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1. 发明授权

KR101781464B1 도펀트 주입 장치 有权
标题翻译：掺杂剂注射装置
公开(公告)号：KR101781464B1
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020160097983
申请日：2016-08-01
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이호준 , 송도원
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/385 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/0455 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01L21/385 , H01L21/67213
摘要： 실시예에따른도펀트주입장치는제1 도펀트를수용하기위한하측부, 상기하측부상에배치되는상측부, 및상기하측부와상기상측부사이에배치되고제2 도펀트를수용하기위한지지판을포함하는도펀트수용부; 및상기상측부와연결되고, 상기도펀트수용부를내측에수용하는하우징을포함하며, 상기하측부의바닥에는복수의제1 관통홀들이마련되고, 상기지지판에는복수의제2 관통홀들이마련되고, 상기하우징의측부하단에는돌출부가마련되고, 상기돌출부는상기하우징의측부의내측면에서외측면으로향하는방향으로돌출된다.
摘要翻译：根据本实施例的掺杂剂注入装置是上部，并且设置在下部和上部副布置在下部，用于接收第一掺杂剂，所述掺杂剂包括支撑板，用于接收一个第二掺杂剂的下部接收部分; 以及壳体，所述壳体连接到所述上部并且在其中容纳所述掺杂剂容纳部，其中，在所述下部的底部设置有多个第一通孔，所述支撑板中设置有多个第二通孔，突起设置在壳体的一侧的下侧，并且突起沿着从壳体的侧面的内侧朝向外侧的方向突出。

2. 发明授权

KR101622590B1 도판트 함유 폴리머 필름을 통한 기판의 도핑 방법 有权
标题翻译：通过包含聚合物膜的掺杂物对基底进行掺杂
公开(公告)号：KR101622590B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020140108849
申请日：2014-08-21
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 , 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
发明人： 트레포나스3세피터 , 세갈만래이첼에이. , 호어프로스트메간엘. , 자베이알리 , 타케이쿠니하루
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L21/0455 , H01L21/2225 , H01L21/225 , H01L21/228 , H01L21/385
摘要： 본발명에는도판트-함유폴리머와비-극성용매를포함하는코팅조성물을기판위에배치하는단계; 및상기기판을 750 내지 1300℃의온도에서 1초내지 24시간동안어니얼링시켜도판트를기판으로확산시키는단계를포함하며; 여기서상기도판트-함유폴리머는공유결합에의해결합된도판트원자를갖는폴리머이고; 상기도판트-함유폴리머는질소와실리콘이없으며; 이방법은어니얼링단계전에코팅위에산화물캡핑층을형성시키는단계가없음을특징으로하는, 기판의도핑방법이개시되어있다.

3. 发明授权

KR101144882B1 실리콘 카바이드 반도체 장치를 위한 실리콘-리치니켈-실리사이드 오믹 접합 有权
标题翻译：用于SIC半导体器件的硅酮 - 硅酮氧化物接触
公开(公告)号：KR101144882B1
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020077002840
申请日：2005-06-30
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 워드알란3세 , 헤닝제이슨패트릭 , 하그라이트너헬무트 , 위버키이스데니스
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0455 , H01L21/0485 , H01L29/45 , Y10S438/931
摘要： 오믹 접합을 형성하기 위한 방법과 그 오믹 접합 구조가 개시된다. 이 방법은 실리콘의 원자 분율이 니켈의 원자 분율보다 크게 되도록, 니켈과 실리콘이 실리콘 카바이드와 반응하는 온도보다 낮은 온도에서 니켈-실리콘 막을 실리콘 카바이드의 표면에 형성하는 단계, 및 상기 니켈-실리콘 막을 니켈과 실리콘 각각이 실리콘 카바이드와 반응하는 온도보다 낮으면서 실리콘의 원자 분율이 니켈의 원자 분율보다 큰 니켈-실리콘 화합물이 형성되는 온도로 열처리하는 단계를 포함한다. 이 방법은 상기 니켈-실리콘 막의 열처리 온도보다 높은 온도 및 유리(free) 탄소가 존재하지 않는 상평형도의 영역 범위 내에서 상기 니켈-실리콘 화합물을 어닐링하는 단계를 더 포함할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020080064133A 유기 ＥＬ 발광 장치 无效
标题翻译：有机EL发光装置
公开(公告)号：KR1020080064133A
公开(公告)日：2008-07-08
申请号：KR1020087010375
申请日：2006-09-29
申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
发明人： 구마,히또시 , 호소까와,치시오
IPC分类号： H05B33/26 , H05B33/14 , H01L51/50
CPC分类号： H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1088 , H01L27/3204 , H01L27/3211 , H01L51/5036 , H01L51/5265 , H01L21/0455
摘要： In an organic electroluminescence light emitting device (1), two unit light emitting elements, i.e., a first unit light emitting element (10) and a second unit light emitting element (20), are arranged in parallel on a flat plane. The first unit light emitting element has a first organic light emitting layer (14) between a first lower electrode (12) and a first upper electrode (16). The second unit light emitting element has a second organic light emitting layer (24) between a second lower electrode (22), which is electrically connected with the first upper electrode (16) or is composed of a material same as that of the first upper electrode (16), and a second upper electrode (26). The first and the second unit light emitting elements (10, 20) have different emission colors.
摘要翻译：在有机电致发光器件（1）中，在平面上平行布置两个单位发光元件，即第一单元发光元件（10）和第二单元发光元件（20）。第一单元发光元件在第一下电极（12）和第一上电极（16）之间具有第一有机发光层（14）。第二单元发光元件在与第一上电极（16）电连接的第二下电极（22）之间具有第二有机发光层（24），或者由与第一上电极电极（16）和第二上电极（26）。第一和第二单元发光元件（10,20）具有不同的发射颜色。

5. 发明公开

KR1020050030097A 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体集成电路装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050030097A
公开(公告)日：2005-03-29
申请号：KR1020040052524
申请日：2004-07-07
申请人： 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
发明人： 야마모토나오키 , 니시다아키오 , 후지모토아키라 , 자키하라히라쿠 , 마츠오카히데유키 , 미네토시유키
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76886 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L2924/0002 , H01L21/0455 , H01L21/26533 , H01L21/28229 , H01L21/76805 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor integrated circuit apparatus and a fabricating method thereof are provided to restrain a reaction between metal and silicon and prevent a rise in a contact resistance by forming a thin metal boride layer or a metal-boron-silicon compound on a surface of the metal before forming a boron-doped silicon layer. A first metal line(16) is formed on a semiconductor substrate. An insulating layer(18) containing silicon is formed on the first metal line. An opening is formed by removing a predetermined region of the insulating layer. A plug(19) is formed with silicon doped with an n type or a p type impurity buried into the opening. A metal compound including a first metal and boron is formed on a surface of the first metal formed on a bottom surface of the opening.
摘要翻译：提供了一种半导体集成电路装置及其制造方法，用于抑制金属与硅之间的反应，并通过在金属表面上形成金属硼化物层或金属硼硅化合物来防止接触电阻升高形成硼掺杂硅层。第一金属线（16）形成在半导体衬底上。在第一金属线上形成含有硅的绝缘层（18）。通过去除绝缘层的预定区域形成开口。插塞（19）形成有掺杂有n型或掺杂在开口中的p型杂质的硅。在形成在开口底面上的第一金属的表面上形成包括第一金属和硼的金属化合物。

6. 发明公开

KR1020160134882A 반도체 장치 无效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160134882A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020167032182
申请日：2013-06-05
申请人： 고쿠리츠겐큐가이하츠호진 산교기쥬츠소고겐큐쇼
发明人： 나카지마아키라 , 니시자와신이치 , 오하시히로미치
IPC分类号： H01L29/10
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L21/0455 , H01L21/049 , H01L27/0248 , H01L27/0255 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/1066 , H01L29/1075 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41725 , H01L29/4236 , H01L29/475 , H01L29/66068 , H01L29/7787 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/7841 , H01L29/8083 , H01L29/872
摘要： 전력변환기에이용하는와이드밴드갭반도체장치에는높은서지전압에의해장치가파괴되는문제점이있어, 항복에서의내량의향상이필요시되고있으며, 이문제는유니폴라형이며횡형인반도체장치에있어서보다현저해지는것이알려져있다. 본발명은, 펀치스루에의한항복수단을장치내부에갖는반도체장치를구성하고, 또한펀치스루항복에의한항복전압이애벌런치항복전압보다낮고, 애벌런치항복을일으키지않도록구성하여, 반도체장치의애벌런치항복에의한파괴를막고, 항복의내량이큰 반도체장치를제공한다.
摘要翻译：已知功率转换器中使用的宽带隙半导体器件具有以高浪涌电压破坏器件的问题，并且需要改善耐漏电性。已知这个问题在单极和横向型半导体器件中更加突出。解决方案本发明提供一种半导体器件，其防止由于雪崩击穿而导致的破坏，并且通过构造该器件以具有穿孔击穿功能，并且使得冲头的击穿电压具有高的耐击穿耐受性通过击穿低于雪崩击穿电压，从而不会发生雪崩击穿。

7. 发明公开

KR1020140085141A 반도체 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140085141A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155374
申请日：2012-12-27
申请人： 현대자동차주식회사
发明人： 이종석 , 홍경국 , 천대환 , 정영균
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0455 , H01L29/0623 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/66287
摘要： A semiconductor device according to an embodiment of the present invention comprises an n+ type silicon carbide substrate; a first p-type pillar region and an n− type epitaxial layer disposed on a first surface of the n+ type silicon carbide substrate; a p-type epitaxial layer and an n+ region sequentially disposed on the n− type epitaxial layer; a trench penetrating the n+ region and the p type epitaxial layer and disposed on the n− type epitaxial layer; a gate insulating film disposed within the trench; a gate electrode disposed on the gate insulating film; an oxide film disposed on the gate electrode; a source electrode disposed on the p-type epitaxial layer, the n+ region, and the oxide film; and a drain electrode positioned on a second surface of the n+ type silicon carbide substrate, wherein the first p-type pillar region is disposed within the n− type epitaxial layer, the first p-type pillar region is disposed below the trench, and the first p-type pillar region is spaced apart from the trench.
摘要翻译：根据本发明实施例的半导体器件包括n +型碳化硅衬底; 设置在n +型碳化硅衬底的第一表面上的第一p型支柱区域和n-型外延层; 顺序地设置在n型外延层上的p型外延层和n +区; 穿过n +区和p型外延层并设置在n型外延层上的沟槽; 设置在所述沟槽内的栅极绝缘膜; 设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 设置在栅电极上的氧化膜; 设置在p型外延层上的源电极，n +区和氧化膜; 以及位于所述n +型碳化硅衬底的第二表面上的漏电极，其中所述第一p型支柱区域设置在所述n型外延层内，所述第一p型支柱区域设置在所述沟槽的下方，第一p型柱区域与沟槽间隔开。

8. 发明公开

KR1020090046205A ＭＴＣＭＯＳ셀 제조 방법 有权
标题翻译： MTCMOS细胞的结构和用于制备MTCMOS细胞的方法
公开(公告)号：KR1020090046205A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070112209
申请日：2007-11-05
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 김동헌
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0928 , H01L21/823892 , H01L27/0207 , H01L27/11807 , H01L27/0922 , H01L21/041 , H01L21/0455 , H01L21/8238
摘要： 본 발명은 MTCMOS 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명에서는 저전력설계를 위한 구조의 MTCMOS 표준셀의 레이아웃 설계를 보완하여 픽업셀을 MTCMOS셀의 파워라인에 포함되도록 함으로써, 종래 픽업셀이 포함되지 않은 MTCMOS 셀의 라이브러리 레이아웃을 이용해서 로직회로를 구성하는 경우 MTCMOS 표준셀 배치시 50μm마다 픽업단으로만 구성된 픽업셀을 배치시켜야하는 불편함을 해결하여 셀 배치의 적응성을 높일 수 있으며, 또한 픽업셀만을 위한 별도의 공간이 필요 없게 됨으로써 MTCMOS를 보다 컴팩트하게 구현할 수 있어 반도체 기판상 공간을 절약할 수 있게 된다.
MTCMOS, 저전력, 픽업, 인버터, 셀배치

9. 发明公开

KR1020050078429A 반도체 장치의 트랜지스터들 및 그 제조 방법들 有权
标题翻译：半导体器件的晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050078429A
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1020040005858
申请日：2004-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유재윤 , 이화성 , 우에노테츄지 , 이호 , 이승환 , 김현석 , 박문한
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66537 , H01L29/1083 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L21/0455
摘要： 반도체 장치의 트랜지스터들 및 그 제조 방법들을 제공한다. 상기 트랜지스터 및 그 제조 방법들은 게이트 패턴에 실리 사이드 공정을 실시해서 그 패턴의 전부분을 실리 사이드 막(Silicide layer)으로 형성하여 트랜지스터의 전기적 특성을 개선하는 방안을 제시해준다. 이를 위해서, 상기 트랜지스터 및 그 제조 방법들은 반도체 기판에 활성영역을 형성하는 것을 포함한다. 상기 활성영역을 갖는 반도체 기판에 전극 영역 들 및 전극 영역들을 감싸는 확산 방지 영역들이 배치된다. 상기 전극 영역들 사이에 배치되도록 반도체 기판 상에 게이트 절연막을 형성한다. 상기 게이트 절연막 상에 게이트 패턴이 배치되는데, 상기 게이트 패턴은 실리 사이드 막으로 형성한다. 상기 게이트 패턴의 측부들로부터 이격되고 동시에 전극 영역들에 전기적으로 각각 접속하는 전극 패턴들을 형성한다. 이를 통해서, 상기 게이트 패턴을 갖는 트랜지스터는 반도체 장치의 구동 동안 게이트 패턴 내의 디플리이션 정전용량(Depletion Capacitace)을 줄여서 전류 구동 능력을 향상시킬 수 있다.

10. 发明公开

KR1020050046533A 반도체장치 有权
公开(公告)号：KR1020050046533A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：KR1020040067901
申请日：2004-08-27
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 야스다유키오
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H03K17/0828 , H01L29/7395 , H01L29/8605 , H01L21/043 , H01L21/0455 , H01L21/22 , H01L27/2472 , H01L29/4941 , H01L29/7806 , H01L2924/13055 , H01L2924/3011
摘要： 기생소자의 발생을 억제하면서, 입력임피던스 정밀도의 향상을 도모한, 스위칭소자 및 그 제어회로를 갖는 반도체장치를 얻는다. 제어용 입력단자(1), GND 단자(2) 및 출력단자(3)를 구비하고, IGBT(6) 및 IGBT(6)를 구동하는 제어회로(4)를 갖는 반도체장치에 있어서, 제어용 입력단자(1), GND 단자(2) 사이에 접지용 저항(7) 및 온도보상용 저항(8)이 직렬로 접속된다. 접지용 저항(7)으로서, IGBT(6)가 설치되는 반도체기판에 형성된 절연막 상에 설치되는 폴리실리콘 저항을 사용한다. 온도보상용 저항(8)으로서, 상기 반도체기판에 불순물을 주입해 확산처리를 함으로써 얻어지는 확산저항을 사용한다.

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