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1. 发明授权

KR100876822B1 플립칩 패키지용 평면형 건 다이오드 有权
标题翻译：平面型Gunn二极管用于倒装芯片封装
公开(公告)号：KR100876822B1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020060121617
申请日：2006-12-04
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이진구 , 채연식 , 이성대
IPC分类号： H01L29/86
摘要： 본 발명은 건 다이오드에 관한 것으로서 반절연성 화합물 반도체로 이루어진 반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 에피택셜 성장법에 의해 불순물이 고농도로 도핑되게 형성된 화합물 반도체로 이루어진 활성층과, 상기 활성층 상의 소정 부분에 액상 또는 기상 에피택셜 성장법에 의해 형성된 불순물이 도핑된 화합물 반도체로 메사 구조를 이루어 상기 활성층의 양측이 노출되게 형성된 스페이서층과, 상기 스페이서층 상에 액상 또는 기상 에피택셜 성장법에 의해 형성된 불순물이 도핑된 화합물 반도체로 형성된 제 1 접촉저항층과, 상기 활성층 상의 상기 스페이서층이 형성되지 않은 부분에 액상 또는 기상 에피택셜 성장법에 의해 형성된 불순물이 도핑된 화합물 반도체로 형성된 제 2 접촉저항층과, 상기 제 1 접촉저항층 상에 형성된 음극 전극과, 상기 제 2 접촉저항층 상에 형성된 양극 전극을 포함한다. 그러므로, 반도체 기판을 얇은 두께로 연마하지 않고 활성층이 얇게 형성되므로 제조 원가를 감소시키며, 평면 형태 패키지시 와이어 본딩이 필요없어 공정을 감소시킬 수 있으고, 또한, 발진기 구성시 발진 주파수가 증가할수록 신호 손실이 증가되는 것을 방지할 수 있다.
건 다이오드, 평면 형태 구조, 패키지, 와이어 본딩

2. 发明公开

KR1020080050789A 밀리미터파 대역용 평면형 전압제어 발진기 无效
标题翻译：平面式电压控制振荡器，用于微波波浪区域
公开(公告)号：KR1020080050789A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020060121520
申请日：2006-12-04
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이진구 , 채연식 , 이성대
IPC分类号： H03B5/18
CPC分类号： H03B9/141 , H01P1/20372 , H03B2009/123 , H03B2201/0208
摘要： A planar voltage controlled oscillator for a millimeter band is provided to facilitate a frequency tuning process by adjusting an operation voltage of a varactor diode. A planar voltage controlled oscillator includes an active element unit, a resonance unit, and a tuning unit. The active element unit is composed of a Gunn diode(100). The resonance unit is composed of a ring type planar resonator(200). The tuning unit is composed of varactor diodes(300) for tuning a frequency.
摘要翻译：提供了用于毫米波段的平面压控振荡器，以通过调整变容二极管的工作电压来促进频率调谐过程。平面压控振荡器包括有源元件单元，谐振单元和调谐单元。有源元件单元由耿氏二极管（100）组成。谐振单元由环形平面谐振器（200）组成。调谐单元由用于调谐频率的变容二极管（300）组成。

3. 发明授权

KR100935827B1 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 2具有负差分电阻的终端设备及其制造方法
公开(公告)号：KR100935827B1
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080100087
申请日：2008-10-13
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 김삼동 , 이재서 , 이진구 , 김미라 , 이성대 , 문성운 , 오정훈 , 이석훈
IPC分类号： H01L29/861 , H01L27/04
摘要： PURPOSE: A two-terminal electronic device and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability of the device by increasing a contact area between the electronic device and the outside. CONSTITUTION: A heat sink has a metal or thermal conductive material. A semiconductor substrate(120) is positioned on an upper side of the heat source. A first electrode(130) is formed between the heat sink and the semiconductor substrate. A second electrode(110) is formed on the semiconductor substrate. A conductive substrate is comprised of a pattern with at least one of an intaglio pattern or embossed pattern on the plane.
摘要翻译：目的：提供一种双端子电子器件及其制造方法，以通过增加电子器件与外部之间的接触面积来提高器件的可靠性。构成：散热器具有金属或导热材料。半导体衬底（120）位于热源的上侧。第一电极（130）形成在散热器和半导体衬底之间。第二电极（110）形成在半导体衬底上。导电衬底由在该平面上具有凹版图案或压纹图案中的至少一个的图案组成。

4. 发明公开

KR1020080050829A 플립칩 패키지용 평면형 건 다이오드 有权
标题翻译：平面型枪型二极管
公开(公告)号：KR1020080050829A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020060121617
申请日：2006-12-04
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이진구 , 채연식 , 이성대
IPC分类号： H01L29/86
摘要： A planar type gun diode for use in a flip-chip package is provided to reduce a manufacture cost by forming a thin active layer without polishing a semiconductor substrate thinly. A semiconductor substrate(31) is comprised of a semi-insulating compound semiconductor. An active layer(33) comprised of a compound semiconductor, where impurities are doped with a high concentration by an epitaxial growth method, is formed on the semiconductor substrate. A spacer layer(35) is formed on a predetermined part on the active layer to expose both sides of the active layer by making a mesa structure with the impurity-doped compound semiconductor formed by a liquid or vapor epitaxial growth method. A first contact resistance layer(37) is formed on the spacer layer with the impurity-doped compound semiconductor formed by the liquid or vapor epitaxial growth method. A second contact resistance layer(41) is formed on a part of the active layer where the spacer layer is not formed. The second contact resistance layer is formed with the impurity doped compound semiconductor formed by the liquid or vapor epitaxial growth method. A cathode electrode(39) is formed on the first contact resistance layer. An anode electrode(43) is formed on the second contact resistance layer.
摘要翻译：提供了一种用于倒装芯片封装的平面型二极管，用于通过形成薄的有源层而不对半导体衬底进行薄的研磨来降低制造成本。半导体衬底（31）由半绝缘化合物半导体构成。在半导体衬底上形成由化学半导体构成的有源层（33），其中通过外延生长法以高浓度掺杂杂质。在活性层上的预定部分上形成间隔层（35），通过与通过液体或气相外延生长法形成的杂质掺杂化合物半导体形成台面结构来暴露有源层的两侧。通过液体或气相外延生长方法形成的杂质掺杂化合物半导体在间隔层上形成第一接触电阻层（37）。在没有形成间隔层的有源层的一部分上形成第二接触电阻层（41）。第二接触电阻层由通过液体或气相外延生长法形成的杂质掺杂化合物半导体形成。阴极电极（39）形成在第一接触电阻层上。阳极电极（43）形成在第二接触电阻层上。

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