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1. 发明公开

KR1020130026803A 가변 저항 소자를 포함하는 반도체 장치 및 상기 반도체 장치의 동작 방법 无效
标题翻译：包含可变电阻元件的半导体器件和操作方法半导体器件
公开(公告)号：KR1020130026803A
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：KR1020110090200
申请日：2011-09-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장만 , 김영배 , 이동수 , 이창범 , 이승렬 , 김창정 , 이명재 , 김경민
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0076 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2211/5625 , G11C2213/31 , G11C2213/32
摘要： PURPOSE: A semiconductor device including a variable resistor device and an operating method thereof are provided to improve the reliability of the semiconductor device by improving a current distribution of the variable resistor device. CONSTITUTION: A reset voltage is applied to a variable resistor device(S310). A reset current flowing in the variable resistor device is sensed(S320). A set voltage applied to the variable resistor device is controlled based on the distribution of the reset current(S330).The reset voltage is applied to the variable resistor device based on the distribution of the reset current(S330). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S310) Applying a reset voltage(V_RESET) to a variable resistor device; (S320) Sensing a reset current(I_REST) flowing through the variable resistor device; (S330) Controlling a set voltage(V_SET) based on the distribution of the reset current(I_RESET); (S340) Re-applying the set voltage(V_SET) based on the distribution of the reset current(I_RESET)
摘要翻译：目的：提供一种包括可变电阻器件及其操作方法的半导体器件，以通过改进可变电阻器件的电流分布来提高半导体器件的可靠性。构成：复位电压施加到可变电阻器件（S310）。感测到在可变电阻器件中流动的复位电流（S320）。基于复位电流的分布来控制施加到可变电阻器件的设定电压（S330）。基于复位电流的分布，复位电压被施加到可变电阻器件（S330）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S310）对可变电阻器件施加复位电压（V_RESET）; （S320）检测流过可变电阻器件的复位电流（I_REST）; （S330）基于复位电流（I_RESET）的分布来控制设定电压（V_SET）; （S340）基于复位电流（I_RESET）的分布重新设定设定电压（V_SET）

2. 发明公开

KR1020090119919A 레벨당 2개 이상의 검증 전압들로 프로그래밍하는 비휘발성 멀티레벨 메모리 셀 有权
标题翻译：非易失性多重存储器单元编程，具有超过每级的两个验证电压
公开(公告)号：KR1020090119919A
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020097020150
申请日：2008-03-28
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 모쉬아노,바이올란트 , 산틴,기오바니 , 발리,토마소 , 로시니,마시모
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/30 , G11C16/12 , G11C16/10
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3404 , G11C16/3486 , G11C2211/5621 , G11C2211/5625
摘要： Embodiments of the present disclosure provide methods, devices, modules, and systems for programming multilevel non-volatile multilevel memory cells. One method includes increasing a threshold voltage (Vt) for each of a number of memory cells until the Vt reaches a verify voltage (VFY) corresponding to a program state among a number of program states. The method includes determining whether the Vt of each of the cells has reached a pre-verify voltage (PVFY) associated with the program state, selectively biasing bit lines coupled to those cells whose Vt has reached the PVFY, adjusting the PVFY to a different level, and selectively biasing bit lines coupled to cells whose Vt has reached the adjusted PVFY, wherein the PVFY and the adjusted PVFY are less than the VFY.
摘要翻译：本公开的实施例提供用于编程多电平非易失性多电平存储器单元的方法，设备，模块和系统。一种方法包括增加用于多个存储器单元中的每一个的阈值电压（Vt），直到Vt达到与多个程序状态中的程序状态相对应的验证电压（VFY）。该方法包括确定每个单元的Vt是否已经达到与编程状态相关联的预验证电压（PVFY），选择性地偏置与Vt已经达到PVFY的那些单元耦合的位线，将PVFY调整到不同的电平并且选择性地偏置与Vt已经达到调整后的PVFY的单元相连的位线，其中PVFY和调整后的PVFY小于VFY。

3. 发明授权

KR101117413B1 레벨당 2개 이상의 검증 전압들로 프로그래밍하는 비휘발성 멀티레벨 메모리 셀 有权
标题翻译：非易失性多重存储器单元编程，具有超过每级的两个验证电压
公开(公告)号：KR101117413B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020097020150
申请日：2008-03-28
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 모쉬아노,바이올란트 , 산틴,기오바니 , 발리,토마소 , 로시니,마시모
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/30 , G11C16/12 , G11C16/10
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3404 , G11C16/3486 , G11C2211/5621 , G11C2211/5625
摘要： 본 발명의 실시예들은 멀티레벨 비휘발성 멀티레벨 메모리 셀들을 프로그래밍하기 위한 방법들, 디바이스들, 모듈들, 및 시스템들을 제공한다. 하나의 방법은 Vt가 다수의 프로그램 상태들 중에서 프로그램 상태에 대응하는 검증 전압(VFY)에 도달할 때까지 다수의 메모리 셀들 각각에 대한 임계 전압 Vt를 증가시키는 단계를 포함한다. 방법은 셀들 각각의 Vt가 프로그램 상태와 연관된 사전-검증 전압(PVFY)에 도달했는지 여부를 결정하는 단계, Vt가 PVFY에 도달한 그들 셀들에 결합된 비트 라인들을 선택적으로 바이어싱하는 단계, PVFY를 상이한 레벨로 조정하는 단계, 및 Vt가 조정된 PVFY에 도달한 셀들에 결합된 비트 라인들을 선택적으로 바이어싱하는 단계를 포함하고, PVFY 및 조정된 PVFY는 VFY보다 작다.
사전-검증 전압, 비휘발성 멀티레벨, 메모리 셀 프로그래밍, 반도체 디바이스, 집적 회로

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