会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明公开
    • 교차쌍 구조의 트랜스 컨덕터
    • 交叉结构的横截面
    • KR1020030072930A
    • 2003-09-19
    • KR1020020012222
    • 2002-03-07
    • 삼성전자주식회사
    • 이정원조계옥이정은
    • H03F3/45
    • H03F3/45807H02M7/217H03F1/223H03F3/45286H03F2203/45394
    • PURPOSE: A transconductor of cross pair structure is provided, which has a wide operation frequency range as maintaining linearity, and operates at a high voltage. CONSTITUTION: According to a transconductor outputting a current corresponding to an input voltage from a current source through an output port, the first and the second MOS transistor(M3,M4) are connected to a voltage source through a drain and a source part. The first bipolar transistor(Q1) is connected to the current source to provide an output current through a collector part, and its emitter part is connected to a gate part of the second MOS transistor. The second bipolar transistor(Q2) is connected to the first bipolar transistor serially, and its base part is connected between the first MOS transistor and the second MOS transistor. And a gate part of the third MOS transistor(M5) is an external signal input port and a drain part of the third MOS transistor is connected to the emitter part of the second bipolar transistor.
    • 目的:提供交叉对结构的跨导体,其工作频率范围宽,保持线性,并在高电压下工作。 构成:根据输出与来自电流源的输入电压对应的电流通过输出端口的跨导体,第一和第二MOS晶体管(M3,M4)通过漏极和源极部与电压源连接。 第一双极晶体管(Q1)连接到电流源以提供通过集电极部分的输出电流,并且其发射极部分连接到第二MOS晶体管的栅极部分。 第二双极晶体管(Q2)串联连接到第一双极晶体管,其基极连接在第一MOS晶体管和第二MOS晶体管之间。 并且第三MOS晶体管(M5)的栅极部分是外部信号输入端口,并且第三MOS晶体管的漏极部分连接到第二双极晶体管的发射极部分。
    • 3. 发明授权
    • 교차쌍 구조의 트랜스 컨덕터
    • 교차쌍구조의트랜스컨덕터
    • KR100423494B1
    • 2004-03-18
    • KR1020020012222
    • 2002-03-07
    • 삼성전자주식회사
    • 이정원조계옥이정은
    • H03F3/45
    • H03F3/45807H02M7/217H03F1/223H03F3/45286H03F2203/45394
    • A transconductor for generating a current corresponding to an input voltage. The transconductor has a crossing pairs structure. The transconductor comprises a first and a second MOS(Metal-Oxide Semiconductor) transistors mutually connected in series to a voltage source. A first bipolar transistor is connected to a current source. A collector terminal of the first bipolar terminal is connected to an output current terminal. An emitter terminal of the first bipolar terminal is connected to a gate terminal of the second MOS transistor. A second bipolar transistor is connected in series to the first bipolar transistor. A base terminal of the second bipolar transistor is connected to a node between the first MOS transistor and the second MOS transistor. A third MOS transistor is provided. A gate terminal of the third MOS transistor is connected to an input terminal for a signal from outside. A drain terminal of the third MOS transistor is connected to an emitter terminal of the second bipolar transistor.
    • 用于产生对应于输入电压的电流的跨导器。 跨导体具有交叉对结构。 跨导器包括相互串联连接到电压源的第一和第二MOS(金属氧化物半导体)晶体管。 第一个双极晶体管连接到电流源。 第一双极端子的集电极端子连接到输出电流端子。 第一双极端子的发射极端子连接到第二MOS晶体管的栅极端子。 第二双极晶体管串联连接到第一双极晶体管。 第二双极晶体管的基极端子连接到第一MOS晶体管和第二MOS晶体管之间的节点。 提供第三MOS晶体管。 第三MOS晶体管的栅极端子连接到用于来自外部的信号的输入端子。 第三MOS晶体管的漏极端连接到第二双极晶体管的发射极端。
    • 4. 发明公开
    • 공통모드 피드백 회로를 구비한 상보형 트랜스컨덕턴스증폭기 및 트랜스컨덕턴스 증폭방법
    • 互补跨导放大器和共模反馈电路的跨导放大方法
    • KR1020060043939A
    • 2006-05-16
    • KR1020040091678
    • 2004-11-11
    • 삼성전자주식회사
    • 양성기문연국
    • H03F3/45
    • H03F3/45807H03F3/45251H03F3/45286H03F2203/45424
    • 공통모드 피드백 회로를 구비한 상보형 트랜스컨덕턴스 증폭기가 개시되어 있다. 트랜스컨덕턴스 증폭기는 제 1 형 트랜스컨덕터, 제 2 형 트랜스컨덕터, 및 공통모드 피드백 회로를 구비한다. 제 1 형 트랜스컨덕터는 제 1 제어신호의 제어하에 차동입력 신호쌍에 응답하여 제 1 차동출력 신호쌍을 발생시킨다. 제 2 형 트랜스컨덕터는 제 2 제어신호의 제어하에 차동입력 신호쌍에 응답하여 제 2 차동출력 신호쌍을 발생시킨다. 공통모드 피드백 회로는 공통모드 제어신호의 제어하에 제 1 및 제 2 차동출력 신호쌍에 응답하여 제 2 제어신호를 발생시킨다. 따라서, 트랜스컨덕턴스 증폭기는 선형성이 우수하고, 소모전류가 적으며, 트랜스컨덕턴스의 조절범위가 넓다.
    • 公开了一种具有共模反馈电路的互补跨导放大器。 跨导放大器包括第一类型跨导器,第二类型跨导器和共模反馈电路。 第一类型跨导器在第一控制信号的控制下响应于差分输入信号对生成第一差分输出信号对。 第二类型跨导器在第二控制信号的控制下响应于差分输入信号对生成第二差分输出信号对。 共模反馈电路在共模控制信号的控制下响应于第一和第二差分输出信号对产生第二控制信号。 因此,跨导放大器具有优异的线性度,低电流消耗和跨导控制范围。