专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020020087059A 자동 노출 검출 기능을 가진 고감도 스토리지 화소 센서 无效
标题翻译：具有自动曝光检测的高灵敏度存储像素传感器
公开(公告)号：KR1020020087059A
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：KR1020027011352
申请日：2001-02-27
申请人： 포베온, 인크.
发明人： 메릴,리차드,비. , 터너,리차드,엠. , 동,밀턴,비. , 라이언,리차드,에프.
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/353
摘要： 반도체 기판 상에 배치된 스토리지 화소 센서는 제1 전위에 결합된 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 포토다이오드를 포함한다. 배리어 트랜지스터는 포토다이오드의 제2 단자에 결합된 제1 단자, 제2 단자 및 배리어 세트 전압에 결합된 제어 게이트를 갖는다. 리세트 트랜지스터는 배리어 트랜지스터의 제2 단자에 결합된 제1 단자, 포토다이오드를 역방향 바이어스하는 리세트 기준 전위에 결합된 제2 단자, 및 RESET 신호의 소스에 결합된 제어 게이트를 갖는다. 광전하 집적 노드는 사기 상기 배리어 트랜지스터의 상기 제2 단자에 결합된다. 광전하 집적 노드는 제1 소스-폴로워 트랜지스터의 제어 게이트를 포함한다. 제1 소스-폴로워 트랜지스터는 바이어스 전류의 소스에 결합되며 하나의 출력을 갖는다. 용량성 스토리지 노드는 제1 소스-폴로워 트랜지스터의 출력에 결합되며 하나의 출력을 갖는 제2 소스-폴로워 트랜지스터의 제어 게이트를 포함한다. 노출 트랜지스터는 제1 소스-폴로워 트랜지스터의 출력과 전체 전류-합산 노드 사이에 결합되며 포화 레벨 전압에 결합된 제어 게이트를 갖는다.

2. 发明公开

KR1020030029124A 전자 고분해능 디지털 스틸 카메라 无效
标题翻译：电子高分辨率数码相机
公开(公告)号：KR1020030029124A
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：KR1020037001641
申请日：2001-07-27
申请人： 포베온, 인크.
发明人： 메드,카버,에이. , 메릴,리차드,비. , 라이온,리차드,에프.
IPC分类号： H04N5/235
CPC分类号： H04N5/2353 , H04N5/23212 , H04N5/23293 , H04N5/353 , H04N5/3745
摘要： 전자 카메라 시스템은 적어도 하나의 렌즈를 포함하는 렌즈 시스템을 포함한다. 복수의 화소을 구비한 반도체 센서 어레이는 렌즈 시스템에 광학적으로 결합된다. 각각의 화소은 입사광의 함수인 출력 신호를 발생시킨다. 센서 제어 회로는 사용자 입력에 응답하여 반도체 센서 어레이에서 화소의 동작을 제어하기 위한 센서 제어 신호를 생성하도록 적응된다. 센서 제어 신호가 제1 상태에 있을 때 화소의 제1 세트와, 센서 제어 신호가 제2 상태에 있을 때 화소의 제2 세트를, 반도체 센서 어레이로부터 생성하기 위한 회로가 제공된다. 화소의 제1 세트는 화소의 제2 세트 보더 많은 화소을 포함한다. 기억 매체는 센서 어레이에 결합되며, 센서 제어 신호가 제1 상태에 있을 때 화상 출력 신호의 제1 세트의 표현을 저장하도록 적응된다. 디스플레이는 센서 제어 신호가 제2 상태에 있을 때 화상 출력 신호의 제2 세트를 디스플레이하도록 적응된다.

3. 发明公开

KR1020010110738A 다중 스토리지 노드 전 컬러 액티브 화소 센서 无效
标题翻译：多存储节点全彩色活动像素传感器
公开(公告)号：KR1020010110738A
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：KR1020017012960
申请日：2000-03-15
申请人： 포베온, 인크.
发明人： 메릴,리차드,비. , 라이온,리차드,에프.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L31/111 , H04N5/353 , H04N5/3537 , H04N5/3745 , H04N2209/047
摘要： 액티브화소센서는제1 도전형의반도체기판상에배치되고, 기판에배치된복수의반도체영역, 반도체영역중 한영역을둘러싸는다른영역내에전체적으로둘러싸이지는반도체영역중 각각연속적인영역을포함한다. 복수의반도체영역은제1 도전형과제1 도전형의영역에대향하는제2 도전형사이에교번한다. 반도체영역중 다른모든영역을포함하는반도체영역중 제1 둘러싸는영역은제2 도전형의영역이어서, 복수의직렬접속된광다이오드는기판과반도체영역중 최내의둘러싸여진영역사이에형성된다. 복수의리셋스위치각각은교번하는반도체영역중 다른영역에결합되는제1 단자와리셋전위에전환가능하게결합되는제2 단자를구비한다. 복수의스토리지노드의각각은복수의교번하는반도체영역중 별개의영역에결합된다.
摘要翻译：有源像素传感器设置在第一导电类型的半导体衬底上，并且包括设置在衬底中的多个半导体区域，每个连续的一个半导体区域被完全封闭在另一个封闭的一个半导体区域中。多个半导体区域在第一导电类型和与第一导电类型相反的第二导电类型之间交替。包含半导体区域中的所有其他半导体区域的第一封装的一个半导体区域是第二导电类型，使得在衬底和最内围的一个半导体区域之间形成多个串联的光电二极管。多个复位开关各自具有耦合到交替半导体区域中的不同一个的第一端子和可切换地耦合到复位电位的第二端子。多个存储节点中的每一个耦合到多个交替半导体区域中的单独一个。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式