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1. 发明公开

KR1020090073187A 포토센서, 디스플레이 장치의 동작 방법 및 광센서, 디스플레이 시스템 无效
标题翻译：光电传感器和环境光传感器
公开(公告)号：KR1020090073187A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020097008155
申请日：2007-10-04
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 하드웬,벤자민,제임스 , 브라운,크리스토퍼,제임스
IPC分类号： H01L31/10 , G02F1/133
CPC分类号： G01J1/44 , G01J1/1626 , G01J1/4204 , G09G3/3406 , G09G2360/144 , H01L31/105 , H01L31/111
摘要： applying a bias voltage to a photosensor (12) comprising n (n > 1) photo-sensitive elements (8) connected in series, and determining the photocurrent in the photosensor (12) at a time when the applied bias voltage across the photosensor maintains the photosensor at or close to the point at which it has the greatest signal-to-noise ratio. This may conveniently be done by determining the current in the photosensor at a time when the applied bias voltage across the photosensor is equal or approximately equal to n x Vbi, where Vbi is the bias voltage about which the current in a single one of the photo-sensitive elements (8), in the dark, changes sign. In an embodiment in which the photo-sensitive elements (8) are photodiodes, the bias voltage Vbi is the ''built-in'' voltage of the photodiodes. The photocurrent generated when n series-connected photodiodes are illuminated is approximately equal to the photocurrent generated when one photodiode is illuminated. However, the leakage current (i.e., the dark current) for the n series-connected photodiodes is significantly lower than the leakage current for one photodiode. The signal-to-noise-ratio is therefore significantly increased.
摘要翻译：对包括串联连接的n（n> 1）个光敏元件（8）的光电传感器（12）施加偏置电压，并且在光电传感器（12）两端施加的偏置电压保持时确定光电传感器（12）中的光电流光电传感器处于或接近其具有最大信噪比的点。这可以通过确定光电传感器中的电流在光电传感器上施加的偏置电压等于或近似等于nx Vbi的时间来确定光电传感器的电流，其中Vbi是单个光电传感器中的电流的偏置电压，敏感元素（8），在黑暗中改变迹象。在光敏元件（8）是光电二极管的实施例中，偏置电压Vbi是光电二极管的“内置”电压。当n个串联连接的光电二极管被照亮时产生的光电流近似等于当一个光电二极管被照亮时产生的光电流。然而，n个串联连接的光电二极管的漏电流（即暗电流）明显低于一个光电二极管的漏电流。因此，信噪比显着增加。

2. 发明公开

KR1020010110738A 다중 스토리지 노드 전 컬러 액티브 화소 센서 无效
标题翻译：多存储节点全彩色活动像素传感器
公开(公告)号：KR1020010110738A
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：KR1020017012960
申请日：2000-03-15
申请人： 포베온, 인크.
发明人： 메릴,리차드,비. , 라이온,리차드,에프.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L31/111 , H04N5/353 , H04N5/3537 , H04N5/3745 , H04N2209/047
摘要： 액티브화소센서는제1 도전형의반도체기판상에배치되고, 기판에배치된복수의반도체영역, 반도체영역중 한영역을둘러싸는다른영역내에전체적으로둘러싸이지는반도체영역중 각각연속적인영역을포함한다. 복수의반도체영역은제1 도전형과제1 도전형의영역에대향하는제2 도전형사이에교번한다. 반도체영역중 다른모든영역을포함하는반도체영역중 제1 둘러싸는영역은제2 도전형의영역이어서, 복수의직렬접속된광다이오드는기판과반도체영역중 최내의둘러싸여진영역사이에형성된다. 복수의리셋스위치각각은교번하는반도체영역중 다른영역에결합되는제1 단자와리셋전위에전환가능하게결합되는제2 단자를구비한다. 복수의스토리지노드의각각은복수의교번하는반도체영역중 별개의영역에결합된다.
摘要翻译：有源像素传感器设置在第一导电类型的半导体衬底上，并且包括设置在衬底中的多个半导体区域，每个连续的一个半导体区域被完全封闭在另一个封闭的一个半导体区域中。多个半导体区域在第一导电类型和与第一导电类型相反的第二导电类型之间交替。包含半导体区域中的所有其他半导体区域的第一封装的一个半导体区域是第二导电类型，使得在衬底和最内围的一个半导体区域之间形成多个串联的光电二极管。多个复位开关各自具有耦合到交替半导体区域中的不同一个的第一端子和可切换地耦合到复位电位的第二端子。多个存储节点中的每一个耦合到多个交替半导体区域中的单独一个。

3. 发明公开

KR1020140106314A 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体器件及其制造
公开(公告)号：KR1020140106314A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020713
申请日：2013-02-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박재훈 , 송인혁 , 서동수 , 김광수 , 엄기주
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L27/0817 , H01L27/088 , H01L27/0921 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1079 , H01L29/41733 , H01L29/4232 , H01L29/66325 , H01L29/66333 , H01L29/66477 , H01L29/66484 , H01L29/66954 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/768 , H01L29/78 , H01L31/111 , H01L31/1113 , H01L51/0512 , H01L29/42364
摘要： The present invention relates to a power semiconductor device including a first conductivity type drift layer; a second conductivity type body layer formed on the upper part of the drift layer; a second conductivity type collector layer formed on the lower part of the drift layer; a first gate passing through a portion of the body layer and the drift layer; a first conductivity type emitter layer formed on the body layer and spaced apart from the first gate; and a second gate partially covering the upper part of the emitter layer and the body layer, and formed on the upper part of the first gate in a flat plate shape. A deposition blocking layer is formed in a gap in contact with the first and second gates, the body layer, the emitter layer, and the drift layer.
摘要翻译：本发明涉及包括第一导电型漂移层的功率半导体器件; 形成在漂移层的上部的第二导电型体层; 形成在漂移层的下部的第二导电型集电极层; 通过所述体层的一部分和所述漂移层的第一栅极; 形成在所述主体层上并与所述第一栅极间隔开的第一导电型发射极层; 以及第二栅极，部分地覆盖发射极层和主体层的上部，并且以平板形状形成在第一栅极的上部。在与第一和第二栅极，主体层，发射极层和漂移层接触的间隙中形成沉积阻挡层。

4. 发明公开

KR1020080097227A 수직 3-컬러 센서 无效
标题翻译：垂直三色传感器
公开(公告)号：KR1020080097227A
公开(公告)日：2008-11-04
申请号：KR1020087022780
申请日：2007-02-28
申请人： 앱티나 이미징 코포레이션
发明人： 그룰크,러셀,더블류. , 부락,다푸즈 , 던간,토마스,이.
IPC分类号： G02B5/20
CPC分类号： G02B5/201 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B6/1226 , H01L27/1462 , H01L27/14647 , H01L31/111 , H04N2209/047
摘要： A vertical tri-color sensor having vertically stacked blue, green, and red pixels detects " at least blue and green components of incident light by converting the blue and green components to surface plasmons.
摘要翻译：具有垂直堆叠的蓝色，绿色和红色像素的垂直三色传感器通过将蓝色和绿色部件转换成表面等离子体激元来“检测入射光的至少蓝色和绿色分量”。

5. 发明授权

KR101452091B1 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体器件及其制造
公开(公告)号：KR101452091B1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130020713
申请日：2013-02-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박재훈 , 송인혁 , 서동수 , 김광수 , 엄기주
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L27/0817 , H01L27/088 , H01L27/0921 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1079 , H01L29/41733 , H01L29/4232 , H01L29/66325 , H01L29/66333 , H01L29/66477 , H01L29/66484 , H01L29/66954 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/768 , H01L29/78 , H01L31/111 , H01L31/1113 , H01L51/0512
摘要： 본 발명은 제1 도전형을 가지는 드리프트 층; 상기 드리프트 층의 상부에 형성되며, 제2 도전형을 가지는 바디 층; 상기 드리프트 층의 하부에 형성되는, 제2 도전형의 콜랙터 층; 상기 바디 층과 드리프트 층의 일부를 관통하여 형성되는 제1 게이트; 상기 바디 층에 형성되며, 상기 제1 게이트와 이격되어 형성되는 제1 도전형을 가지는 에미터 층; 상기 바디 층 및 상기 에미터 층의 상부의 일부를 덮으며, 상기 제1 게이트의 상부에 평판형으로 형성되는 제2 게이트;를 포함하고, 상기 제1 및 제2 게이트와 상기 바디 층, 상기 에미터 층 및 상기 드리프트 층이 접하는 사이에 형성되는 석출 저지층을 포함하는 전력 반도체 소자에 관한 것이다.

6. 发明授权

KR101322871B1 분자 탐지 및 식별에 이용되는 멀티정션 포토다이오드, 및 이를 제조하기 위한 방법 有权
标题翻译：多结光电二极管在应用分子检测和鉴别中的应用及其制造方法
公开(公告)号：KR101322871B1
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020120052054
申请日：2012-05-16
申请人： 티-쉬웨 바이오테크, 아이엔씨.
发明人： 차이치운-룽 , 황주이-펑 , 슈밍-팡 , 쳔치-양
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/111 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14647 , H01L27/14689 , H01L31/035281
摘要： 분자 탐지 및 식별을 위한 멀티-정션 포토다이오드 및 이의 제조 방법들이 제공된다. 상기 멀티-정션 포토다이오드는 제1 도전형 도펀트를 갖는 기판, 제1 도전형 도펀트를 갖는 에피택시 층, 제2 도전형 도펀트를 갖는 딥 웰, 제1 도전형 도펀트를 갖는 제1 웰, 제2 도전형 도펀트를 갖는 제2 웰, 제1 도전형 도펀트를 갖는 제3 웰, 및 제2 도전형 도펀트를 갖는 제1 도핑 영역을 포함한다. 에피택시 층은 기판 상에 배치된다. 딥 웰은 에피택시 층 내에 배치된다. 에피택시 층에 연결되는 세 측면들을 갖는 제1 웰은 딥 웰 내에 배치된다. 제2 웰은 제1 웰 내에 배치된다. 에피택시 층에 연결되는 세 측면들을 갖는 제3 웰은 제2 웰 내에 배치된다. 제1 도핑 영역은 제3 웰 내에 배치된다.

7. 发明公开

KR1020130047550A 분자 탐지 및 식별에 이용되는 멀티정션 포토다이오드, 및 이를 제조하기 위한 방법 有权
标题翻译：用于分子检测和鉴定的多结点光电子体及其制备方法
公开(公告)号：KR1020130047550A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020120052054
申请日：2012-05-16
申请人： 티-쉬웨 바이오테크, 아이엔씨.
发明人： 차이치운-룽 , 황주이-펑 , 슈밍-팡 , 쳔치-양
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/111 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14647 , H01L27/14689 , H01L31/035281
摘要： PURPOSE: A multi-junction photodiode for molecular detection and discrimination, and a method for fabricating the same are provided to deposit a wall region and a doping region in an epitaxial layer and to secure a dark current characteristic and a high sensitivity characteristic. CONSTITUTION: An epitaxial layer(104) having a first conductive dopant is formed on a substrate. A deep well region(106) having a second conductive dopant is formed in the epitaxial layer. A first well region(108) having the first conductive dopant is formed in the deep well region. A second well region(110) having the second conductive dopant is formed in the first well region. A third well region(112) having the first conductive dopant is formed in the second well region. A first doping region(114) having the second conductive dopant is formed in the third well region.
摘要翻译：目的：提供用于分子检测和鉴别的多结光电二极管及其制造方法，以在外延层中沉积壁区域和掺杂区域，并确保暗电流特性和高灵敏度特性。构成：在衬底上形成具有第一导电掺杂剂的外延层（104）。在外延层中形成具有第二导电掺杂剂的深阱区（106）。具有第一导电掺杂剂的第一阱区（108）形成在深阱区中。具有第二导电掺杂剂的第二阱区（110）形成在第一阱区中。在第二阱区中形成具有第一导电掺杂剂的第三阱区（112）。在第三阱区域中形成具有第二导电掺杂剂的第一掺杂区域（114）。

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