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1. 发明公开

KR1020140048849A 절연 금속 기판 审中-实审
标题翻译：绝缘金属基材
公开(公告)号：KR1020140048849A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020137023446
申请日：2012-02-07
申请人： 캠브리지 나노썸 리미티드
发明人： 사시코브,파벨 , 코무토브,지내디 , 예로킨,알렉세이 , 우소브,서게이
IPC分类号： C25D5/18 , C25D11/04 , C25D11/26 , C25D11/32 , C25D13/02
CPC分类号： C25D5/18 , C25D11/00 , C25D11/005 , C25D11/02 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/30 , C25D11/32 , C25D13/02 , C25D15/00 , C25D21/12 , H01L23/142 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/021 , H05K1/053 , H05K1/115 , H05K1/18 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , H05K2203/1147 , Y10T428/1317 , Y10T428/24917 , Y10T428/249969 , H01L2924/00
摘要： 디바이스를 지지하기 위한 절연 금속 기판(IMS)은 금속성 기판 표면의 일부의 산화에 의해 적어도 일부 형성된 세라믹 코팅을 갖는 금속성 기판을 포함한다. 세라믹 코팅은 50㎸㎜
-1 초과의 절연 강도 및 5Wm
-1 K
-1 초과의 열전도도를 갖는다.
摘要翻译：用于支撑器件的绝缘金属衬底（IMS）包括具有至少部分地通过金属衬底的表面的一部分的氧化而形成的陶瓷涂层的金属衬底。陶瓷涂层的介电强度大于50KV-1mm，导热率大于5Wm-1K-1。

2. 发明公开

KR1020170112978A 열전 박막을 이용한 열화학 가스 센서 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用热电薄膜的热化学气体传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170112978A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160170070
申请日：2016-12-14
申请人： 한양대학교 에리카산학협력단
发明人： 좌용호 , 김세일 , 송요셉
IPC分类号： G01N25/32 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D11/32 , H01L35/12
摘要： 본발명은, 절연층이구비된기판; 상기절연층상부에구비된씨드층(seed layer); 상기씨드층상부에구비된열전박막(thermoelectric thin film); 상기열전박막상부에구비된전극; 상기전극상부에구비되고감지하려는가스와접촉하여발열반응을일으키는촉매층; 및상기전극과전기적으로연결되는전극선을포함하며, 상기열전박막은칼코지나이드를포함하는물질로이루어지고, 상기칼코지나이드는셀레늄(Se) 및텔루륨(Te)으로이루어진군으로부터선택된 1종이상의칼코겐을포함하는화합물인것을특징으로하는열화학가스센서에관한것이다. 본발명에의하면, 소형화가가능하고, 열전박막을기반으로하므로가스를감지할수 있는농도영역대가넓으며, 반복되어가스에노출되어도열전박막에상변화와같은물리/화학적변화를수반하지않으며, 감지하고자하는가스와선택적으로반응하는촉매의변화를통해원하는종류의다양한가스를감지할수 있다.
摘要翻译：本发明提供了一种半导体器件，包括：设置有绝缘层的衬底; 设置在绝缘层上的种子层; 设置在种子层上的热电薄膜; 设置在热电薄膜上的电极; 设置在电极上并接触待检测气体以产生放热反应的催化剂层; 并且包括连接到所述电极的电极线，所述热电薄膜的材料制成的，其包括刀浩二砷，所述一个从刀浩二老化选自（Se）的密特尔碲硒组中选择的（Te）的还有一个含硫属元素的热化学气体传感器。根据本发明，尺寸减小是可能的，并且其基于在所述导热薄膜作为宽的浓度区域时在该热胶片暴露于气体能够检测气体交换，反复进行不涉及物理/化学变化，如相变，检测通过改变催化剂以选择性地与要求的气体反应，可以感测各种所需种类的气体。

3. 发明授权

KR101368879B1 크롬을 함유하지 않는 방청성의 접착 촉진 처리 조성물 有权
标题翻译：无铬防粘附促进处理组合物
公开(公告)号：KR101368879B1
公开(公告)日：2014-03-03
申请号：KR1020127031563
申请日：2004-08-31
申请人： 지비씨 메탈즈, 엘엘씨
发明人： 하웰레오나드알. , 천쮸차인에프.
IPC分类号： C25D11/32 , B32B15/04
CPC分类号： C23C22/40 , C25D3/565 , H05K3/282 , H05K3/385 , H05K2203/135 , Y10S428/901 , Y10S428/935 , Y10T428/12438 , Y10T428/12472 , Y10T428/12792 , Y10T428/1291 , Y10T428/12993 , Y10T428/31678
摘要： 본 발명은 아연 이온; 텅스텐 이온, 몰리브덴 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 지르코늄 이온, 티탄 이온, 망간 이온, 바나듐 이온, 철 이온, 주석 이온, 인듐 이온, 은 이온 및 이들의 배합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 금속 이온; 및 칼륨 또는 나트륨 이온을 함유하지 않는 임의의 전해질을 포함하고, 실질적으로 크롬을 함유하지 않는 방청성의 접착 촉진 수성 처리 조성물에 관한 것이며, 처리 조성물은 재료에 대한 중합체의 접착성을 향상시키는 피막을 기판 상에 또는 재료 위에 형성한다.

4. 发明授权

KR101906153B1 열전 박막을 이용한 열화학 가스 센서 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101906153B1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：KR1020160170070
申请日：2016-12-14
申请人： 한양대학교 에리카산학협력단
发明人： 좌용호 , 김세일 , 송요셉
IPC分类号： G01N25/32 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D11/32 , H01L35/12
摘要： 본발명은, 절연층이구비된기판; 상기절연층상부에구비된씨드층(seed layer); 상기씨드층상부에구비된열전박막(thermoelectric thin film); 상기열전박막상부에구비된전극; 상기전극상부에구비되고감지하려는가스와접촉하여발열반응을일으키는촉매층; 및상기전극과전기적으로연결되는전극선을포함하며, 상기열전박막은칼코지나이드를포함하는물질로이루어지고, 상기칼코지나이드는셀레늄(Se) 및텔루륨(Te)으로이루어진군으로부터선택된 1종이상의칼코겐을포함하는화합물인것을특징으로하는열화학가스센서에관한것이다. 본발명에의하면, 소형화가가능하고, 열전박막을기반으로하므로가스를감지할수 있는농도영역대가넓으며, 반복되어가스에노출되어도열전박막에상변화와같은물리/화학적변화를수반하지않으며, 감지하고자하는가스와선택적으로반응하는촉매의변화를통해원하는종류의다양한가스를감지할수 있다.

5. 发明公开

KR1020130018912A 크롬을 함유하지 않는 방청성의 접착 촉진 처리 조성물 有权
标题翻译：无铬抗坏血酸粘合促进治疗组合物
公开(公告)号：KR1020130018912A
公开(公告)日：2013-02-25
申请号：KR1020127031563
申请日：2004-08-31
申请人： 지비씨 메탈즈, 엘엘씨
发明人： 하웰레오나드알. , 천쮸차인에프.
IPC分类号： C25D11/32 , B32B15/04
CPC分类号： C23C22/40 , C25D3/565 , H05K3/282 , H05K3/385 , H05K2203/135 , Y10S428/901 , Y10S428/935 , Y10T428/12438 , Y10T428/12472 , Y10T428/12792 , Y10T428/1291 , Y10T428/12993 , Y10T428/31678
摘要： 본 발명은 아연 이온; 텅스텐 이온, 몰리브덴 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 지르코늄 이온, 티탄 이온, 망간 이온, 바나듐 이온, 철 이온, 주석 이온, 인듐 이온, 은 이온 및 이들의 배합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 금속 이온; 및 칼륨 또는 나트륨 이온을 함유하지 않는 임의의 전해질을 포함하고, 실질적으로 크롬을 함유하지 않는 방청성의 접착 촉진 수성 처리 조성물에 관한 것이며, 처리 조성물은 재료에 대한 중합체의 접착성을 향상시키는 피막을 기판 상에 또는 재료 위에 형성한다.

6. 发明授权

KR101890967B1 절연 금속 기판 有权
公开(公告)号：KR101890967B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020137023446
申请日：2012-02-07
申请人： 캠브리지 나노썸 리미티드
发明人： 사시코브,파벨 , 코무토브,지내디 , 예로킨,알렉세이 , 우소브,서게이
IPC分类号： C25D5/18 , C25D11/04 , C25D11/26 , C25D11/32 , C25D13/02
CPC分类号： C25D5/18 , C25D11/00 , C25D11/005 , C25D11/02 , C25D11/024 , C25D11/026 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/26 , C25D11/30 , C25D11/32 , C25D13/02 , C25D15/00 , C25D21/12 , H01L23/142 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/021 , H05K1/053 , H05K1/115 , H05K1/18 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , H05K2203/1147 , Y10T428/1317 , Y10T428/24917 , Y10T428/249969 , H01L2924/00
摘要： 디바이스를지지하기위한절연금속기판(IMS)은금속성기판표면의일부의산화에의해적어도일부형성된세라믹코팅을갖는금속성기판을포함한다. 세라믹코팅은 50㎸㎜초과의절연강도및 5WmK초과의열전도도를갖는다.

7. 发明授权

KR101675014B1 다공성 전극을 갖는 에너지 저장 디바이스 有权
标题翻译：具有多孔电极的能量储存装置
公开(公告)号：KR101675014B1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020117023279
申请日：2010-03-01
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 나라마수,옴카람 , 베라베르베케,스티븐
IPC分类号： H01M10/04 , H01G9/042 , C25D11/32 , H01G9/00 , H01G9/055 , H01G9/07 , H01G11/28 , H01G11/86 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M10/0587
CPC分类号： H01G9/048 , C25D11/32 , H01G9/0032 , H01G9/055 , H01G9/07 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/86 , H01M4/0404 , H01M4/134 , H01M10/0587 , Y02E60/13
摘要： 대표면적전극을갖는에너지저장디바이스를제조하는방법은, 전기전도성기판을제공하는단계; 상기전기전도성기판상에반도체층을증착하는단계― 상기반도체층은제 1 전극임― ; 상기반도체층을양극산화하는(anodizing) 단계― 상기양극산화는상기반도체층 내에구멍들(pores)을형성하여상기제 1 전극의표면적을증가시킴― ; 및상기양극산화후에, 상기에너지저장디바이스를형성하기위한전해질및 제 2 전극을제공하는단계를포함한다. 상기기판은연속적인막일수 있고, 상기에너지저장디바이스의전극은선형프로세싱툴들을사용하여제조될수 있다. 상기반도체는실리콘일수 있으며, 상기증착툴은열적스프레이툴일수 있다. 더욱이, 상기반도체층은비정질일수 있다. 상기에너지저장디바이스는원통형형상으로롤링될수 있다. 상기에너지저장디바이스는배터리, 커패시터, 또는울트라커패시터일수 있다.

8. 发明授权

KR101592147B1 알루미늄 기판의 산화막 형성방법 有权
标题翻译：一种制造铝基体氧化物层的方法
公开(公告)号：KR101592147B1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：KR1020150117002
申请日：2015-08-19
申请人： 이대석
发明人： 이대석
IPC分类号： C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/32
摘要： 본발명은알루미늄기판의산화막형성방법에관한것으로, 더욱상세하게는알루미늄기판의표면에산소, 알루미늄이온및 이트륨이온의반응으로형성되는알루미늄-이트륨산화막을코팅함으로써내부식성, 내화학성, 기계적특성및 전기적특성이우수한알루미늄기판의산화막형성방법에관한것이다. 본발명은알루미늄기판의표면에산소, 알루미늄이온및 이트륨이온의반응으로형성되는알루미늄-이트륨산화막을코팅함으로써내부식성, 내화학성, 기계적특성및 전기적특성이우수한알루미늄기판의산화막형성방법을제공할수 있다. 또한본 발명은알루미늄기판과산화막사이의접착력이우수하여각종전기전자장치의소재로장기간안정적으로사용될수 있는알루미늄기판의산화막형성방법을제공할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种形成铝基板的氧化膜的方法，更具体地说，涉及一种形成铝基板的氧化膜的方法，该铝基板涂覆由氧，铝离子之间的反应形成的铝 - 氧化钇膜和铝基板表面上的钇离子，以提高耐腐蚀性，耐化学性，机械性能和电性能。形成铝基板的氧化膜的方法在铝基板的表面上涂覆由氧，铝离子和钇离子之间的反应形成的铝 - 氧化钇膜，以提高耐腐蚀性，耐化学性，机械性能和电性能。此外，铝基板和氧化膜之间的粘合力优异，因此铝基板的氧化物膜可以长时间稳定地用作各种电气和电子设备的材料。

9. 发明公开

KR1020110134895A 다공성 전극을 갖는 에너지 저장 디바이스 有权
标题翻译：具有多孔电极的能量储存装置
公开(公告)号：KR1020110134895A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020117023279
申请日：2010-03-01
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 나라마수,옴카람 , 베라베르베케,스티븐
IPC分类号： H01M10/04 , H01G9/042 , C25D11/32 , H01G9/00 , H01G9/055 , H01G9/07 , H01G11/28 , H01G11/86 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M10/0587
CPC分类号： H01G9/048 , C25D11/32 , H01G9/0032 , H01G9/055 , H01G9/07 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/86 , H01M4/0404 , H01M4/134 , H01M10/0587 , Y02E60/13 , H01M10/0431 , H01G9/042
摘要： 대표면적 전극을 갖는 에너지 저장 장치를 제조하는 방법은, 전기 전도성 기판을 제공하는 단계; 상기 전기 전도성 기판 상에 반도체 층을 증착하는 단계 ― 상기 반도체 층은 제 1 전극임 ―; 상기 반도체 층을 양극처리하는(anodizing) 단계 ― 상기 양극처리는 상기 제 1 전극의 표면적을 증가시키는, 상기 반도체 층 내의 구멍들(pores)을 형성함 ―; 및 상기 양극처리 후에, 상기 에너지 저장 장치를 형성하기 위한 전해물 및 제 2 전극을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 기판은 연속적인 막일 수 있고, 상기 에너지 저장 장치의 전극은 선형 처리 툴들을 사용하여 제조될 수 있다. 상기 반도체는 실리콘일 수 있으며, 상기 증착 툴은 열적 스프레이 툴일 수 있다. 더욱이, 상기 반도체 층은 비정질일 수 있다. 상기 에너지 저장 장치는 원통형 형상으로 롤링될 수 있다. 상기 에너지 저장 장치는 배터리, 커패시터, 또는 울트라커패시터일 수 있다.

10. 发明公开

KR1020070017949A 크롬을 함유하지 않는 방청성의 접착 촉진 처리 조성물 无效
标题翻译：无铬防粘附促进处理组合物
公开(公告)号：KR1020070017949A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020067004381
申请日：2004-08-31
申请人： 지비씨 메탈즈, 엘엘씨
发明人： 하웰레오나드알. , 천쮸차인에프.
IPC分类号： C25D11/32 , B32B15/04
CPC分类号： C25D11/32
摘要： 본 발명은 아연 이온; 텅스텐 이온, 몰리브덴 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 지르코늄 이온, 티탄 이온, 망간 이온, 바나듐 이온, 철 이온, 주석 이온, 인듐 이온, 은 이온 및 이들의 배합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 금속 이온; 및 칼륨 또는 나트륨 이온을 함유하지 않는 임의의 전해질을 포함하고, 실질적으로 크롬을 함유하지 않는 방청성의 접착 촉진 수성 처리 조성물에 관한 것이며, 처리 조성물은 기판 상에 또는 물질 위에 물질에 대한 중합체의 접착성을 향상시키는 피막을 형성한다.
방청성, 접착성, 수성 처리 조성물, 전해질, 기판, 피복물

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