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1. 发明授权

KR101823572B1 오존 가스 발생 처리 장치, 산화 규소막 형성 방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼의 평가 방법 有权
标题翻译：臭氧气体发生装置，氧化硅膜形成方法和硅单晶片评价方法
公开(公告)号：KR101823572B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020147001882
申请日：2012-07-25
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 쿠메,후미타카
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02238 , C23C16/448 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/02164 , H01L22/14
摘要： 본발명은, 자외선의광원과웨이퍼재치부를가지며, 산소함유분위기에서상기광원으로부터자외선을조사하여오존가스를발생시켜, 상기웨이퍼재치부상의웨이퍼를오존가스로처리하는오존가스발생처리장치에있어서, 그오존가스발생처리장치는, 상기광원과상기웨이퍼재치부상에재치된웨이퍼의사이에, 상기발생한오존가스를통과시키는한편상기자외선을차광하는차광판을가지는것을특징으로하는오존가스발생처리장치이다. 이에의해, 오존가스로웨이퍼표면을처리할때에웨이퍼의표면에형성되는산화막두께를얇게조정할수 있고, 또한, 자외선에의해웨이퍼표면이손상을받지않는오존가스발생처리장치, 산화막규소막형성방법및 종래보다도안정된 C-V 특성의측정값을얻을수 있는실리콘단결정웨이퍼의평가방법이제공된다.
摘要翻译：本发明中，具有安装在所述光源和在UV晶片，在含氧的气氛中，以产生臭氧气体的部件用来自光源的紫外线照射，在臭氧发生装置的臭氧气体处理晶片的晶片安装部分，和臭氧气体生成装置是一种臭氧气体生成装置，包括具有用于屏蔽在所述光源和所述晶片之间的紫外线的遮蔽板手安装在晶片安装部分，它穿过所产生的臭氧气体。其结果，可以调节减薄形成在晶片的表面上的氧化膜的厚度时所处理的臭氧气体的晶片表面和，另外，这是不被UV方法臭氧气体生成处理晶片表面的损伤，以形成装置中，所述氧化硅膜和常规的提供了一种评估能够获得更稳定的CV特性的测量值的单晶硅晶片的方法。

2. 发明公开

KR1020140051909A 오존 가스 발생 처리 장치, 산화 규소막 형성 방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼의 평가 방법 审中-实审
标题翻译：臭氧气体生成处理装置，氧化硅膜形成方法和硅单晶晶体评估方法
公开(公告)号：KR1020140051909A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020147001882
申请日：2012-07-25
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 쿠메,후미타카
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02238 , C23C16/448 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/02164 , H01L22/14
摘要： 본 발명은, 자외선의 광원과 웨이퍼 재치부를 가지며, 산소 함유 분위기에서 상기 광원으로부터 자외선을 조사하여 오존 가스를 발생시켜, 상기 웨이퍼 재치부 상의 웨이퍼를 오존 가스로 처리하는 오존 가스 발생 처리 장치에 있어서, 그 오존 가스 발생 처리 장치는, 상기 광원과 상기 웨이퍼 재치부 상에 재치된 웨이퍼의 사이에, 상기 발생한 오존 가스를 통과시키는 한편 상기 자외선을 차광하는 차광판을 가지는 것을 특징으로 하는 오존 가스 발생 처리 장치이다. 이에 의해, 오존 가스로 웨이퍼 표면을 처리할 때에 웨이퍼의 표면에 형성되는 산화막 두께를 얇게 조정할 수 있고, 또한, 자외선에 의해 웨이퍼 표면이 손상을 받지 않는 오존 가스 발생 처리 장치, 산화막 규소막 형성 방법 및 종래 보다도 안정된 CV 특성의 측정값을 얻을 수 있는 실리콘 단결정 웨이퍼의 평가 방법이 제공된다.

3. 发明公开

KR1020070073728A 열처리 시스템 有权
标题翻译：热处理系统和方法
公开(公告)号：KR1020070073728A
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020070065376
申请日：2007-06-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 아사노다카노부 , 이시이가쓰토시 , 야마모토히로유키 , 호시조지 , 미우라가즈토시
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/00 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/4557 , C30B33/005 , H01L21/67109
摘要： A heat treatment system and a method thereof are provided to obtain an uniform thickness of a layer and to lower heat temperature by supplying a preheated process gas to a reaction vessel. A heat treatment system includes a heating unit installed at a gas introduction path in order to heat a process gas before supplying the process gas to a reaction vessel, and a hole formed at the gas introduction path between the heating unit and the reaction vessel. The pressure of the heating unit is higher than the internal pressure of the reaction vessel since the pressure loss is caused in the hole. The process gas is supplied through the gas introduction path to the heating unit. The process gas is preheated at the predetermined temperature. The preheated process gas is supplied to the reaction vessel.
摘要翻译：提供热处理系统及其方法以通过向反应容器提供预热的工艺气体来获得均匀的层厚度并降低加热温度。热处理系统包括：加热单元，其安装在气体引入路径处，以便在将工艺气体供应到反应容器之前加热工艺气体，以及在加热单元和反应容器之间的气体引入路径处形成的孔。由于在孔中产生压力损失，加热单元的压力高于反应容器的内部压力。工艺气体通过气体导入路径供给到加热单元。处理气体在预定温度下预热。将预热的工艺气体供应到反应容器。

4. 发明授权

KR100658847B1 산화 처리장치 有权
标题翻译：氧化加工单元
公开(公告)号：KR100658847B1
公开(公告)日：2006-12-15
申请号：KR1020010034607
申请日：2001-06-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사이토유키마사
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/455 , C30B33/005 , H01L21/67109 , Y10T137/86348
摘要： 본 발명의 열 처리 장치는 피처리체를 수납할 수 있는 처리 용기를 포함하고, 상기 처리 용기는 개방부를 구비한 하부 끝단부를 갖는다. 이 개방부는 리드에 의해 개폐될 수 있다. 플랜지는 개방부의 주변부에 제공되고, 가스 공급 장치는 상기 처리 용기내로 가스를 공급하기 위해 상기 플랜지에 제공된다. 가열 기구는 상기 처리 용기에 수납된 피처리체를 가열할 수 있다.

5. 发明授权

KR100657113B1 반도체 처리 시스템의 오존 처리 장치 및 자외선 광량측정 방법 失效
标题翻译：用于半导体处理系统的臭氧处理装置
公开(公告)号：KR100657113B1
公开(公告)日：2006-12-15
申请号：KR1020000030293
申请日：2000-06-02
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하세이마사아키 , 이시카와겐지 , 샤오쇼우-퀴안 , 나카노데츠야
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67115 , C01B13/10 , C30B33/005
摘要： 반도체 처리 시스템의 오존 처리 장치는 기밀 처리실(1)과, 자외선 투과 창문(10)을 거쳐서 처리실과 구획된 램프실(20)을 갖는다. 램프실(20)내에는, 창문(10)을 따라 배열된 복수의 자외선 램프(21)가 배치된다. 램프실(20)내에 있어서 창문(10)과 램프(21) 사이에 측정 공간(31)이 규정된다. 램프실(20)에는 측정 유닛(50)을 장착하기 위한 장착부(29)가 형성된다. 측정 유닛(50)은 측정 공간(31)에 대하여 삽입되는 램프(21)의 광량을 측정하기 위한 센서(30)를 구비한다. 센서(30)는 램프(21)의 배열 방향을 따라서 이동 가능하다.

6. 发明公开

KR1020030031183A 열 처리된 반도체 기판상의 오염을 감소시키기 위한 장치및 방법 无效
标题翻译：减少热处理半导体衬底污染的设备和方法
公开(公告)号：KR1020030031183A
公开(公告)日：2003-04-18
申请号：KR1020037003575
申请日：2001-08-30
申请人： 맷슨 써멀 프로덕츠 게엠베하 , 맷슨 테크놀로지, 인크.
发明人： 로터스,게오르그 , 디츠,크리스토프 , 코노,오'캐롤 , 스트로드,에이리 , 타오카,제임스 , 체르니켈,디터
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67098 , C23C16/4404 , C30B25/08 , C30B31/10 , C30B33/005
摘要： 반도체 웨이퍼와 같은, 반도체 기판 열 처리 장치 및 방법에서, 기판이 챔버내에 유지될 때, 반응 가스로 각각의 기판을 처리하기 위한 반응 챔버가 제공된다. 챔버의 일부 또는 챔버와 관련된 부분을 형성하는 적어도 하나의 구성요소는 실리콘이나 실리카 함유층으로 코팅된 금속으로 구성되며, 열처리를 위해 사용된 반응 가스와 접촉할 것이다. 사용된 실리콘이나 실리카 코팅된 금속은 스테인리스 강이나 알루미늄 또는 알루미늄 합금이다. 스테인리스 강의 경우 300-400℃이고 알루미늄의 경우 200-600℃ 범위의 온도에서 화학 기상 증착(CVD)을 사용하여, 약 1000Å 보다 큰, 바람직하게는 1200Å 내지 4800Å의 범위의 코팅 두께로 실리콘이나 실리카 함유층으로 스테인리스 강 반응 챔버 입구 및 배기 플랜지 및 관련 튜빙을 코팅하는 것이 이익이 된다는 것이 발견되었다. 실리콘이나 실리카 코팅된 스테인리스 강의 사용은 플랜지와 튜빙이 증기와 같은 반응 가스와 접촉할 때 발생할 수 있는 금속 부식을 감소시키며, 그 결과 반응 챔버내의 반응 가스로 열 처리된 반도체 기판상의 철 및 산화철 오염물과 같은 오염물을 감소시키거나 제거시킨다.

7. 发明公开

KR1020020026857A 내부의 습도 레벨을 제어하기 위한 반도체 처리 시스템 및방법 无效
标题翻译：半导体处理系统和控制水分含量的方法
公开(公告)号：KR1020020026857A
公开(公告)日：2002-04-12
申请号：KR1020010061031
申请日：2001-09-29
申请人： 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드
发明人： 지라르쟝마르끄 , 유르시크벤자민 , 프리드쟝 , 맥앤드류제임스제이에프
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C30B33/005 , C23C8/16 , G01N21/3554
摘要： PURPOSE: A semiconductor processing system and a method for controlling moisture level therein are provided to monitor and control the level of water vapor present as a process gas in an accurate and fast manner. The system and the method are also provided to control the moisture level in a semiconductor process chamber which can be practiced on the inventive system. CONSTITUTION: A system includes a process chamber(2) for treating a semiconductor substrate(3) with one or more process gases comprising water vapor, means for delivering the water vapor or one or more precursors thereof to the process chamber(2), an exhaust conduit(7) connected to the process chamber(2), an absorption spectroscopy system(8) for sensing water vapor in a sample region, and a control system(21) which controls water vapor content in the process chamber(2). Also provided is a method for controlling the water vapor level in a semiconductor process chamber. The system and method allow for measurement and control of the water vapor level in a semiconductor processing chamber in which water vapor is present as a process gas.
摘要翻译：目的：提供半导体处理系统和控制其中的水分含量的方法，以准确和快速的方式监测和控制作为工艺气体存在的水蒸气的水平。还提供了该系统和方法以控制可在本发明系统上实施的半导体处理室中的湿度水平。构成：系统包括用于用一种或多种包含水蒸气的工艺气体处理半导体衬底（3）的处理室（2），用于将水蒸汽或其一种或多种前体输送到处理室（2）的装置，连接到处理室（2）的排气导管（7），用于感测样品区域中的水蒸汽的吸收光谱系统（8），以及控制处理室（2）中的水蒸气含量的控制系统（21）。还提供了一种用于控制半导体处理室中的水蒸汽水平的方法。该系统和方法允许在存在水蒸气作为处理气体的半导体处理室中测量和控制水蒸汽水平。

8. 发明公开

KR1020010014860A 반도체웨이퍼의 제조방법 失效
标题翻译：半导体波形的生产
公开(公告)号：KR1020010014860A
公开(公告)日：2001-02-26
申请号：KR1020000023738
申请日：2000-05-03
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 샤우어라인하르트
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B25/02 , C30B33/005
摘要： PURPOSE: A method for preparing semiconductor wafer is provided to make the surface uniform without requiring specific labor and expenses by depositing an epitaxial layer on the substrate in a deposition reactor and then successively treating the wafer in an environment containing ozone at a specified temp. in a loading station connected to the reactor. CONSTITUTION: The method comprises depositing an epitaxial layer on the substrate in the reactor and keeping the obtained wafer in a non-oxidizing environment such as nitrogen. Thereafter, the wafer is transported into a load-lock station or a treating chamber connected to the deposition reactor and treated at an ambient temp. of 10-50 deg.C, preferably at the room temp., in an environment containing ozone for 5-20 min. It is preferable that the wafer is subjected to this treatment together with other collected semiconductor wafers The environment containing ozone can be formed by UV rays or supplying ozone from an off-the-shelf ozone generator. A thin oxide film is formed on the surface of the epitaxial layer and the semiconductor wafer having the surface in the uniform state can be obtained by the treatment mentioned above.
摘要翻译：目的：提供一种制备半导体晶片的方法，以使表面均匀，而不需要特别的劳动和费用，通过在沉积反应器中在衬底上沉积外延层，然后在指定温度下在含有臭氧的环境中连续处理晶片。在连接到反应堆的装载站中。构成：该方法包括在反应器中的衬底上沉积外延层，并将获得的晶片保持在非氧化环境如氮气中。此后，将晶片输送到与沉积反应器连接的负载锁定站或处理室，并在环境温度下进行处理。 10-50℃，优选室温，在含有臭氧的环境中5-20分钟。优选与其他收集的半导体晶片一起进行该处理。含臭氧的环境可以通过紫外线形成或从现成的臭氧发生器供给臭氧。在外延层的表面上形成薄的氧化膜，通过上述处理可获得具有均匀状态的表面的半导体晶片。

9. 发明公开

KR1020000053466A 반도체 장치를 위한 고품질의 등급 성장된 산화물층 제조 방법 有权
标题翻译：用于形成用于半导体器件的高质量氧化物层的方法
公开(公告)号：KR1020000053466A
公开(公告)日：2000-08-25
申请号：KR1020000001388
申请日：2000-01-12
申请人： 알카텔-루센트 유에스에이 인코포레이티드
发明人： 첸유안닝 , 멀첸트세일러쉬맨신 , 로이프래딥쿠메어
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/28202 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28185 , H01L21/28211 , H01L21/28273 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： PURPOSE: A method is provided to form a graded high quality oxide layer for a semiconductor device. CONSTITUTION: A method for forming an oxide layer on a silicon substrate(22) generates an oxide layer comprising a graded portion where stress is reduced much. The method includes the steps of: growing a first oxide portion(31) by up-ramping the silicon substrate with a first temperature; revealing the silicon substrate in the oxidation atmosphere at the first temperature for a first period; and growing a second oxide portion(32) between the first oxide portion and the silicon substrate by revealing the silicon substrate in the oxidation atmosphere at a second temperature for a second period. The second oxide portion has a thickness in the range from about 25 to 50% of the total thickness of the graded oxide layer.
摘要翻译：目的：提供一种形成用于半导体器件的渐变高质量氧化物层的方法。构成：在硅衬底（22）上形成氧化物层的方法产生包含应力大大降低的分级部分的氧化物层。该方法包括以下步骤：通过以第一温度上升硅衬底来生长第一氧化物部分（31）; 在第一温度下在氧化气氛中暴露硅衬底第一周期; 以及通过在第二温度下在氧化气氛中暴露出硅衬底第二周期，在第一氧化物部分和硅衬底之间生长第二氧化物部分（32）。第二氧化物部分的厚度在梯度氧化物层的总厚度的约25至50％的范围内。

10. 发明授权

KR100187674B1 반도체 소자 제조용 반응로 및 그를 이용한 게이트 산화막 형성방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法及使用其形成栅极氧化物的方法
公开(公告)号：KR100187674B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019940016248
申请日：1994-07-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박미라
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B33/005 , Y10S438/909 , Y10S438/935
摘要： 본 발명은 반도체 소자 제조용 반응로 및 그를 이용한 게이트 산화막 형성방법에 관한 것으로, 산화공정시 N
2 O 및 NH
3 의 분해온도 차이에 의해 발생되는 H
2 증가에 따른 불량요소를 제거하기 위해 고온의 소오스 반응로(Source Furnace)에서 N
2 O 가스를 먼저 분해시키고 저온으로 유지되는 메인 반응로(Main Furnace)에서 N
2 O와 NH
3 를 반응시켜 산화시키므로써 소자의 버지트를 감소시키며 산화막의 질을 향상시킬 수 있는 반도체 소자제조용 반응로 및 그를 이용한 게이트 산화막 형성방법에 관한 것이다.

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