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1. 发明公开

KR1020140020999A 산화물 초전도 박막 无效
标题翻译：氧化物超薄膜
公开(公告)号：KR1020140020999A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020137029232
申请日：2012-05-23
申请人： 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카오겐고 , 사사키히로카즈 , 가사하라하지메 , 마쯔이마사카즈
IPC分类号： C01G3/02 , C01G1/00 , C30B29/22 , H01B12/06
CPC分类号： H01L39/128 , C30B7/00 , C30B7/14 , C30B29/225 , H01L39/126 , H01L39/2425 , H01L39/2461 , Y10T428/24355
摘要： 원료의 종류가 증가하는 것을 억제하면서 임계 전류 특성을 양호하게 한다. 또한, 단층이라도 임계 전류 특성을 양호하게 한다. 희토류 원소와 CuO 사슬과 CuO
2 면을 포함하여 구성된 RE계 초전도체 유닛을 복수 함유하는 초전도층과, 복수 있는 상기 CuO 사슬 중, 초전도층과 초전도층의 기재측에 인접하는 층과의 계면 주위의 RE계 초전도체 유닛 중에 존재하고, RE계 초전도체 유닛의 격자정수에 의해 정해지는 CuO 사슬의 길이보다 1.2배 이상 2배 이하 적층방향으로 긴 CuO 사슬과, 긴 CuO 사슬에 대해서 적층방향으로 인접하여 존재하는 인상 전위를 구비한다. 혹은, 초전도층의 RE계 초전도체는, CuO
2 면과, CuO 단일 사슬과, CuO 이중 사슬을 가지고, 또한, CuO 단일 사슬과 CuO 이중 사슬이 서로 이웃하는 이종 사슬부와, CuO 단일 사슬끼리 또는 CuO 이중 사슬끼리가 서로 이웃하는 동종 사슬부를 가진다.

2. 发明公开

KR1020050067425A 단결정성 박막 无效
标题翻译：单晶薄膜
公开(公告)号：KR1020050067425A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020057007424
申请日：2003-10-29
申请人： 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 , 고에키 자이단호진 고쿠사이 초덴도 산교 기쥬쓰 겐큐 센터
发明人： 하세가와가츠야 , 이즈미데루오 , 시오하라유 , 스가와라요시히로 , 히라야마츠카사 , 오바후미야스 , 이쿠하라유이치
IPC分类号： C30B29/22 , H01L39/24
CPC分类号： H01L39/2458 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/22 , C30B29/225 , H01L39/2461
摘要： Formation of a single crystal base thin film of enhanced quality on an underlayer, which is effectively applicable to production of an oxide high-temperature superconductor thin film being usable in, for example, superconductive wire materials and superconductive devices. In particular, a single crystal base thin film formed on a substrate, the thin film constituted of a substance different from that of the substrate, characterized in that a specified atomic layer contained in common in the substrate and the thin film is shared at an interface of the substrate and the thin film, and that in a region as adjacent to the interface as 100 or fewer unit lattices of the thin film apart from the interface, the ratio of crystals having grown with an orientation of ±2 degrees or less deviation angle on the basis of the crystal orientation of the substrate is 50% or more.
摘要翻译：在底层上形成提高质量的单晶基薄膜，其可有效地应用于可用于例如超导导线材料和超导装置的氧化物高温超导体薄膜的制造。特别地，形成在基板上的单晶基薄膜，该薄膜由与基板不同的物质构成，其特征在于，在基板和薄膜中共同包含的特定原子层在界面处共享的衬底和薄膜，并且在与界面相邻的区域中，与离开界面的薄膜的单元晶格为100个或更少的区域，晶体的生长比例为±2度或更小的偏移角基于基板的晶体取向为50％以上。

3. 发明公开

KR1020040043173A 초전도체 형성 방법 및 반응기 有权
标题翻译：用于形成超导体的方法和反应器
公开(公告)号：KR1020040043173A
公开(公告)日：2004-05-22
申请号：KR1020047001533
申请日：2002-07-30
申请人： 아메리칸 수퍼컨덕터 코포레이션
发明人： 프릿체메이어레슬리지. , 버리벨리다렌피. , 루피치마틴더블유. , 젱웨이 , 리퀴 , 리샤오핑
IPC分类号： H01L39/24
CPC分类号： C30B29/225 , C04B35/4508 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/445 , C04B2235/787 , C23C8/02 , C30B7/00 , C30B7/005 , H01L39/2451 , Y10T29/49014
摘要： 초전도체 반응기, 방법 및 시스템이 개시된다.
摘要翻译：公开了超导体反应器，方法和系统。

4. 发明授权

KR100340784B1 고온 초전도체 테이프를 제작하기 위한 테이프형 금속기판및 그 제조방법 失效
标题翻译：用于高温超导带的带状金属基板及其制造方法
公开(公告)号：KR100340784B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990057015
申请日：1999-12-13
申请人： 한국과학기술원
发明人： 염도준 , 김호섭 , 이재승 , 유재은
IPC分类号： H01L39/24 , B21B9/00
CPC分类号： H01L39/2454 , B21B3/00 , C30B1/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B29/22 , C30B29/225
摘要： 고온초전도체테이프를제작하기위한테이프형금속기판및 그제조방법에관해개시하고있다. 본발명의기판은 99.9% 이상의순도를가진니켈의결정방향이그 [100]축은테이프면과평행이고, 그 [001]축은상기테이프면에대해일정각도로기울어진것을특징으로한다. 이러한기판을제작하기위해, 순도 99.9% 이상의테이프형니켈을압연-스폿용접-이동식열처리한다. 본발명에따르면, 매우긴 길이의테이프형니켈기판을단결정수준으로제작할수 있다. 이러한니켈기판상에코팅된완충막및 고온초전도막의결정축배열은테이프전체길이에대해서완전성을보이고큰 막두께에대해서도안정성을보인다. 따라서, 이러한결정성에의해테이프전체길이에대한임계전류밀도를매우크게할 수있고, YBCO 고온초전도막의두께를두껍게함으로서총 임계전류도크게할 수있다.

5. 发明授权

KR100851930B1 도핑된 초전도 물질들의 제조 방법 有权
标题翻译：制造超声波超导材料的方法
公开(公告)号：KR100851930B1
公开(公告)日：2008-08-12
申请号：KR1020057021940
申请日：2004-06-07
申请人： 타란트, 콜린, 데이비드 , 쉬네이더, 켈빈, 로버트
发明人： 타란트,콜린,데이비드 , 쉬네이더,켈빈,로버트 , 카드웰데이비드앤서니 , 바부나덴들라해리
IPC分类号： C30B29/22 , H01B12/00
CPC分类号： C30B29/225 , C30B9/00 , C30B17/00 , C30B29/22 , Y10S505/781
摘要： 본 발명은 도핑된 X-Ba-Cu-O 물질을 제조하는 방법으로서, 상기 방법은: a) X-Ba-LO 또는 X-Ba-Cu-LO 물질을 X-Ba-Cu-O 물질과 혼합하는 단계; 및 b) 상기 혼합물을 결정화하는 단계;를 포함하며, 상기에서, 각 X는 독립적으로 희토류(그룹 IIIB) 원소, 이트륨, 희토류 원소들의 조합, 또는 이트륨과 하나의 희토류 원소의 조합으로부터 선택되고; 각 L은 U, Nb, Ta, Mo, W, Zr, Hf, Ag, Pt, Ru 및 Sn으로부터 선택되는 하나 또는 그 이상의 원소들인, 도핑된 X-Ba-Cu-O 물질을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명은 또한 본 발명의 방법에 의해 제조되는 도핑된 물질을 제공한다.
초전도체, 도핑, 희토류 원소, 이트륨

6. 发明公开

KR1020060036384A 도핑된 초전도 물질들의 제조 방법 有权
标题翻译：制造超声波超导材料的方法
公开(公告)号：KR1020060036384A
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020057021940
申请日：2004-06-07
申请人： 타란트, 콜린, 데이비드 , 쉬네이더, 켈빈, 로버트
发明人： 타란트,콜린,데이비드 , 쉬네이더,켈빈,로버트 , 카드웰데이비드앤서니 , 바부나덴들라해리
IPC分类号： C30B29/22 , H01B12/00
CPC分类号： C30B29/225 , C30B9/00 , C30B17/00 , C30B29/22 , Y10S505/781
摘要： The invention provides a method of manufacturing a doped i X-Ba-Cu-0 material, the method comprising the steps of: a) mixing an X-Ba-L-0 or X-Ba-Cu-L-0 material with an X- 1 Ba- Cu-O material; and b) crystallising the mixture; 1 wherein each X is independently selected from a rare earth (Group IIIB) element, yttrium, a combination of rare earth elements, or a combination of yttrium and a rare earth element; and L is selected from U, Nb, Ta, Mo, W, Zr, Hf, Ag, Pt, Ru and Sn. The invention further provides a doped material manufactured by the method of the invention.
摘要翻译：本发明提供一种制造掺杂的i X-Ba-Cu-O材料的方法，该方法包括以下步骤：a）将X-Ba-L-0或X-Ba-Cu-L-O材料与 X-1 Ba-Cu-O材料; 和b）使混合物结晶; 1，其中每个X独立地选自稀土（IIIB）族元素，钇，稀土元素的组合，或钇和稀土元素的组合; L选自U，Nb，Ta，Mo，W，Zr，Hf，Ag，Pt，Ru和Sn。本发明还提供了通过本发明的方法制造的掺杂材料。

7. 发明公开

KR1020040027504A 표면이 평탄한 고온 초전도체막 无效
标题翻译：表面光滑的高温超导薄膜
公开(公告)号：KR1020040027504A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：KR1020037008574
申请日：2002-08-02
申请人： 고에키 자이단호진 고쿠사이 초덴도 산교 기쥬쓰 겐큐 센터
发明人： 아다치세이지 , 와카나히로노리 , 수자노츄요시 , 타나비케이치
IPC分类号： C01G3/00
CPC分类号： H01L39/126 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/225 , H01L39/2435 , H01L39/2448
摘要： 고온 초전도체막을, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및 Y 중에서 1종 또는 2종 이상을 "A"라고 하고, La, Nd, Sm 및 Eu 중에서 1종 또는 2종 이상을 "B"라고 하며, 그리고 Ba
1-s Sr
s (단, 0≤s≤1.50)를 "C"라고 한 경우, 이들 A, B, C와 Cu 및 산소로 구성되고, 또한 화학식 'A
x B
(3-xy) C
y Cu
x O
7-d (단, x≤0.99, y≤1.99, 2.60≤(x+y)≤2.98, 2.70≤z≤3.30이고, 7-d는 원자가의 요구를 만족하도록 충분한 수이다.)'인 조성을 가지는, 표면이 평탄한 고온 초전도체막이 제공된다.

8. 发明公开

KR1020030046417A 단결정 산화물 박막의 제조방법 失效
标题翻译： 단결정산화물박막의제조방법
公开(公告)号：KR1020030046417A
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：KR1020037002481
申请日：2001-08-31
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 고이누마히데오미 , 가와사끼마사시 , 마쑤모또유지
IPC分类号： C30B29/22
CPC分类号： H01L39/2438 , C30B19/04 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/225
摘要： 단결정 산화물 박막의 제조방법에 있어서, 성막하는 산화물 박막과 같은 조성의 산화물 박막을 기판 상에 종층(種層)으로서 퇴적하는 공정; 기판을 가열함으로써 용융하여 액체로 되고, 성막하는 산화물을 용융할 수 있는 물질로 이루어지는 박막을 종층 상에 퇴적하는 공정과; 기판을 가열하여 액체층을 형성하는 공정 및; 이 액체층을 통해 산화물의 퇴적종(堆積種)을 종층 상에 퇴적하여 단결정 산화물 박막을 기상법에 의해 성막하는 공정으로 이루어지는 3상 에피택셜법에 있어서, 단결정 산화물 박막을 기상법에 의해 성막하는 공정에 있어서의 액정층 상의 산소분압을 1.0∼760 Torr로 한다.
摘要翻译：本发明是一种用于制备单晶氧化物薄膜的三相外延方法，该方法包括以下步骤：在衬底上沉积氧化物薄膜，该氧化物薄膜用作晶种层并且具有与氧化物薄膜相同的组成在晶种层上沉积薄膜，所述薄膜包含能够通过来自所述基板的热量被熔化和液化的物质，并且通过将所述氧化物沉积到所述晶种层上来溶解所述氧化物，加热所述基板以形成液体层，以及沉积通过使用气相外延方法通过液体层在籽晶层上形成氧化物以形成单晶氧化物薄膜。在该方法中，在成膜步骤中液体层上的氧分压设定在1.0-760乇的范围内。＆lt;图像＆GT;

9. 发明公开

KR1020000033367A 스퍼터링증착장비 失效
标题翻译：通过溅射沉积法形成高温超导体双面薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020000033367A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980050207
申请日：1998-11-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 서정대 , 한석길 , 강광용
IPC分类号： H01L39/24
CPC分类号： H01L39/2435 , C23C14/087 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/541 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/225
摘要： PURPOSE: To form a thin film of high temperature superconductor on both sides of an oxide substrate having large surface areas. CONSTITUTION: Two sintering targets(1,2) such as high temperature superconductor oxide YBa2Cu3O7-x are placed in a thin film depositing apparatus(11). A mono-crystalline oxide substrate(6) having large surface areas, such as, for example, MgO, SrTiO3, LaAlO3, Al2O3, LaSrGaO4, is fixed to a supporting structure(5), passing through separators(9,10). The substrate(6) is then rotated with the supporting structure(5) between the separators(9,10). While two heater(3,4) applies heat to both sides of the substrate(6), plasma generated from the targets(1,2) is sprayed on both sides of the substrate(6) and thereby a target material is deposited onto the substrate(6).
摘要翻译：目的：在具有大表面积的氧化物基板的两面上形成高温超导体薄膜。构成：将两个烧结靶（1,2）如高温超导体氧化物YBa2Cu3O7-x放置在薄膜沉积装置（11）中。具有大表面积的单晶氧化物衬底（6）例如MgO，SrTiO 3，LaAlO 3，Al 2 O 3，LaSrGaO 4被固定到支撑结构（5）上，通过隔板（9,10）。然后，基板（6）与分隔件（9,10）之间的支撑结构（5）一起旋转。当两个加热器（3,4）对基板（6）的两侧施加热量时，从靶（1,2）产生的等离子体喷射在基板（6）的两侧，从而将目标材料沉积到底物（6）。

10. 发明授权

KR100719612B1 초전도체 형성 방법 및 반응기 有权
标题翻译：超导体方法和反应器
公开(公告)号：KR100719612B1
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020047001533
申请日：2002-07-30
申请人： 아메리칸 수퍼컨덕터 코포레이션
发明人： 프릿체메이어레슬리지. , 버리벨리다렌피. , 루피치마틴더블유. , 젱웨이 , 리퀴 , 리샤오핑
IPC分类号： H01L39/24
CPC分类号： C30B29/225 , C04B35/4508 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/445 , C04B2235/787 , C23C8/02 , C30B7/00 , C30B7/005 , H01L39/2451 , Y10T29/49014
摘要： Superconductor reactors, methods and systems are disclosed.

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