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1. 发明授权

KR101858078B1 온도 센서를 이용한 전력 제어 및 통신 기능이 구비된 전원공급장치 有权
公开(公告)号：KR101858078B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020180037047
申请日：2018-03-30
申请人： 주식회사 파인테크닉스 , (주)다모아전자
发明人： 유학무 , 이인배 , 탁귀열
IPC分类号： H04N7/18 , H02H5/04 , H03K17/08
CPC分类号： H04N7/18 , H02H5/044 , H02M2001/327 , H03K17/08 , H03K2017/0806
摘要： 본발명은 SMPS 내에온도센서를구비시키고, SMPS에서발생되는열을감지하여필요시순차적으로소비전력을변화시키는온도센서를이용한전력제어기능이구비된전원공급장치에관한것으로, 전원공급장치(SMPS)에있어서, 상용교류전원을직류전원으로변환시켜출력하는입력전원공급부; 직류전원을공급받아부하의구동전원으로공급하는출력전원공급부; 출력전원공급부에연결되어, 출력전원공급부의주변온도를감지하여출력하는온도센서; 및상기주변온도감지값을비교값으로하고, 이비교값을미리결정되어있는기준값을비교하여비교값이큰 경우조절된출력전원이부하로공급되도록하는출력전원조절부로이루어진다. 이에, SMPS 내에서의열 발생현상을감소시킬수 있도록하는효과가있다. 또한 SMPS 내에통신모듈을구비시켜위상각제어를이용한전력선통신을제공함으로 Dimming Solution을제공할수 있다.

2. 发明公开

KR1020150122594A 제어장치 审中-实审
标题翻译：控制装置
公开(公告)号：KR1020150122594A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020150055403
申请日：2015-04-20
申请人： 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤
发明人： 구마자와신지 , 도다사토루 , 가와기시와타루 , 나카노히토시
IPC分类号： H02H5/04 , H02H3/08 , H02H7/20
CPC分类号： H05K1/0201 , F02D41/28 , F02P19/023 , F02P19/027 , H02H3/087 , H02H5/041 , H02H7/222 , H03K17/08122 , H03K2017/0806 , H05K1/0263 , H05K1/181 , H05K2201/10022 , H05K2201/10053 , H05K2201/10151 , H05K2201/10166 , H05K2201/10181 , H05K2201/10515 , H05K2201/10545
摘要： (과제) 고장난반도체스위치와제어장치의시그널그랜드의사이에의도하지않는전류경로가형성되고, 과대한전류가흐른다. (해결수단) 프린트기판위에저항성부하를하이사이드구동하기위한반도체스위치를포함하는 IC패키지인스위치IC가배치되어있으며, 시그널그랜드접속배선을가지는제어장치가제공된다. 이제어장치에있어서, 상기스위치IC에접속되고, 온도상승에대응하여상기스위치IC의전류를차단또는제한하는기능을가지는제 1 소자를포함하는과열방지부품이설치되어있으며, 상기시그널그랜드접속배선에접속되고, 과전류를차단하는기능을가지는제 2 소자를포함하는과전류방지부품이설치되어있다.
摘要翻译：要解决的问题是在故障半导体开关的控制装置的信号地线中形成不需要的电流路径，并且流过过电流。为了解决这个问题，根据本发明的开关IC，包括用于执行电阻负载的侧驱动的半导体开关的IC封装被布置在打印基板上，并且提供了具有信号地连接线的控制装置。根据控制装置，安装包括具有阻挡或限制对应于温度升高的开关IC的电流的功能的第一装置的过热防止部件，并且连接到开关IC。并且安装包括具有阻断过电流功能的第二装置的过电流防止部件，并且连接到信号接地连接线。

3. 发明授权

KR101051832B1 부하구동장치 失效
标题翻译：加载驱动装置
公开(公告)号：KR101051832B1
公开(公告)日：2011-07-25
申请号：KR1020087031999
申请日：2007-06-21
申请人： 산켄덴키 가부시키가이샤
发明人： 가토유지 , 세키구치게이이치 , 사토기요카쓰
IPC分类号： H02M1/36 , H02H7/12
CPC分类号： H03K17/0822 , H03K2017/0806
摘要： 직류 전원(V
cc ) 및 부하(4)에 직렬로 접속되는 스위칭 소자(3)와, 스위칭 소자(3)를 온·오프 제어하는 제어 신호를 발생하는 구동회로(5)와, 스위칭 소자(3)의 온도를 검출하는 온도검출소자(6)와, 온도검출소자(6)가 소정 이상의 온도를 검출했을 때에, 과열검출신호를 발생하는 과열 보호회로(7)와, 온도검출소자(6)의 한쪽 및 다른쪽의 단자에 접속되어 온도검출소자(6)와 과열보호회로(7)의 사이의 단선을 검출하는 커런트 미러 회로(12)를 가진 단선검출회로(11)를 부하구동장치에 설치한다. 과열보호회로(7)가 과열검출신호를 발생했을 때 또는 단선검출회로(11)가 온도검출소자(6)와 과열보호회로(7)의 사이의 단선을 검출했을 때, 스위칭 소자 (3)에의 구동회로(5)의 제어 신호를 정지한다. 온도검출소자와 과열보호회로의 사이의 배선에 단선이 생겼을 때에, 부하구동회로에 사용되는 스위칭 소자의 열파손을 방지할 수 있다.
摘要翻译：直流电源（V

4. 发明授权

KR100874198B1 온도검출장치 有权
公开(公告)号：KR100874198B1
公开(公告)日：2008-12-15
申请号：KR1020070044803
申请日：2007-05-09
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 왕동 , 야마모토아키히사
IPC分类号： G01K7/00 , H03K17/14
CPC分类号： G01K7/015 , H01L2924/0002 , H03K2017/0806 , Y10T307/76 , H01L2924/00
摘要： A temperature detector for outputting a temperature signal comprises: a temperature sensing diode formed on the same chip as a semiconductor switching device and having a specific temperature vs. voltage characteristic, wherein the temperature detector outputs the anode potential of the temperature sensing diode as the temperature signal; a constant current circuit for supplying a current to the anode of the temperature sensing diode; and anode potential holding means for holding the anode potential of the temperature sensing diode as the temperature signal at the start of switching operation of the semiconductor switching device.
摘要翻译：用于输出温度信号的温度检测器包括：与半导体开关器件形成在同一芯片上并具有特定温度 - 电压特性的温度检测二极管，其中温度检测器输出温度检测二极管的阳极电位作为温度信号; 恒流电路，用于向温度感测二极管的阳极提供电流; 以及阳极电位保持装置，用于在半导体开关装置的开关操作开始时将温度检测二极管的阳极电位保持为温度信号。

5. 发明公开

KR1020080027849A 고주파 스위치 회로 有权
标题翻译：高频开关电路
公开(公告)号：KR1020080027849A
公开(公告)日：2008-03-28
申请号：KR1020087001385
申请日：2006-07-26
申请人： 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
发明人： 스기야마,유타 , 코야,시게키 , 큐,이레이
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/693 , H03K2017/0806 , H03K2017/6875
摘要： A high-frequency switch circuit comprises a control voltage generator (100). The control voltage generator (100) includes a depletion type field effect transistor (101), an external control signal input terminal (111), an internal control voltage output terminal (112), and a power receiving terminal (113) of the control voltage generator. The gate of the field effect transistor (101) is grounded, and the source and the drain thereof are electrically connected to the external control signal input terminal (111) and the power receiving terminal (113), respectively. The internal control voltage output terminal (112) is connected to an electrical connection path between the drain of the field effect transistor (101) and the power receiving terminal (113). ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：高频开关电路包括控制电压发生器（100）。控制电压发生器（100）包括耗尽型场效应晶体管（101），外部控制信号输入端（111），内部控制电压输出端（112）和控制电压的电力接收端（113）发电机。场效应晶体管（101）的栅极接地，其源极和漏极分别电连接到外部控制信号输入端子（111）和电力接收端子（113）。内部控制电压输出端子（112）连接到场效应晶体管（101）的漏极和电力接收端子（113）之间的电连接路径。 ®KIPO＆WIPO 2008

6. 发明授权

KR100676544B1 전원공급제어장치 및 이 장치의 제어방법 失效
标题翻译：电源控制装置及其控制方法
公开(公告)号：KR100676544B1
公开(公告)日：2007-01-30
申请号：KR1019990064213
申请日：1999-12-28
申请人： 야자키 소교 가부시키가이샤
发明人： 오오시마슈운조우 , 와타나베미츠구
IPC分类号： H03K17/00
CPC分类号： H03K17/0822 , H03K2017/0806
摘要： 본 발명에 따르면, 전원(101)에서 부하(103)로 진행하는 전원공급을 반도체 스위치QA에 의해 스위칭방식으로 제어할 때, 기준전압발생수단(QB,Rr)이 발생시키는 기준전압(VDSB)은 소정의 부하에 접속되는 반도체 스위치QA의 단자 사이의 전압과 실질적으로 같은 전압특성을 갖는다. 검출수단CMP1은 반도체스위치QA의 단자 전압과 기준전압(VDSA) 사이의 차를 검출하며, 제어수단은 게이트구동기(111) 및 CMP1를 가지고, 반도체스위치의 단자전압(VDSA)과 기준전압(VDSB) 사이의 차에 따라 반도체스위치QA의 온/오프제어를 행한다.

7. 发明公开

KR1020050003893A 온도 측정 회로 및 방법 有权
标题翻译：温度感测电路及其控制参数的方法通过感应精密内部温度的半导体器件
公开(公告)号：KR1020050003893A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：KR1020030045411
申请日：2003-07-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김광현 , 김찬경
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01K7/01 , H03K2017/0806
摘要： PURPOSE: A temperature sensing circuit and a method thereof are provided to control parameters by sensing accurately an internal temperature of a semiconductor device. CONSTITUTION: A temperature sensing unit(210) outputs a temperature signal including a difference between an internal temperature of a semiconductor device and a reference temperature in response to a first current control signal or a second current control signal by using a first current and a second current. A storage unit(240) stores and outputs the temperature signal. A control unit(250) outputs first and second current control signals in response to the temperature signal.
摘要翻译：目的：提供一种温度检测电路及其方法，通过精确检测半导体器件的内部温度来控制参数。构成：温度检测单元（210）通过使用第一电流和第二电流来响应于第一电流控制信号或第二电流控制信号输出包括半导体器件的内部温度和参考温度之间的差的温度信号当前。存储单元（240）存储并输出温度信号。控制单元（250）响应于温度信号输出第一和第二电流控制信号。

8. 发明授权

KR100423103B1 전류를 진동시켜 과잉 전류를 차단하는 기능을 갖는반도체 스위칭 디바이스 失效
标题翻译： 전류를진동시켜과잉전류를차단하는기능을갖는반도체스위칭디바이스
公开(公告)号：KR100423103B1
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：KR1020010044508
申请日：2001-07-24
申请人： 야자키 소교 가부시키가이샤
发明人： 오오시마순조
IPC分类号： H03K17/08
CPC分类号： H03K17/0822 , H02H1/043 , H02H3/087 , H03K2017/0806
摘要： The circuit comprises a multi-source powerFET (Tr5) inserted in a main current path. A current detection circuit (11) detects a current passing through the main current path using a reference current path of the multi-source powerFET. The current detector circuit (11) can be set for transient component mode (Tr1,R7) in synchronism with an input signal (ON) and for a mode where transient components of the reference current are caused by load fluctuations. A comparator (CMP1) compares the voltage drop across the main current path of the powerFET with the voltage drop across the reference current path of the powerFET. Each interruption of the load current in response to an overcurrent detection is followed by a subsequent reinitiation. After a predetermined number of reinitiations, current is permanently stopped from flowing through the powerFET.
摘要翻译：该电路包括插入主电流路径中的多源功率FET（Tr5）。电流检测电路（11）使用多源极功率FET的参考电流路径来检测通过主电流路径的电流。电流检测器电路（11）可以设置为与输入信号（ON）同步的瞬态分量模式（Tr1，R7）以及参考电流的瞬态分量由负载波动引起的模式。比较器（CMP1）比较功率FET的主电流路径上的电压降与功率FET的参考电流路径上的电压降。响应于过电流检测的负载电流的每次中断之后是随后的重新启动。经过预定次数的重新启动后，电流永久停止流经powerFET。＆lt;图像＆GT;

9. 发明授权

KR101872068B1 제어장치 有权
公开(公告)号：KR101872068B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR20150055403
申请日：2015-04-20
IPC分类号： H02H5/04 , H02H3/08 , H02H7/20
CPC分类号： H05K1/0201 , F02D41/28 , F02P19/023 , F02P19/027 , H02H3/087 , H02H5/041 , H02H7/222 , H03K17/08122 , H03K2017/0806 , H05K1/0263 , H05K1/181 , H05K2201/10022 , H05K2201/10053 , H05K2201/10151 , H05K2201/10166 , H05K2201/10181 , H05K2201/10515 , H05K2201/10545
摘要： (과제) 고장난반도체스위치와제어장치의시그널그랜드의사이에의도하지않는전류경로가형성되고, 과대한전류가흐른다. (해결수단) 프린트기판위에저항성부하를하이사이드구동하기위한반도체스위치를포함하는 IC패키지인스위치IC가배치되어있으며, 시그널그랜드접속배선을가지는제어장치가제공된다. 이제어장치에있어서, 상기스위치IC에접속되고, 온도상승에대응하여상기스위치IC의전류를차단또는제한하는기능을가지는제 1 소자를포함하는과열방지부품이설치되어있으며, 상기시그널그랜드접속배선에접속되고, 과전류를차단하는기능을가지는제 2 소자를포함하는과전류방지부품이설치되어있다.

10. 发明公开

KR1020160100307A 전력 변환 장치 및 전력 변환 방법 审中-实审
标题翻译：功率转换装置和功率转换方法
公开(公告)号：KR1020160100307A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020167016067
申请日：2014-12-19
申请人： 고오슈우하네쓰렌 가부시기가이샤
发明人： 카나이,타카히코 , 오노,테츠야 , 이토,준야
IPC分类号： H02M1/32 , H02M5/458 , H05B6/06 , H03K17/08
CPC分类号： H05B6/08 , H02M1/32 , H02M5/458 , H02M2001/327 , H03K2017/0806 , H05B6/06 , H05B6/101
摘要： 전력변환장치및 전력변환방법이제공된다. 전력변환장치는 AC 전력을 DC 전력으로변환하도록구성되는정류기, 상기정류기로부터수용된 DC 전력을일정하게제어하도록구성되는평활필터, DC 전력을스위칭디바이스를사용하여 on 및 off 함으로써, 상기평활필터로부터수용된 DC 전력을고주파전력으로변환하도록구성되는인버터; 및상기정류기와인버터를제어하도록구성되는제어유닛을포함한다. 인버터로부터의출력전력의정격은인버터로부터출력된고주파전력의주파수, 통전시간, 및상기통전시간을통전시간과비-통전시간의총합으로나눔으로써얻어지는가동률에따라결정된다.
摘要翻译：提供了电力转换装置和电力转换方法。电力转换装置包括：整流器，被配置为将AC电力转换为DC电力;平滑滤波器，被配置为将从整流器接收的DC电力控制为恒定;反相器，被配置为将从平滑滤波器接收的DC功率转换为高频使用开关装置接通和断开DC电源的电力;以及控制单元，被配置为控制整流器和逆变器。根据从逆变器输出的高频功率的频率，电流施加时间和通过将电流施加时间除以电流加法时间而获得的操作速率来确定来自逆变器的输出功率的额定值应用时间和非当前申请时间。

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