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1. 发明授权

KR101280633B1 음향 공진기 및 음향 공진기 제조 방법 有权
标题翻译：声学谐振器性能提高使用替代框架结构
公开(公告)号：KR101280633B1
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020060056888
申请日：2006-06-23
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 루비리차드씨 , 파지오로날드쉐인 , 펭홍준 , 브래들리폴디
IPC分类号： H03H9/24
CPC分类号： H03H9/02086 , H03H3/02 , H03H9/02149 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H2003/0428
摘要： 본 발명은 기판, 제 1 전극, PZ 재료 층, 제 2 전극 및 교번 프레임 영역을 포함하는 음향 공진기(acoustic resonator)에 관한 것이다. 제 1 전극은 기판에 인접하며, 외부 경계를 갖는다. 압전층은 제 1 전극에 인접한다. 제 2 전극은 압전층에 인접하며 외부 경계를 갖는다. 교번 프레임 영역은 제 1 또는 제 2 전극 중 한 전극 위에 위치한다.

2. 发明公开

KR1020070102519A 마이크로머신의 제조 방법 및 마이크로머신 无效
标题翻译：生产MICROMACHINE和MICROMACHINE的方法
公开(公告)号：KR1020070102519A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020077016541
申请日：2006-01-19
申请人： 소니 가부시끼가이샤
发明人： 오사카츠토무 , 사토스스무
IPC分类号： H03H3/02 , H01L41/22 , H01L41/09
CPC分类号： H03H9/173 , B81B2201/0271 , B81C1/00476 , H01L21/31111 , H03H3/02 , H03H9/02149 , H03H2003/021 , Y10T29/42
摘要： A process for producing a micromachine, in which the corrosion of structure can be inhibited; and a relevant micromachine. There is provided a process for producing a micromachine, characterized by including the step of conducting patterned formation of sacrificial layer (12) of a silicon oxide material containing hydrogen fluoride dissociation species on substrate (11); the second step of forming structure (16) on the substrate (11) so as to cover the sacrificial layer (12); the third step of making hole (18) through the structure (16) covering the sacrificial layer (12), the hole (18) reaching the sacrificial layer (12); and the fourth step of introducing either hydrogen fluoride gas only or hydrogen fluoride gas plus an inert gas only through the hole (18) to thereby etch the sacrificial layer (12) with the use of the dissociation species contained in the sacrificial layer (12) with the result that a vibration space is created between the substrate (11) and the structure (16). Further, there is provided a relevant micromachine.
摘要翻译：微机械的制造方法，可以抑制结构的腐蚀; 和相关微机械。提供了一种用于制造微机械的方法，其特征在于包括以下步骤：在衬底（11）上形成含有氟化氢解离物质的氧化硅材料的牺牲层（12）的图案化形成; 在衬底（11）上形成结构（16）以覆盖牺牲层（12）的第二步骤; 通过覆盖牺牲层（12）的结构（16）制造孔（18）的第三步骤，到达牺牲层（12）的孔（18）; 以及仅通过孔（18）仅引入氟化氢气体或氟化氢气体加上惰性气体从而通过使用包含在牺牲层（12）中的解离物质蚀刻牺牲层（12）的第四步骤，结果在衬底（11）和结构（16）之间产生振动空间。此外，提供了相关的微机械。

3. 发明授权

KR100698985B1 필터 및 필터의 제조 방법 有权
标题翻译：过滤器和过滤器的制造
公开(公告)号：KR100698985B1
公开(公告)日：2007-03-26
申请号：KR1020050025945
申请日：2005-03-29
申请人： 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 , 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 요꼬야마쯔요시 , 니시하라도끼히로 , 사까시따다께시 , 다니구찌신지 , 이와끼마사후미 , 우에다마사노리 , 미야시따쯔또무
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H3/04 , H03H9/02094 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/0428
摘要： 압전 박막 공진자의 정밀한 Δf 조정을 가능하게 하고, 또한 이들 압전 박막 공진자로 구성된 필터의 중심 주파수를 고정밀도로 조정하기 위해, 기판(11) 상에, Ru/Cr의 2층 구조의 하부 전극막(12), AlN의 압전막(13), 및 Ru의 상부 전극막(14)을 구비하고 있고, 또한 상부 전극막(14) 상의 하부 전극막(12)과 대향하는 영역에는, SiO
2 의 제2 조정층(16)을 그 위에 갖는 Ti의 제1 조정층(15)이 형성되어 있다. 또한, SiO
2 의 제2 조정층(16)은, 하부 전극막(12) 또는 상부 전극막(14)으로 피복되어 있지 않은 기판(11) 표면상 및 압전막(13) 표면상에도 형성되어 있다. 또한, 상부 전극막(14)과 하부 전극막(12)의 대향 영역에 대략 대응하는 기판(11)의 이면측에는, 기판(11)의 이면측으로부터 Si를 불소계 가스로 에칭하는 것에 의해, 탄성 에너지를 제한하는 캐비티로서의 공극(17)이 형성되어 있다.
하부전극막, 압전막, 레지스트, 공극, 주파수 조정층

4. 发明公开

KR1020060107323A 음향 공진기 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用充填区域的声学谐振器性能提升
公开(公告)号：KR1020060107323A
公开(公告)日：2006-10-13
申请号：KR1020060030614
申请日：2006-04-04
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 파지오로날드에스 , 루비리차드씨
IPC分类号： H03H9/24
CPC分类号： H03H9/132 , H03H9/02149 , H03H9/13 , H03H9/173 , H03H9/175 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
摘要： 음향 공진기는 기판, 제 1 전극, 압전 물질 층, 제 2 전극 및 충진 영역을 포함한다. 제 1 전극은 기판에 인접하고, 제 1 전극은 바깥 경계부를 갖는다. 압전 층은 제 1 전극에 인접한다. 제 2 전극은 압전 층에 인접하며, 제 2 전극은 바깥 경계부를 갖는다. 충진 영역은 제 1 및 제 2 전극 중 하나의 전극 내에 존재한다.

5. 发明公开

KR1020100035271A 압전 진동자 및 압전 진동자의 전극 구조 有权
标题翻译：压电振动器的压电振动器和电极结构
公开(公告)号：KR1020100035271A
公开(公告)日：2010-04-05
申请号：KR1020080094541
申请日：2008-09-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 전종범 , 안정환 , 이종필 , 박장호
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/15
CPC分类号： H03H9/02149 , H03H3/04 , H03H9/131 , H03H2003/0428
摘要： PURPOSE: In the electrode structure of the piezo-electric resonator and piezo-electric resonator is the manufacturing process, by being proceed the thermal budget and sealing process the stress created in the frequency arbitration process is alleviated. CONSTITUTION: A piezoelectric(31) is vibrated with the electric signal. The first and second electrode structures(32a, 32b) are formed in each of the bottom surface and piezoelectric meaning top surface. The first and the second electrode structure have the laminating structure of being successive of the first layer to the fourth layer. The first layer and the third layer are formed into the alloy including Cr, the second level and fourth layer are formed into Ag or the alloy including Ag. The first layer and the third layer are formed into the Cr-Ni alloy.
摘要翻译：目的：压电谐振器和压电谐振器的电极结构是制造工艺，通过进行热预算和密封工艺，减轻了频率仲裁过程中产生的应力。构成：压电（31）用电信号振动。第一和第二电极结构（32a，32b）形成在每个底表面中，并且压电意味着顶表面。第一和第二电极结构具有连续的第一层到第四层的层压结构。第一层和第三层形成为包含Cr的合金，第二层和第四层形成Ag或包含Ag的合金。第一层和第三层形成Cr-Ni合金。

6. 发明授权

KR100753705B1 압전 박막 공진자 및 이를 이용한 필터 有权
标题翻译：压电薄膜共振器和使用其的过滤器
公开(公告)号：KR100753705B1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：KR1020050095651
申请日：2005-10-11
申请人： 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 , 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 쯔쯔미준 , 요꼬야마쯔요시 , 사까시따다께시 , 다니구찌신지 , 이와끼마사후미 , 니시하라도끼히로 , 우에다마사노리
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
摘要： 횡방향 누설을 억제하여 저손실화하는 것을 과제로 한다. 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 하부 전극(20)과, 하부 전극(20) 및 기판(10) 상에 형성된 압전막(30)과, 압전막(30)을 사이에 두고 하부 전극(20)에 대향하는 부분을 갖도록 압전막(30) 상에 형성된 상부 전극(40)을 포함하고, 상기 대향하는 부분에서의 압전막(30)의 외주부의 적어도 일부가, 상부 전극(40)과 하부 전극(20)이 대향하여 형성된 영역(60)의 외주부와 대략 일치하는 압전 박막 공진자가 제공된다.
압전 박막 공진기, 필터, 기판, 하부 전극, 상부 전극, 압전막, 외주부

7. 发明公开

KR1020060052188A 압전 박막 공진자 및 이를 이용한 필터 有权
标题翻译：压电薄膜共振器和使用其的过滤器
公开(公告)号：KR1020060052188A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050095651
申请日：2005-10-11
申请人： 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 , 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 쯔쯔미준 , 요꼬야마쯔요시 , 사까시따다께시 , 다니구찌신지 , 이와끼마사후미 , 니시하라도끼히로 , 우에다마사노리
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/02149 , H03H9/02118 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H2003/0428
摘要： 횡방향 누설을 억제하여 저손실화하는 것을 과제로 한다. 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 하부 전극(20)과, 하부 전극(20) 및 기판(10) 상에 형성된 압전막(30)과, 압전막(30)을 사이에 두고 하부 전극(20)에 대향하는 부분을 갖도록 압전막(30) 상에 형성된 상부 전극(40)을 포함하고, 상기 대향하는 부분에서의 압전막(30)의 외주부의 적어도 일부가, 상부 전극(40)과 하부 전극(20)이 대향하여 형성된 영역(60)의 외주부와 대략 일치하는 압전 박막 공진자가 제공된다.
압전 박막 공진기, 필터, 기판, 하부 전극, 상부 전극, 압전막, 외주부

8. 发明公开

KR1020050066104A ＦＢＡＲ 소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：电影大音量声波谐振器及其相关方法和包装
公开(公告)号：KR1020050066104A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097330
申请日：2003-12-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이주호
IPC分类号： H03H9/24
CPC分类号： H03H9/02149 , H03H3/04 , H03H9/105 , H03H9/173
摘要： Disclosed herein is an FBAR (film bulk acoustic wave resonator) device and a manufacturing method thereof. The FBAR device comprises a substrate, a resonance unit including a lower electrode, a piezoelectric film, and an upper electrode, which are successively stacked on the substrate, and a passivation layer formed substantially throughout an upper surface and peripheral surface of the resonance unit in order to protect the resonance unit. A partial region of the passivation layer formed on at least the upper electrode has a thickness required to compensate for a difference between a resonant frequency of the resonance unit and a desired target resonant frequency.

9. 发明公开

KR1020130064334A 체적 음향 공진기, 체적 음향 공진기의 제조방법 및 체적 음향 공진기를 이용한 ＲＦ 디바이스 审中-实审
标题翻译：大容量声波谐波器及其制造方法，使用大容量声波谐振器的无线电频率设备
公开(公告)号：KR1020130064334A
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020110130902
申请日：2011-12-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손상욱 , 김덕환 , 김철수 , 박호수 , 송인상 , 신제식 , 이문철 , 추이징
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/1014 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H9/587 , Y10T29/42
摘要： PURPOSE: A bulk acoustic resonator, a manufacturing method of the bulk acoustic resonator and an RF(Radio Frequency) device using the bulk acoustic resonator are provided to improve loss of electric energy, a thermal characteristic and a quality factor. CONSTITUTION: A membrane(111) is located in an upper part of an air cavity(120), maintains a shape of the air cavity and supports a structure of a bulk acoustic resonance unit(110). The bulk acoustic resonance unit includes a first electrode(112), a piezoelectric layer(113) and a second electrode(114). The bulk acoustic resonance unit resonates the piezoelectric layer according to a signal to the first electrode and second electrode and generates a resonance frequency or an anti-resonance frequency. The piezoelectric layer is located in between the first electrode and second electrode. The first electrode, the piezoelectric layer, or the second electrode is formed with a carbon group material.
摘要翻译：目的：提供体声波谐振器，体声波谐振器的制造方法和使用体声波谐振器的RF（射频）器件，以改善电能的损失，热特性和品质因素。构成：膜（111）位于空气腔（120）的上部，保持空气腔的形状并支撑体声共振单元（110）的结构。体声共振单元包括第一电极（112），压电层（113）和第二电极（114）。体声共振单元根据向第一电极和第二电极的信号使压电层谐振，并产生共振频率或反共振频率。压电层位于第一电极和第二电极之间。第一电极，压电层或第二电极由碳基材料形成。

10. 发明公开

KR1020060134866A 음향 공진기 및 음향 공진기 제조 방법 有权
标题翻译：声学谐振器性能提高使用替代框架结构
公开(公告)号：KR1020060134866A
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：KR1020060056888
申请日：2006-06-23
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 루비리차드씨 , 파지오로날드쉐인 , 펭홍준 , 브래들리폴디
IPC分类号： H03H9/24
CPC分类号： H03H9/02086 , H03H3/02 , H03H9/02149 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H2003/0428
摘要： An acoustic resonator and a method of fabricating the same are provided to change a phase in some reflected waves of signal wavelength in an FBAR(Thin-Film Bulk Acoustic Resonator) membrane by forming alternative regions of different impedance. A first electrode(46) is positioned adjacent to a substrate(42), and has an outer perimeter. A piezoelectric layer is positioned adjacent to the first electrode. A second electrode(50) is positioned adjacent to the piezoelectric layer, and has an outer perimeter. An alternative frame region is formed on either of the first and second electrodes. A depression(44) is formed in the substrate, and has a depression perimeter. An acoustic mirror is formed in the substrate, and the first electrode spans over the acoustic mirror.
摘要翻译：提供一种声谐振器及其制造方法，通过形成不同阻抗的替代区域来改变FBAR（薄膜体声波谐振器）膜中信号波长的一些反射波中的相位。第一电极（46）定位成与基底（42）相邻，并且具有外周边。压电层位于第一电极附近。第二电极（50）邻近压电层定位，并具有外周。在第一和第二电极中的任一个上形成替代的框架区域。在基板上形成凹部（44），并且具有凹陷周边。在该基板上形成声镜，第一电极跨越声镜。

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