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1. 发明公开

KR20180036670A 트리거 디바이스를 갖는 보호 디바이스 및 그 형성 방법 审中-公开
标题翻译：具有触发器装置的保护装置及其形成方法
公开(公告)号：KR20180036670A
公开(公告)日：2018-04-09
申请号：KR20180035646
申请日：2018-03-28
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/067 , H01L27/0262 , H01L29/6609 , H01L29/66371 , H01L29/732 , H01L29/7404 , H01L29/861
摘要： 반도체디바이스는싸이리스터를구비하는수직형보호디바이스및 기판에배치되는수평형트리거엘리먼트를포함한다. 수평형트리거엘리먼트는수직형보호디바이스를트리거하기위한것이다.
摘要翻译：一种半导体器件包括垂直保护器件，该垂直保护器件具有设置在衬底中的晶闸管和侧向触发元件。横向触发元件用于触发垂直保护装置。

2. 发明授权

KR100127282B1 반도체 장치 失效
公开(公告)号：KR100127282B1
公开(公告)日：1998-04-02
申请号：KR1019930008089
申请日：1993-05-12
申请人： 가부시키가이샤 도요다 지도숏키
发明人： 가또마사아끼
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L29/7395 , H01L29/7404 , H02P7/04
摘要： [목적] 1개의 반도체 칩에 하프 브릿지 회로를 구성하면서, 장치 전체의 형성을 소형화함과 동시에그 성능이 저하하지 않도록 한다.
[구성] 1개의 반도체 칩에 n
+ 형 반도체 기판(11)을 공통 콜렉터 개소드 영역으로하여, p형 영역(14)을 베이스 영역, n
+ 형 영역(15)를 에미터 영역으로서 npn트랜지스터를 종형으로 형성함과 동시에, n형영역(17)을 게이트 영역, p
+ 형 영역(18)을 애노드 영역으로서 pnpn사이리스터를 종형으로 형성하여 하프 브릿지 회로를 구성한다. 상부아암 및 하부아암 모두 종형이므로, 면적효율, 전류 증폭을, 전류 용량의 점에서 우수하다. 특히 절연출을 설치하지 아니하여도 상부아암과 하부아암 사이의 절연이 보존된다. 분리영역인 n
- 형 영역(12b) 및 n
+ 형 영역(13)을 설치하여, 누설전류를 억제한다.

3. 发明授权

KR101632191B1 전력용 반도체 분리장치 有权
标题翻译：功率半导体模块拆装器
公开(公告)号：KR101632191B1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020140185869
申请日：2014-12-22
申请人： 한전케이피에스 주식회사
发明人： 이병훈 , 김동호 , 최형구
IPC分类号： H01L29/74 , H02K99/00
CPC分类号： H01L29/74 , H01L29/7404 , H02K99/00
摘要： 본실시예에따른전력용반도체분리장치는원통형상의제 1 몸체와, 상기제 1 몸체에수직한방향으로고정되는플레이트형상의제 1 지지레버를포함하는제 1 지지유닛; 상기제 1 몸체에삽입되는원통형상의제 2 몸체와, 상기제 2 몸체에수직한방향으로고정되는플레이트형상의제 2 지지레버를포함하는제 2 지지유닛; 상기제 1 몸체에삽입결합되어, 그단부가상기제 2 몸체에나사결합되어, 상기제 1 몸체내부에삽입되는제 2 몸체의위치를조절하는제 1 조절유닛; 상기제 1 지지레버의단부에관통결합되며, 상기제 2 지지레버에나사체결되어, 상기나사체결정도에따라상기제 1 및제 2 지지레버의위치를조정하는제 2 조절유닛; 상기제 1 몸체의내부공간에상기제 1 및제 2 몸체사이에개재되어, 상기제 1 몸체에삽입된제 2 몸체를탄력적으로지지하는탄성부재;를포함하며, 상기제 1 및제 2 조절유닛의회전동작에연동하여, 상기제 1 및제 2 지지레버의상대거리가변경되어, 전력용반도체의앞뒤에개재되는부품들의거리를이격및 원복시킬수 있다.
摘要翻译：根据本实施例，功率半导体分离装置包括：第一支撑单元，其包括圆柱形的第一主体和沿垂直于第一主体的方向固定的板状的第一支撑杆; 第二支撑单元，其包括插入到第一主体中的圆筒形状的第二主体和沿垂直于第二主体的方向固定的板状的第二支撑杆; 插入并组合到第一主体的第一调节单元在端部与第二主体螺纹组合，并且调节要插入第一主体的第二主体的位置; 与第一支撑杆的端部贯通并组合的第二调节单元与第二支撑杆螺纹组合，并且根据螺钉组合状态调节第一和第二支撑杆的位置; 以及弹性构件，其被放置在所述第一主体的内部空间中的所述第一主体和所述第二主体之间，并且弹性地支撑插入到所述第一主体中的所述第二主体。第一和第二支撑杆之间的相对距离与第一和第二调节单元的旋转相关联地改变，并且通过这样做，可以扩大或恢复放置在功率半导体的前面或后面的组件之间的距离。

4. 发明公开

KR1020160122088A 트리거 디바이스를 갖는 보호 디바이스 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：具有触发装置的保护装置及其形成方法
公开(公告)号：KR1020160122088A
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：KR1020160045007
申请日：2016-04-12
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 슈멘안드레 , 소즈카다미안 , 벤트바딤발렌티노빅 , 빌레멘주스트
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/74 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/067 , H01L27/0262 , H01L29/6609 , H01L29/66371 , H01L29/732 , H01L29/7404 , H01L29/861 , H01L27/0251 , H01L27/0255 , H01L27/0259 , H01L27/0635 , H01L29/74
摘要： 반도체디바이스는싸이리스터를구비하는수직형보호디바이스및 기판에배치되는수평형트리거엘리먼트를포함한다. 수평형트리거엘리먼트는수직형보호디바이스를트리거하기위한것이다.
摘要翻译：半导体器件包括具有晶闸管和设置在衬底中的横向触发元件的垂直保护器件。横向触发元件用于触发垂直保护装置。

5. 发明公开

KR1020030057490A 사분원 Ｑ4 및 Ｑ1에 응답하는 2방향성 정지 스위치 无效
标题翻译：响应象限Q4和Q1的双向停止开关
公开(公告)号：KR1020030057490A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020020085960
申请日：2002-12-28
申请人： 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.에이.
发明人： 라디레이올리비에
IPC分类号： H01L29/747
CPC分类号： H01L27/0817 , H01L29/7404 , H01L29/747
摘要： N-형 반도체 기판에 형성된 모놀리식 2방향성 스위치는, 제1 영역에, 제2 수직 사이리스터에 인접한 제1 수직 사이리스터와; 제1 영역으로부터 떨어진 전방 표면 측에 배열되고 N-형 구역이 형성된 P-형 웰을 포함한 트리거링 영역(triggering area)과; 후방 표면을 피복하는 제1 금속 피막과; 상기 제1 및 제2 사이리스터의 전방 표면 층 위의 제2 금속 피막과; 상기 웰(well) 위의 제3 게이트 금속 피막과; 후방 표면 측부에, 트리거링 영역 아래에 연장하는 추가 P-형 구역 및 이러한 추가 영역과 제1 금속 피막 사이에 삽입된 절연층과; 상기 구역 위의 제4 금속 피막을 포함한다.

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