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1. 发明授权

KR101326387B1 메타전자파 구조 공진기 有权
标题翻译：金属共振器
公开(公告)号：KR101326387B1
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：KR1020120058552
申请日：2012-05-31
申请人： 숭실대학교산학협력단
发明人： 서철헌 , 심우석 , 이종민
IPC分类号： H01P7/08 , H01P3/00
CPC分类号： H01P7/08 , H01P1/20372 , H01P3/08
摘要： The present invention relates to a metamaterial resonator. The metamaterial resonator includes a resonator part which is formed on the upper surface of a dielectric substrate with a ground surface on the bottom and has a lattice structure. The resonator part comprises a first horizontal bar; a second horizontal bar which is arranged in parallel to the first horizontal bar at the lower side of the first horizontal bar; a first vertical bar which connects one ends of the first horizontal bar and the second horizontal bar in the longitudinal direction; a third horizontal bar which is arranged in parallel between the first horizontal bar and the second horizontal bar; a fourth horizontal bar which is arranged in parallel at the lower side of the second horizontal bar; a second vertical bar which connects the other ends of the third horizontal bar and the fourth horizontal part in the longitudinal direction; a third vertical bar which connects the center parts of the second horizontal part and the fourth horizontal bar; a fifth horizontal bar which is arranged in parallel at the lower side of the fourth horizontal bar; a fourth vertical bar which connects one ends of the fourth horizontal bar and the fifth horizontal bar in the longitudinal direction; a sixth horizontal bar which is arranged in parallel between the fourth horizontal bar and the fifth horizontal bar; a seventh horizontal bar which is arranged in parallel at the lower side of the fifth horizontal bar; and a fifth vertical bar which connects the other ends of the sixth horizontal bar and the seventh horizontal bar. The metamaterial resonator is provided to obtain the characteristics of a high Q value in a resonant frequency by applying a metamaterial lattice structure. Furthermore, the metamaterial resonator can obtain the resonant characteristics of a higher Q value by connecting an active device to the metamaterial resonator.
摘要翻译：本发明涉及一种超材料谐振器。超材料谐振器包括谐振器部分，其形成在电介质基板的上表面上，底表面具有晶格结构。谐振器部分包括第一横条; 第二水平杆，其在第一水平杆的下侧平行于第一水平杆布置; 第一垂直杆，其连接所述第一水平杆的一端和所述第二水平杆的纵向方向; 第三水平杆，其平行布置在第一水平杆和第二水平杆之间; 第四水平杆，其在第二水平杆的下侧平行布置; 第二垂直杆，其连接第三水平杆的另一端和第四水平部分的纵向方向; 第三垂直杆，其连接第二水平部分的中心部分和第四水平杆; 在第四横杆的下侧平行设置的第五水平杆; 第四垂直杆，连接第四水平杆和第五水平杆的纵向方向的一端; 在第四水平杆和第五水平杆之间并排布置的第六水平杆; 在第五横杆的下侧平行设置的第七水平杆; 以及连接第六水平杆和第七水平杆的另一端的第五垂直杆。提供超材料谐振器以通过应用超材料晶格结构来获得谐振频率中的高Q值的特性。此外，通过将有源器件连接到超材料谐振器，超材料谐振器可以获得更高Q值的谐振特性。

2. 发明公开

KR1020080077624A 유전체 필터, 칩 소자 및 칩 소자 제조방법 有权
标题翻译：电介质滤芯，芯片元件和芯片元件制造方法
公开(公告)号：KR1020080077624A
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020087014307
申请日：2007-06-26
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 타케이야스노리 , 히로시마모토하루 , 카토히데유키
IPC分类号： H01P1/20
CPC分类号： H01P1/2039 , H01P1/20372 , Y10T29/49155
摘要： A chip element (1) is a filter having an earth electrode (15) and a plurality of principal face electrodes (13A), (13B) and (14) disposed on a dielectric substrate (10) of a flat plate shape. The principal face electrodes (13A) and (13B) are connected through shorting side face electrodes (11A) and (11B) with the earth electrode (15) thereby to form a 1/4 wavelength resonance line. The principal face electrode (14) is arranged between the principal face electrodes (13A) and (13B), and is opened at its two ends to constitute a half-wavelength resonance line. Each of the principal face electrodes (13A) and (13B) includes parallel portions (19) arranged in parallel with and close to the principal face electrode (14), and bent portions (18) bend from the parallel portions (19) and extending toward the other principal face electrodes (13A) and (13B) thereby to form jump joints. The shorting side face electrodes (11A) and (11B) are jump-jointed to the bent portions (18).
摘要翻译：芯片元件（1）是具有接地电极（15）和设置在平板形状的电介质基板（10）上的多个主面电极（13A），（13B）和（14）的滤波器。主面电极（13A）和（13B）通过短路侧面电极（11A）和（11B）与接地电极（15）连接，从而形成1/4波长的谐振线路。主面电极（14）布置在主面电极（13A）和（13B）之间，并在其两端开口以构成半波长谐振线。主面电极（13A）和（13B）中的每一个包括与主面电极（14）平行并靠近的平行部分（19），并且弯曲部分（18）从平行部分（19）弯曲并延伸朝向其他主面电极（13A）和（13B），从而形成跳动接头。短路侧面电极（11A）和（11B）与弯曲部分（18）跳跃接合。

3. 发明公开

KR1020030052677A 초전도 필터와 ＬＮＡ 일체형 패키지 및 그 튜닝장치 无效
标题翻译：超导滤波器及其调谐装置
公开(公告)号：KR1020030052677A
公开(公告)日：2003-06-27
申请号：KR1020010082700
申请日：2001-12-21
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김태일 , 김상균
IPC分类号： H03H9/00
CPC分类号： H03H9/00 , H01P1/20372 , H03J1/00 , H04B1/036
摘要： PURPOSE: An unified package of a superconductive filter and an LNA(Low Noise Amplifier) and a tuning device thereof are provided to prevent a variation of a tuning characteristic of the superconductive filter by reducing a matching loss between the superconductive filter and the LNA. CONSTITUTION: An unified package includes a superconductive filter(10), an LNA(20), an interconnection line(30), and a cap(40). The LNA is located at a side portion of the superconductive filter. The interconnection line is used for connecting electrically the superconductive filter with the LNA by using a wire bonding method. The cap is used for packaging the superconductive filter and the LNA. The wire bonding process is performed by using Au. The superconductive filter and the LNA are packaged by the cap, respectively.
摘要翻译：目的：提供超导滤波器和LNA（低噪声放大器）及其调谐装置的统一封装，以通过减小超导滤波器和LNA之间的匹配损耗来防止超导滤波器的调谐特性的变化。构成：统一包装包括超导滤波器（10），LNA（20），互连线（30）和盖（40）。 LNA位于超导滤波器的侧面部分。互连线用于通过引线接合方法将超导滤波器与LNA电连接。该盖用于包装超导滤波器和LNA。引线接合工艺通过使用Au进行。超导过滤器和LNA分别由盖包装。

4. 发明授权

KR101036051B1 동조 가능한 마이크로파 장치 有权
标题翻译：微波炉安装
公开(公告)号：KR101036051B1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020067013110
申请日：2003-12-30
申请人： 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍)
发明人： 게보르지안스파르탁 , 레윈토마스 , 쿠이렌스티에르나단
IPC分类号： H01P3/08 , H01P3/18
CPC分类号： H01P1/20372 , H01P1/181 , H01P1/2005 , H01P3/08 , H01P5/04 , H01P5/185 , H01P7/082 , H01P7/088
摘要： 본 발명은 마이크로파/집적 회로 장치(11) 및 기판(6)을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치(10)에 관한 것이다. 그것은 상기 마이크로파/집적 회로 장치 및 상기 기판 사이에 배열된 적층을 포함하는데, 상기 적층은 접지 평면으로서 작용하고, 그것은 적어도 하나의 규칙적이거나 불규칙하게 패턴화된 제 1 메탈 층(1), 적어도 하나의 제 2 메탈층(3), 적어도 하나의 동조 가능한 강유전성 필름층(2)을 포함하고, 이로써 상기 층들이 배열되어 상기 강유전성 필름층(2)이 제 1 메탈층(1) 및 제 2 메탈층(3) 사이에 제공된다.
마이크로파 장치, 마이크로파/집적 회로 장치, 메탈층, 강유전성 필름층

5. 发明授权

KR100990275B1 유전체 필터, 칩 소자 및 칩 소자 제조방법 有权
标题翻译：电介质滤芯，芯片元件和芯片元件制造方法
公开(公告)号：KR100990275B1
公开(公告)日：2010-10-26
申请号：KR1020087014307
申请日：2007-06-26
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 타케이야스노리 , 히로시마모토하루 , 카토히데유키
IPC分类号： H01P1/20
CPC分类号： H01P1/2039 , H01P1/20372 , Y10T29/49155
摘要： 칩 소자(1)는 평판 형상의 유전체 기판(10)에 접지전극(15)과 복수의 주면전극(13A, 13B, 14)을 형성한 필터이다. 주면전극(13A, 13B)은 단락용 측면전극(11A, 11B)을 개재하여 접지전극(15)에 접속하여 1/4 파장 공진선로를 구성하고 있다. 주면전극(14)은 주면전극(13A, 13B) 사이에 배치되어 있으며, 양끝을 개방하여 반파장 공진선로를 구성하고 있다. 주면전극(13A, 13B)은 각각 주면전극(14)에 평행하게 근접 배치한 평행부(19)와, 평행부(19)에서 굴곡하여 다른쪽 주면전극(13B, 13A)의 방향으로 연장하여 점프 결합하는 굴곡부(18)를 가진다. 단락용 측면전극(11A, 11B)은 굴곡부(18)와 함께 점프 결합한다.
칩 소자, 유전체 기판, 필터, 주면전극, 측면전극, 공진선로

6. 发明公开

KR1020080068229A 전송선 조각을 사용한 마이크로파/밀리미터파용 가변소자 失效
标题翻译：用于使用传输线条的微波/微波波形应用的微控制器件
公开(公告)号：KR1020080068229A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070005693
申请日：2007-01-18
申请人： 김성일
发明人： 김성일
IPC分类号： H01P7/08 , H01P3/08
CPC分类号： H01P1/20372 , H01P1/20336 , H01P1/20363 , H01P1/2039
摘要： A tunable device for a microwave/a millimeter wave using a transmission line strip is provided to tune a resonance frequency for improving a tunable characteristic while minimizing a size of a device. A tunable device for a microwave/a millimeter wave using a transmission line strip includes one or more open-circuited resonators(403), one or more opened transmission strips(406), and tunable capacitors(405). The open-circuited resonators are formed on a substrate and are coupled with each other. The transmission line strips are provided in the open-circuited resonators. The tunable capacitors are connected between opened ends(403a) of the open-circuited resonators and opened ends(401a,402a) of the transmission line strips. Electrical lengths of the transmission line strips are a half wavelength or less.
摘要翻译：提供使用传输线条的用于微波/毫米波的可调谐装置，以调谐谐振频率以改善可调谐特性，同时使装置的尺寸最小化。使用传输线条的微波/毫米波的可调谐装置包括一个或多个开路谐振器（403），一个或多个开放的传输条（406）和可调电容器（405）。开路谐振器形成在基板上并且彼此耦合。传输线条设置在开路谐振器中。可调电容器连接在开路谐振器的开路端（403a）和传输线条的开口端（401a，402a）之间。传输线条的电气长度为半波长或更短。

7. 发明授权

KR101577370B1 마이크로웨이브 필터 有权
标题翻译：微波滤波器
公开(公告)号：KR101577370B1
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：KR1020127003903
申请日：2009-07-14
申请人： 사브 에이비
发明人： 비키스한스-올로프 , 크리스티안손시몬
IPC分类号： H01P1/203 , H05K1/16
CPC分类号： H05K1/0251 , H01P1/20372 , H01P5/028 , H05K1/0222 , H05K1/0227 , H05K1/0239 , H05K2201/09609 , H05K2201/0979
摘要： 본발명은필터유닛(1) 및대응하는인쇄회로기판(2)에관한것이다. 필터유닛(1)과인쇄회로기판(2)은, 인쇄회로기판(2)을변경함이없이복수의필터유닛들(1)이인쇄회로기판상에서사용될수 있도록정합되어있는수정된말단부분들(7, 8, 22, 23)을갖추고있다.

8. 发明公开

KR1020080050789A 밀리미터파 대역용 평면형 전압제어 발진기 无效
标题翻译：平面式电压控制振荡器，用于微波波浪区域
公开(公告)号：KR1020080050789A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020060121520
申请日：2006-12-04
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이진구 , 채연식 , 이성대
IPC分类号： H03B5/18
CPC分类号： H03B9/141 , H01P1/20372 , H03B2009/123 , H03B2201/0208
摘要： A planar voltage controlled oscillator for a millimeter band is provided to facilitate a frequency tuning process by adjusting an operation voltage of a varactor diode. A planar voltage controlled oscillator includes an active element unit, a resonance unit, and a tuning unit. The active element unit is composed of a Gunn diode(100). The resonance unit is composed of a ring type planar resonator(200). The tuning unit is composed of varactor diodes(300) for tuning a frequency.
摘要翻译：提供了用于毫米波段的平面压控振荡器，以通过调整变容二极管的工作电压来促进频率调谐过程。平面压控振荡器包括有源元件单元，谐振单元和调谐单元。有源元件单元由耿氏二极管（100）组成。谐振单元由环形平面谐振器（200）组成。调谐单元由用于调谐频率的变容二极管（300）组成。

9. 发明授权

KR100675393B1 집중소자 커패시터와 접지를 이용하여 소형화한 평행결합선로 필터 및 그 제조방법 失效
标题翻译：并联耦合线滤波器通过使用集总电容器及其接地及其制造方法而小型化
公开(公告)号：KR100675393B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020050016069
申请日：2005-02-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손미현 , 명성식 , 육종관 , 김영환
IPC分类号： H01P1/203
CPC分类号： H01P1/20363 , H01P1/20372
摘要： 집중소자 커패시터와 접지를 이용하여 소형화한 평행결합선로 필터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 평행결합선로 필터는, 평행결합선로, 평행결합선로의 입력단에 마련된 2개의 포트 중 어느 하나에 연결된 제1 커패시터 및 평행결합선로의 출력단에 마련된 2개의 포트 중 어느 하나에 연결된 제2 커패시터를 포함한다. 이에 의해, 비교적 간단한 이론적 지식을 바탕으로 평행결합선로 필터를 원하는 크기로 소형화할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에 따른 평행결합선로 필터는 주파수 선택도가 좋고, 우수한 고조파 특성을 가진다.
필터, 소형화, 평행결합선로, 커패시터, 접지, 전송선로

10. 发明公开

KR1020070012332A 동조 가능한 마이크로파 장치 有权
标题翻译：微波炉安装
公开(公告)号：KR1020070012332A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020067013110
申请日：2003-12-30
申请人： 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍)
发明人： 게보르지안스파르탁 , 레윈토마스 , 쿠이렌스티에르나단
IPC分类号： H01P3/08 , H01P3/18
CPC分类号： H01P1/20372 , H01P1/181 , H01P1/2005 , H01P3/08 , H01P5/04 , H01P5/185 , H01P7/082 , H01P7/088
摘要： The present invention relates to a tunable microwave arrangement (10) comprising a microwave/ integrated circuit device (11) and a substrate (6). It comprises a layered structure disposed between said microwave /integrated circuit device and said substrate (5), said layered structure acting as a ground plane and it comprises at least one regularly or irregularly patterned first metal layer (1), at least one second metal layer (3), at least one tunable ferroelectric film layer (2), whereby said layers are so arranged that the ferroelectric film layers) (2) is/are provided between the/a first metal layer (1) and the/a second metal layer (3). ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：本发明涉及一种包括微波/集成电路器件（11）和衬底（6）的可调谐微波装置（10）。它包括设置在所述微波/集成电路器件和所述衬底（5）之间的分层结构，所述层状结构用作接地平面，并且其包括至少一个规则或不规则图案化的第一金属层（1），至少一个第二金属层（3），至少一个可调铁电体膜层（2），其中所述层被布置成使得铁电体膜层（2）设置在第一金属层（1）和/ 金属层（3）。 ®KIPO＆WIPO 2007

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