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    • 2. 发明公开
    • 단결정 산화물 박막의 제조방법
    • 단결정산화물박막의제조방법
    • KR1020030046417A
    • 2003-06-12
    • KR1020037002481
    • 2001-08-31
    • 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
    • 고이누마히데오미가와사끼마사시마쑤모또유지
    • C30B29/22
    • H01L39/2438C30B19/04C30B23/002C30B23/02C30B25/02C30B29/22C30B29/225
    • 단결정 산화물 박막의 제조방법에 있어서, 성막하는 산화물 박막과 같은 조성의 산화물 박막을 기판 상에 종층(種層)으로서 퇴적하는 공정; 기판을 가열함으로써 용융하여 액체로 되고, 성막하는 산화물을 용융할 수 있는 물질로 이루어지는 박막을 종층 상에 퇴적하는 공정과; 기판을 가열하여 액체층을 형성하는 공정 및; 이 액체층을 통해 산화물의 퇴적종(堆積種)을 종층 상에 퇴적하여 단결정 산화물 박막을 기상법에 의해 성막하는 공정으로 이루어지는 3상 에피택셜법에 있어서, 단결정 산화물 박막을 기상법에 의해 성막하는 공정에 있어서의 액정층 상의 산소분압을 1.0∼760 Torr로 한다.
    • 本发明是一种用于制备单晶氧化物薄膜的三相外延方法,该方法包括以下步骤:在衬底上沉积氧化物薄膜,该氧化物薄膜用作晶种层并且具有与氧化物薄膜相同的组成 在晶种层上沉积薄膜,所述薄膜包含能够通过来自所述基板的热量被熔化和液化的物质,并且通过将所述氧化物沉积到所述晶种层上来溶解所述氧化物,加热所述基板以形成液体层,以及沉积 通过使用气相外延方法通过液体层在籽晶层上形成氧化物以形成单晶氧化物薄膜。 在该方法中,在成膜步骤中液体层上的氧分压设定在1.0-760乇的范围内。 <图像>