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1. 发明公开

KR1020160115458A 퓨즈 저항기용 금속선 및 금속선의 표면처리방법 有权
标题翻译：用于熔丝电阻的金属线和金属线的表面处理方法
公开(公告)号：KR1020160115458A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150043186
申请日：2015-03-27
申请人： 스마트전자 주식회사
发明人： 강두원 , 김현창 , 김창구 , 조성운 , 김준현
IPC分类号： H01C13/00 , H01H85/00 , H01H37/76
摘要： 본발명은정상상태에서는저항기역할을하고과전류에서는용단되어회로및 회로소자를보호하는퓨즈저항기용금속선및 그표면처리방법에관한것으로, 더욱상세하게는전구체의열확산을통한표면반응으로금속선자체의전기적특성은물론, 물리적특성을모두향상시킬수 있고, 고정격전류에서도안정적으로구동할수 있는퓨즈저항기용금속선및 그표면처리방법에관한것이다.

2. 发明公开

KR1020160022182A 퓨즈가 일체화된 저항기 有权
标题翻译：保险丝混合电阻器
公开(公告)号：KR1020160022182A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140107998
申请日：2014-08-19
申请人： 김용운
发明人： 김용운
IPC分类号： H01C13/00 , H01C7/13
CPC分类号： H01C13/00 , H01C7/13
摘要： 본발명은, 저항로드를구비하는저항체; 퓨즈로드를구비하는퓨즈; 및양측에상기저항로드와상기퓨즈로드가각각끼워져서, 상기저항로드와상기퓨즈로드를연결하는연결유닛을포함하는, 퓨즈가일체화된저항기를제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种融合的集成电阻器，其包括：具有电阻负载的电阻器; 带保险丝的保险丝; 以及连接单元，其将电阻负载连接到熔断器路，其中电阻负载和熔断器路分别插入连接单元的两侧。

3. 发明授权

KR101496526B1 퓨즈저항기 및 그 제조방법 有权
标题翻译：保险丝电阻及其制造方法
公开(公告)号：KR101496526B1
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：KR1020120151297
申请日：2012-12-21
申请人： 스마트전자 주식회사
发明人： 정종일 , 강두원 , 안규진 , 진상준 , 김현창 , 이경미 , 강태헌 , 안상민 , 문황제 , 김소영 , 신아람
IPC分类号： H01C7/13 , H01C13/00
CPC分类号： H01C7/13 , H01C1/014 , H01C7/126 , H01H37/76
摘要： 본 발명은 퓨즈저항기 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 케이스의 일면으로부터 인출된 리드선 내지 회로기판으로부터 가까운 영역에는 상기 저항체가 위치하고, 먼 영역에는 상기 온도퓨즈가 위치하도록 구성함으로써, 솔더링에 의한 전도열 내지 복사열이 상기 온도퓨즈에 전달되어 용단되는 것을 방지할 수 있는 퓨즈저항기 및 그 제조방법에 관한 것이다.

4. 发明公开

KR1020150002633A 온도 조절 기능이 부여된 전지 审中-实审
标题翻译：具有温度调节功能的电池
公开(公告)号：KR1020150002633A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020147027354
申请日：2013-03-25
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 이나바히토시 , 나가토모노리아키 , 다케시마가즈타
IPC分类号： H01M10/6571 , H01M10/63 , H01M10/48 , H01C13/00 , H01C7/04
CPC分类号： G01R31/3644 , G01K13/00 , H01G11/18 , H01M10/0525 , H01M10/486 , H01M10/615 , H01M10/63 , H01M10/643 , H01M10/647 , H01M10/6571
摘要： 전지의 온도를 정확하게 측정 가능함과 함께 히터의 가열 제어를 고정밀도로 실시할 수 있고, 또한 박형화가 가능한 온도 조절 기능이 부여된 전지를 제공한다.
전지 본체 (B1) 와, 전지 본체 표면의 적어도 일부를 덮어 형성된 온도 센서가 부착된 필름 히터 (10) 를 구비하고, 온도 센서가 부착된 필름 히터가, 절연성 필름 (2) 과, 절연성 필름 상에 형성된 온도 센서부 (TS) 와, 이 위에 절연층 (5) 을 개재하여 형성된 히터선 (6) 을 구비하고, 히터선이, 절연층 (5) 상에 패턴 형성되고, 온도 센서부가, 히터선의 발열 영역의 바로 아래로서 절연성 필름 (2) 위에 서미스터 재료로 패턴 형성된 박막 서미스터부 (3) 와, 적어도 박막 서미스터부 위에 형성된 1 쌍의 패턴 전극 (4) 을 갖고 있다.

5. 发明授权

KR101010359B1 션트 저항체 및 이의 제조장치 失效
标题翻译：分流电阻及其制造设备
公开(公告)号：KR101010359B1
公开(公告)日：2011-01-25
申请号：KR1020090064420
申请日：2009-07-15
申请人： 엔바로테크 주식회사
发明人： 박원형 , 서두환 , 송대영 , 한호진
IPC分类号： H01C13/00 , G01R15/14
摘要： 본 발명은 션트 저항체의 제조장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면 베이스몸체와 이 베이스몸체의 일측에 설치되며 저항소재가 권취된 권취롤러와 베이스몸체의 타측에 설치되는 포스트와 이 포스트에 설치되는 이송롤러와 이송롤러의 일측에 설치되어 저항소재를 지지하는 지지로드와 포스트의 일측에 설치되며 권취롤러에서 풀려지는 저항소재를 이송롤러로 안내하는 가이드부재가 구비된 저항소재 공급부와, 이 저항소재 공급부로부터 이격 설치되며 저항소재 공급부로부터 공급되는 저항소재를 가압하여 높이를 맞추는 레벨링부와, 이 레벨링부로부터 이격 설치되며 레벨링부로부터 이송되는 저항소재를 용접하는 전자빔 용접부와, 이 전자빔 용접부로부터 이격 설치되며 용접된 저항소재가 권취되는 권취부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 션트 저항체의 제조장치가 제공된다.
션트 저항체, 저항소재 공급부, 레벨링부, 전자빔 용접부, 권취부

6. 发明授权

KR100943750B1 패턴 형성된 션트저항을 갖는 직류 모터 구동 드라이브 모듈 有权
标题翻译：用于控制带有图形分流电阻的直流电机的驱动模块
公开(公告)号：KR100943750B1
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：KR1020080022956
申请日：2008-03-12
申请人： 동아전기부품 주식회사
发明人： 서성대 , 조한준
IPC分类号： H01C13/00 , H02P1/00
摘要： 본 발명은 패턴 형성된 션트저항, 그 션트저항을 갖는 직류 모터 구동 드라이브 모듈 및 일체화된 동력 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 회로기판에 구비되어 전류를 검출하는 션트저항에 있어서, 회로기판에 배선된 도선단자와 양단이 연결되어 일정한 저항을 갖는 패턴으로 일체화되어 형성된다. 본 발명에 따른 션트저항은 회로기판 상의 도선이 소정 저항을 갖도록 패턴으로 형성되기 때문에, 회로기판에 구성시 별도로 션트저항을 접합할 필요가 없을 뿐만 아니라 회로기판의 도선과 션트저항 간에 안정적인 접촉상태를 유지할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 션트저항은 회로기판의 도선과 접합되는 접합부와 션트저항의 저항값이 커지는 것을 방지 할 수 있을 뿐만 아니라 별도의 션트저항을 접합할 필요가 없기 때문에 제작 효율을 높이는 탁월한 효과가 있다.
션트저항, 직류 모터, 구동 드라이브 모듈, 동력 장치

7. 发明公开

KR1020030080775A 전자식 가변저항기 无效
标题翻译：电子变压器
公开(公告)号：KR1020030080775A
公开(公告)日：2003-10-17
申请号：KR1020020019565
申请日：2002-04-10
申请人： 현대중공업 주식회사
发明人： 김광수
IPC分类号： H01C13/00
摘要： PURPOSE: An electronic variable resistor is provided to control accurately the brightness according to kinds of lamps and the capacity of lamps by using a microprocessor IC. CONSTITUTION: An electronic variable resistor includes a microprocessor IC(22), a transistor(23), a photo transistor(24), and an FET(25). The microprocessor IC(22) is used for outputting a programmed pulse signal according to a signal from an operation of an up/down switch of a control panel. The transistor(23) is used for receiving the pulse signal of the microprocessor IC(22) and controlling the current between a positive terminal and a negative terminal. The photo transistor(24) is used for controlling the light of an LED and controlling the current between the positive terminal and the negative terminal. The FET(25) is used for deciding the amount of current applied between the positive terminal and the negative terminal.
摘要翻译：目的：提供电子可变电阻器，通过使用微处理器IC，根据灯具的种类和灯具的容量精确控制亮度。构成：电子可变电阻器包括微处理器IC（22），晶体管（23），光电晶体管（24）和FET（25）。微处理器IC（22）用于根据来自控制面板的上/下开关的操作的信号输出编程的脉冲信号。晶体管（23）用于接收微处理器IC（22）的脉冲信号并控制正极端子和负极端子之间的电流。光电晶体管（24）用于控制LED的光并控制正极端子和负极端子之间的电流。 FET（25）用于判定在正极端子和负极端子之间施加的电流量。

8. 发明公开

KR1020010015135A 저온 계수 저항기 无效
标题翻译：具有低温电阻系数的电阻
公开(公告)号：KR1020010015135A
公开(公告)日：2001-02-26
申请号：KR1020000037587
申请日：2000-07-01
申请人： 인터실 코포레이션
发明人： 헤멘웨이도날드 , 델가도존 , 버틀러존 , 리볼리안소니
IPC分类号： H01C13/00
CPC分类号： H01L28/20 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0635
摘要： PURPOSE: A resistor having low temperature coefficient of resistance is to make a resistor insensitive to temperature variation by an arrangement wherein a polysilicon layer has a high dopant concentration and an implantation damage substantially not annealed. CONSTITUTION: The resistor is formed by using nonselective heavy ion BF2 implantation for doping a polysilicon layer. In a quick annealing stage of 900°C, implantation into the resistor is activated and final doping shape is set for a bipolar device and an MOS device. BF2 of high dose causes significant damage of polysilicon film and the damage is not annealed by short thermal annealing at a relatively low temperature in order to activate implantation. Damage of implantation forms an additional lapping site for carriers and increases resistance at a high implantation dose.
摘要翻译：目的：具有低电阻温度系数的电阻是通过其中多晶硅层具有高掺杂浓度和基本上不退火的注入损耗的结构使得对温度变化不敏感的电阻器。构成：通过使用非选择性重离子BF2注入来形成电阻器，用于掺杂多晶硅层。在900℃的快速退火阶段，激活电阻器的注入，并为双极器件和MOS器件设置最终的掺杂形状。高剂量的BF2引起多晶硅膜的显着损伤，并且在相对较低的温度下通过短热退火而不会退火以便激活植入。植入损伤为载体形成额外的研磨点，并以高植入剂量增加抗性。

9. 实用新型

KR200211145Y1 대용량 저항기 失效
公开(公告)号：KR200211145Y1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR2020000022947
申请日：2000-08-11
申请人： 김주현
发明人： 김주현
IPC分类号： H01C13/00
摘要： 본 고안은 권선형 저항기에 적용되어진 저항선을 동일한 면적내에서 보다 효율적으로 권취하여 저항기몸체의 전체용적을 확대시키지 않고서도 동일크기의 종래 저항기에 비해 저항용량을 증대시킬 수 있도록 하여 고전압의 송전이 필요한 각종 산업분야에 보다 효과적으로 사용될 수 있도록 한 대용량 저항기에 관한 것으로, 이는 대체적으로 원통형의 바형태를 이루는 절연물질로 구성된 애관(10)과; 상기 애관(10)의 양단에 각각 배치되어진 단자(30)와; 상기 단자(30)로 부터 연결되어 그 배치간격내에 장착되면서 애관(10)의 외주면둘레를 따라 나선형으로 권취되어진 저항선(20)과; 상기 애관(10)의 양단에 각각 배치된 부싱(50) 및 이 부싱(50)의 외측으로 결합나사(60)를 통하여 각각 장착되어진 금속재의 결합부재(40)를 포함하여 구성되어진 것을 특징으로 한다.

10. 发明授权

KR100271579B1 펄스저항기의제조방법및그방법에의해제조된펄스저항기 失效
标题翻译：脉冲电阻
公开(公告)号：KR100271579B1
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019980016252
申请日：1998-05-07
申请人： 김윤경
发明人： 김윤경
IPC分类号： H01C13/00
摘要： PURPOSE: A pulse resistor and a method for manufacturing the same are provided to improve the yield rate of the pulse resistor by reducing the fault of the pulse resistor and a counter electromotive force. CONSTITUTION: A pulse resistor comprises a plastid(1) on which the first silicon layer(2) is formed. A carbon layer(3) is formed on the first silicon layer(2). The second silicon layer(4) is formed on the carbon layer(3). A cap coated with Tin is placed on both sides of the pulse resistor. A lead wire is welded to the cap and an insulating layer is coated on the pulse resistor. After inserting a plurality of plastids(1) in a quartz tube, the quartz tube is maintained in a vacuum state. Then, the quartz tube is heated in the temperature of 700 to 900°C. Then, silicon is injected into the quartz tube so as to form the first silicon layer. After heating the quartz tube in the temperature of 1000 to 1300°C, an LP gas is filled in the quartz tube. Then, silicon is injected into the quartz tube so as to form the second silicon layer.
摘要翻译：目的：提供脉冲电阻及其制造方法，通过减少脉冲电阻的故障和反电动势来提高脉冲电阻的产率。构成：脉冲电阻器包括其上形成有第一硅层（2）的质体（1）。在第一硅层（2）上形成碳层（3）。第二硅层（4）形成在碳层（3）上。涂有锡的盖子放置在脉冲电阻器的两侧。引线焊接到盖上，绝缘层涂覆在脉冲电阻上。在将多个质体（1）插入石英管中之后，将石英管保持在真空状态。然后，石英管在700〜900℃的温度下加热。然后，将硅注入石英管中以形成第一硅层。在1000〜1300℃的温度下加热石英管后，在石英管中填充LP气体。然后，将硅注入石英管中以形成第二硅层。

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