层3.波导区4包括第一包层1A，在大多数章波导区域被布置在第二包层（1B）之间（4）之后的导电体10的城堡方向的位置，从有源层在半导体本体10发射的激光束的横模（3）其中相结构6包括至少一个凹槽7并且凹槽从半导体本体10的表面延伸到第二包层1B中，在第二包覆层1B中层叠至少一个由与第二包覆层1B的半导体材料不同的半导体材料制成的第一中间层11，至少部分其延伸至在从10的表面5上的第一中间层11。

5. 发明公开

KR1020140009426A 인듐 함유 클래드층을 갖는 반도체 레이저 无效
标题翻译：具有包含层压层的印刷的半导体激光器
公开(公告)号：KR1020140009426A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020137025615
申请日：2012-02-02
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바트,라자람 , 시조브,드미트리서기비츠 , 자,청-은
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/343 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 반도체 레이저의 구체 예는: (a) GaN, AlGaN, InGaN, 또는 AlN 기판; (b) 상기 기판 위에 위치된 n-도프된 클래드층; (c) 상기 n-도프된 클래드층에 위치된 p-도프된 클래드층; (d) 상기 n-도프된 클래드층 및 p-도프된 클래드층 사이에 위치된 적어도 활성층을 포함하며, 상기 클래드층의 적어도 하나는 전체 구조의 격자 불일치 변형의 합이 40 nm%를 초과하지 않는 조성을 갖는 AlInGaN/GaN, AlInGaN/AlGaN, AlInGaN//InGaN 또는 AlInGaN/AlN의 상부구조 구조를 포함한다.

6. 发明公开

KR1020120092643A 모서리 방출 반도체 레이저 有权
标题翻译：边缘发射半导体激光
公开(公告)号：KR1020120092643A
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：KR1020127013742
申请日：2010-08-25
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 라우어,크리스티안 , 고-메즈-이그레시아스,알바로
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/042 , H01S5/065 , H01S5/20 , H01S5/32 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要： 반도체 몸체(10)를 포함한 모서리 방출 반도체 레이저가 제공되며, 상기 반도체 몸체는 도파로 영역(4)을 포함하고, 이 때 상기 도파로 영역(4)은 제1도파로층(2A), 제2도파로층(2B) 및 레이저빔(17)의 생성을 위해 제1도파로층(1A)과 제2도파로층(2B) 사이에 배치된 활성층(3)을 포함하고, 상기 도파로 영역(4)은 제1클래딩층(1A),과 반도체 몸체(10)의 성장 방향에서 도파로 영역(4) 이후에 위치한 제2클래딩층(1B) 사이에 배치되며, 반도체 몸체(10) 내에는 활성층(3)으로부터 방출된 레이저빔의 래터럴 모드를 선택하기 위한 위상 구조물(6)이 형성되고, 이 때 위상 구조물(6)은 적어도 하나의 홈(7)을 포함하고, 홈은 반도체 몸체(10)의 표면으로부터 제2클래딩층(1B)안으로 연장되며, 제2클래딩층(1B)안에는 제2클래딩층(1B)의 반도체 물질과 다른 반도체 물질로 구성된 적어� � 하나의 제1중간층(11)이 매립되며, 홈(7)은 반도체 몸체(10)의 표면(5)으로부터 적어도 부분적으로 제1중간층(11)안에까지 연장된다.
摘要翻译：激光系统包括边缘发射半导体激光器和光纤，其中激光器发射耦合到光纤中的一个或多个激光束，并且激光器包括半导体本体，其包括波导区域，该波导区域包括第一和第二波导层以及激活层，布置在第一和第二波导层之间并产生激光辐射，波导区域布置在布置在波导区域下游的第一和第二包层之间，在半导体主体中形成相结构，包括从顶侧延伸的切口将由半导体材料构成的至少一个第一中间层嵌入到第二包覆层中，并且从半导体本体的顶侧至少部分地形成有切口，第一中间层。

7. 发明授权

KR100960764B1 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：激光发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100960764B1
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：KR1020030005414
申请日：2003-01-28
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 서정훈
IPC分类号： H01S5/32
摘要： 본 발명은 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이종 기판 상부에 질화물을 증착한 다음, 증착한 질화물부터 상기 이종 기판의 일부까지 마스크 패턴에 따라 식각하고 그 질화물을 측면 성장시켜 형성한 질화물층 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층을 순차적으로 형성하고, 이렇게 형성한 p-질화물층 상부 영역 중에서 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 전류 차단층을 형성함으로써, 소자 구동시, 결정성 결함이 높은 고저항 영역으로 통하는 전류의 흐름을 차단하여 그 소자의 성능 및 발광 효율의 향상시키도록 한다.
레이저, 발광, 다이오드, 결함, 전류, 차단층

8. 发明授权

KR100872730B1 질화물계 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：氮化物基半导体激光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100872730B1
公开(公告)日：2008-12-08
申请号：KR1020027014763
申请日：2002-02-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마구치다카시 , 고바야시다카시 , 고바야시도시마사 , 기지마사토루 , 도미오카사토시 , 안사이신이치 , 도조츠요시
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要： 질화물계 반도체 레이저 소자(10)는 제 1 콘택트층(14), 제 1 클래드층(16), 활성층(20), 제 2 클래드층(24), 제 2 콘택트층(26) 및 제 2 전극(30)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 제 2 클래드층(24)은 하층(24A) 및 상층(24B)으로 구성되며, 제 1 클래드층(14), 활성층(20) 및 제 2 클래드층의 하층(24A)은 메사(mesa) 구조를 갖고, 제 2 클래드층의 상층(24B) 및 제 2 콘택트층(26)은 릿지(ridge) 구조를 가지며, 메사 구조의 상부면에 대응하는 제 2 클래드층의 하층(24A) 부분의 위에는 제 2 클래드층의 상층(24B)의 양측면의 각각의 적어도 일부분을 피복한 절연층(40)이 형성되어 있고, 또한, 절연층(40)의 상부면으로부터 제 2 전극(30)의 상부면에 걸쳐 메사 구조의 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 금속층(42)이 형성되어 있다.
질활물계 반도체 레이저 소자, 콘택트층, 클래드층, 절연층, 금속층

9. 发明公开

KR1020080076694A 반도체 발광 소자, 및 그것을 이용한 광전자 집적 회로, 및광전자 집적 회로의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体发光器件和使用其的光电子集成电路以及制造光电集成电路的方法
公开(公告)号：KR1020080076694A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070117564
申请日：2007-11-16
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 히사모또다이 , 사이또신이찌 , 기무라신이찌로
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： H01L27/15 , G02B6/13 , G02B6/43 , H01L33/02 , H01L33/34
摘要： A semiconductor light emitting device, a photoelectron integrated circuit using the same, and a method for manufacturing the photoelectron electron integrated circuit are provided to emit light with high efficiency through a general silicon process. A semiconductor light emitting device includes an insulation layer, a first electrode, a second electrode, and an emitting light unit. The insulation layer is formed on a semiconductor substrate. The first electrode is formed on the insulation layer and injects electrons. The second electrode is formed on the insulation layer and injects holes. The light emitting unit is electrically connected to the first electrode and the second electrode. Each of the insulation layer, the first electrode, and the second electrode is made by a first single crystalline material. A thickness of the light emitting unit is thinner than the insulation layer. The light emitting unit has a light emitting element, which is formed with a thin film capable of emitting light.
摘要翻译：提供半导体发光器件，使用该半导体发光器件的光电子集成电路和用于制造光电子电子集成电路的方法，以通过通常的硅工艺以高效率发光。半导体发光器件包括绝缘层，第一电极，第二电极和发光单元。绝缘层形成在半导体衬底上。第一电极形成在绝缘层上并注入电子。第二电极形成在绝缘层上并注入孔。发光单元电连接到第一电极和第二电极。绝缘层，第一电极和第二电极中的每一个由第一单晶材料制成。发光单元的厚度比绝缘层薄。发光单元具有发光元件，该发光元件形成有能够发光的薄膜。

10. 发明授权

KR100765734B1 레이저 다이오드 드라이버에서 자동 레이저 다이오드 전원 제어장치 失效
标题翻译：激光二极管驱动器中的激光二极管功率控制装置
公开(公告)号：KR100765734B1
公开(公告)日：2007-10-12
申请号：KR1019990044591
申请日：1999-10-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서진교
IPC分类号： H01S5/32
摘要： 본 발명은 광기록 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기록기기의 성능을 좌우하는 레이저 다이오드(Laser Diode)를 최적의 상태로 제어하는 레이저 다이오드 드라이버에서 자동 레이저 다이오드 전원 제어장치를 제공하는데 있다. 레이저 다이오드 드라이버에서 자동 레이저 다이오드 전원 제어장치는 광 출력 레벨에 해당하는 복수개의 채널을 각각 고속 스위칭하기 위한 스위칭부, 상기 스위칭부의 출력을 가산하여 소정의 기록 파형을 생성하는 제1 가산기, 상기 제1 가산기의 기록 파형 출력을 일정 비율로 증폭하는 증폭부, 픽업에서 발생하는 광 간섭 노이즈를 상쇄시키기 변조부, 전압으로 변환된 현재의 광출력 신호를 입력으로 하여 상기 광 출력 레벨에 해당하는 복수의 채널 신호에 따라 상기 레이저 다이오드의 온도 상승으로 인한 광 출력 신호의 감소를 보상하기 위한 보상부, 상기 제1 증폭부, 변조부 및 보상부의 출력을 가산하여 소정의 미디어에 기록하기 위한 광출력 신호를 출력하는 제2 가산기를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기존의 LD 드라이브에 ALPC 기능을 추가함과 동시에 두 가지의 다른 LD를 사용이 가능하다. 따라서 별도의 ALPC 회로를 줄이거나 없앨 수 있고 2개의 LD 사용으로 복합 기기의 구성이 용이하며 기기의 소형화, 경량화 및 저가격화를 실현할 수 있는 효과가 있다.

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