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1. 发明授权

KR100269636B1 고체촬상소자 失效
标题翻译：固态图像拾取器件
公开(公告)号：KR100269636B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019980008993
申请日：1998-03-17
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 심진섭
IPC分类号： H01L27/148
摘要： PURPOSE: A solid state image device is provided to improve the sensitivity of the output voltage by maximizing a depletion layer between a BCCD(buried charge coupled device) and an N+ of a n-type region and a p-well of a p-type region in a floating diffusion(FD) region so as to decrease the junction capacitance of an FD region. CONSTITUTION: A p-well is formed on an n-type substrate(N-SUB). The second p-well(2P-WELL) is formed on the FD region of the substrate(N-SUB), and the first p-well(1P-WELL) is formed the other region of the substrate(N-SUB). A BCCD is formed on the first p-well(1P-WELL) and the second p-well(2P-WELL), an N+ region that is an impurity region of n-type is formed within the BCCD on the second p-well(2P-WELL). A sensing amplifier is connected to the N+ region of the FD region, a reset gate(RG) and a reset drain(RD) are formed on the BCCD of a drain region. The depth of the second p-well(2P-WELL) is shallower than that of the first p-well(1P-WELL).
摘要翻译：目的：提供一种固态图像装置，以通过使BCCD（埋入电荷耦合器件）与n型区域的N +与p型p型阱的最大值之间的耗尽层最大化来提高输出电压的灵敏度区域，以便减小FD区域的结电容。构成：在n型衬底（N-SUB）上形成p阱。第二p阱（2P-WELL）形成在衬底（N-SUB）的FD区上，第一p阱（1P-WELL）形成衬底的另一区域（N-SUB）。在第一p阱（1P-WELL）和第二p阱（2P-WELL）上形成BCCD，在第二p阱上的BCCD内形成作为n型杂质区的N +区（2P-WELL）。感测放大器连接到FD区域的N +区域，在漏极区域的BCCD上形成复位栅极（RG）和复位漏极（RD）。第二p阱（2P-WELL）的深度比第一p阱（1P-WELL）的深度浅。

2. 发明授权

KR100263467B1 고체촬상소자 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：固态图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100263467B1
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：KR1019970079133
申请日：1997-12-30
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L27/14831
摘要： PURPOSE: A solid image pick-up device and its manufacturing method are provided to improve a sensitivity by perfectly reading the signal electron and increasing the aperture ratio of the pixels. CONSTITUTION: In a solid image pick-up device having a matrix-type photo diode, a first interlevel insulation layer and the first transfer gate(26) are successively formed between the photo diodes arranged in a row. A block insulation layer is formed along the center of the first transfer gate. A second interlevel insulation layer(28) is formed on the first transfer gate. A second and a third transfer gates(29b)are formed alienated from the block insulation layer and also completely placed on the first transfer gate. A third interlevel insulation layer is formed on the second and third transfer gates. A fourth transfer gate is formed on the third interlevel insulation layer to be completely placed on top of the second and third transfer gates.
摘要翻译：目的：提供固体摄像装置及其制造方法，以通过完美地读取信号电子和增加像素的开口率来提高灵敏度。构成：在具有矩阵型光电二极管的固体摄像装置中，在排列成一行的光电二极管之间依次形成第一层间绝缘层和第一传输栅极（26）。沿着第一传输门的中心形成块绝缘层。在第一传输门上形成第二层间绝缘层（28）。第二和第三传输门（29b）被形成为与块绝缘层疏远并且完全放置在第一传输门上。在第二和第三传输门上形成第三层间绝缘层。第四传输栅极形成在第三层间绝缘层上，以完全放置在第二和第三传输门的顶部。

3. 发明授权

KR100111564B1 엘시에스(LCS)를 이용한 빛의 필터 장치 失效
标题翻译：采用LCS的滤光器装置
公开(公告)号：KR100111564B1
公开(公告)日：1997-01-31
申请号：KR1019920025432
申请日：1992-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 손영수 , 박용 , 이성민 , 이서규 , 정현준
IPC分类号： G02F1/133

4. 发明授权

KR100105821B1 전하 결합 영상 소자 失效
公开(公告)号：KR100105821B1
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：KR1019920025430
申请日：1992-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 손영수 , 이성민 , 이서규 , 정현준 , 박용
IPC分类号： H01L27/148

5. 发明授权

KR100100931B1 전하 전송장치 및 고체 촬상장치 失效
公开(公告)号：KR100100931B1
公开(公告)日：1996-06-20
申请号：KR1019920005608
申请日：1992-04-03
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지 , 이서규
IPC分类号： H01L27/148

6. 发明授权

KR100086507B1 프레임 트랜스퍼방식의 CCD 영상센서 失效
公开(公告)号：KR100086507B1
公开(公告)日：1995-07-06
申请号：KR1019910023853
申请日：1991-12-23
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L27/148

7. 发明公开

KR1019950012781A 반도체 소자구조 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1019950012781A
公开(公告)日：1995-05-17
申请号：KR1019930022335
申请日：1993-10-26
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L31/112
摘要： 본 발명은 CCD포토다이오드구조 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 CCD포토다이오드구조에서 신호전하를 수직전송채널에 전송게이트의 표면 CCD채널을 통하여 이동시킴에 따라 수직전송전극의 표면적이 넓어지게 되는 단점과 표면 CCD채널의 상태가 노이즈에 매우 민감하게 되어 신호전하중에 노이즈전하가 포함되는 경우가 발생하는 문제점을 해결하기 위하여 제1도전형의 반도체기판(20)과, 상기 반도체기판(20)에 형성된 제2도전형의 에피택셜층(21), 상기 제2도전형의 에피택셜층(21)내의 소정부분에 각각 분리되어 형성된 제1도전형의 제1영역(23A) 및 제2영역(23B), 상기 제2도전형의 에피택셜층(21)내의 소정부분에 상기 제1도전형의 제1영역(23A) 및 제2영역(23B)과 각각 일정부분 오버랩되어 형성된 제1도전형의 제3영역(24A) 및 제4영역(24B), 상기 제1도 형의 제1영역(23A)과 제4영역(24B)사이에 일측이 상기 제1도전형의 제4영역(24B)의 일측과 일정부분이 오버랩되면서 제1도전형의 제1영역(26)의 타측에 상기 제1도전형의 제1영역(23A)의 일측과 일정부분이 오버랩되어 형성된 제2도전형의 제2영역(27), 상기 제2도전형의 제1영역(26) 상부에 상기 제2도전형의 제2영역(27)의 일측과 접촉되어 형성된 전하전달채널이 되는 제1도전형의 제5영역(29), 상기 제1도전형의 제2영역(23B) 및 제4영역(24B) 상부에 형성된 제2도전형의 제3영역(31), 상기 제1도전형의 제4영역(24B)과 상기 제2도전형의 제1영역(26)이 오버랩되는 부분에 형성되는 매몰 전송게이트채널이 되는 제2도전형의 제4영역(32), 및 상기 제1도전형의 제5영역(29) 상부에 절연막(28)을 개재하여 형성된 전송게이트(30)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 CCD포토다 오드구조를 제공한다.
본 발명에 의하면, 전송게이트 채널이 매몰 전송게이트채널이 되어 표면 노이즈특성에서 완전하게 자유로와질 수 있으며, 수직전송채널의 표면적을 상당히 줄일 수 있어 필펙터(Fill Factor)를 증가시킬 수 있고 스미어(smear)를 감소시킬 수 있게 된다.

8. 发明公开

KR1019940018997A 고체 촬상 소자의 구조 失效
公开(公告)号：KR1019940018997A
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR1019930000393
申请日：1993-01-13
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 정헌준 , 이서규 , 이성민 , 손영수 , 박용
IPC分类号： H01L27/148

9. 发明公开

KR1019940017741A 엘시에스(LCS)를 이용한 빛의 필터 장치 失效
公开(公告)号：KR1019940017741A
公开(公告)日：1994-07-27
申请号：KR1019920025432
申请日：1992-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 손영수 , 박용 , 이성민 , 이서규 , 정현준
IPC分类号： G02F1/133
摘要： 본 발명은 캠코더의 및 필터장치에 관한 것으로 특히 LCS를 이용한 빛의 필터장치에 관한 것이다.
종래의 캠코더에서는 렌즈 필터를 렌드모듈에 기계적으로 부착하여 사용하며 문자나 무늬를 형성하 위해서는 슈퍼-임포즈 회로를 이용하였다.
따라서 여러가지의 렌즈 필터를 준비하여 그때마다 교환하여야 하고 문자나 무늬를 화면에 넣기 위해서는 복잡한 슈퍼-임포즈를 사용하여야 했다.
본 발명은 LCS를 이용하여 x, y 디코더를 이용하여 LCS에 인가되는 전압을 조절하여 빛의 투과량을 제어하고 복수개의 셀중 인가되는 전압을 선택하여 문자나 무늬모양으로 CCD에 빛이 조사될 수 있도록 한 것이다.
따라서 필터를 교환할 필요가 없고 슈퍼-임포즈 회로가 필요없다.

10. 发明公开

KR1019920005386A 리세트 게이트 제조 방법 无效
标题翻译：制造复位门的方法
公开(公告)号：KR1019920005386A
公开(公告)日：1992-03-28
申请号：KR1019900012441
申请日：1990-08-13
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 박용
IPC分类号： H01L21/335
摘要： 내용 없음

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