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1. 发明授权

KR101905347B1 반도체 나노 입자 함유 경화성 조성물, 경화물, 광학 재료 및 전자 재료 有权
公开(公告)号：KR101905347B1
公开(公告)日：2018-10-05
申请号：KR1020177013943
申请日：2015-11-26
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 야마키시게루 , 세키네다카시 , 요코야마아야코
IPC分类号： C08F220/18 , C08F216/12 , C08F2/44 , C08K9/02 , C08K3/10
CPC分类号： C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C08F2/44 , C08F216/12 , C08F220/12 , C08K3/32 , C08K7/18 , C08K2201/001 , C08K2201/011 , C09K11/703 , G02B1/04 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/825 , Y10S977/95
摘要： 발광체인반도체나노입자를포함하고, 반도체나노입자의분산성이양호하고, 저점도에서우수한성형성을갖는반도체나노입자함유경화성조성물을제공한다. 트리시클로데칸구조를갖는단관능의 (메트)아크릴레이트화합물 (a)와, 2개이상의 (메트)아크릴로일옥시기를갖는 (메트)아크릴레이트화합물 (b1) 및하기식 (1)로표시되는화합물 (b2)로부터선택되는적어도 1종의화합물 (b)와, 중합개시제 (c)와, 발광체인반도체나노입자 (d)를포함하는반도체나노입자함유경화성조성물. HC=C(R)-CH-O-CH-C(R)=CH(1) (식 (1) 중, R및 R는각각독립적으로수소원자, 탄소수 1 내지 4의알킬기또는에스테르결합을갖는탄소수 4 내지 10의유기기를나타냄)

2. 发明公开

KR1020170078553A 양자점을 포함하는 전자 소자 审中-实审
标题翻译：电子设备包括量子点
公开(公告)号：KR1020170078553A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020160183037
申请日：2016-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태형 , 민지현 , 김용욱 , 장은주
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/50 , H01L33/26
CPC分类号： H01L33/504 , C09K11/665 , C09K11/703 , C09K11/88 , G02B6/005 , G02F1/133514 , G02F1/133621 , G02F2001/133614 , G02F2202/36 , H01L27/15
摘要： 440 nm 내지 480 nm 사이의발광피크파장(peak emission wavelength)을가지는광원; 및상기광원위에배치되는광 전환층을포함하되, 상기광 전환층은적색광을방출하는제1 양자점과녹색광을방출하는제2 양자점을포함하고, 상기제1 양자점및 제2 양자점중 적어도하나는, 페로브스카이트결정구조를가지는페로브스카이트양자점을포함하며, 상기페로브스카이트양자점은하기화학식 1로나타내어지고화합물을포함하는전자소자에대한것이다: [화학식 1] ABX여기서, A는 Rb, Cs, Fr, 및이들의조합으로부터선택되는 IA족금속, NR(R 은수소원자또는치환또는미치환의 C1 내지 C10의직쇄또는분지쇄의알킬기), [CH(NH)], 또는이들의조합이고, B는 Ge, Si, Sn, Pb, 및이들의조합으로부터선택되는 IVA족금속이고, X는 F, Cl, Br, 및 I로부터선택되는 1종이상의할로겐, BF, 또는이들의조합이고, α는 0 내지 3 의수이다.
摘要翻译：具有在440nm和480nm之间的峰值发射波长的光源; 并包括：布置在所述光源的光转换层，所述光转换层和发出第一量子点和所述绿色光的第二量子点，其发射红色光，所述第一量子点中的至少一个和所述第二量子点是，钙钛矿包括具有晶体结构的钙钛矿量子点，所述钙钛矿型量子点涉及一种电子装置，包括：[式1]其中ABX，一个为Rb：的化合物由下面的式1表示，选自由Cs，Fr及其组合组成的组的IA族金属，NR（R为氢原子，取代或未取代的C1至C10直链或支链烷基），CH（NH） B为选自Ge，Si，Sn，Pb及其组合的IVA族金属，X为选自F，Cl，Br，，alpha是从0到3的数字。

3. 发明公开

KR1020170070178A 코어 셸 입자, 코어 셸 입자의 제조 방법 및 필름 审中-实审
标题翻译：核壳粒子，核壳粒子和膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020170070178A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020177013092
申请日：2015-11-18
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 오노마사시
IPC分类号： C01B25/08 , C01G9/08 , C09K11/70
CPC分类号： C09K11/703 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01G15/00 , C01P2002/74 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/7492 , Y10S977/774 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , C01B25/087 , C01G9/08
摘要： 본발명은, 발광효율이높고, 양자도트로서유용한코어셸 입자및 그제조방법과, 코어셸 입자를이용한필름을제공하는것을과제로한다. 본발명의코어셸 입자는, III족원소및 V족원소를함유하는코어와, 코어의표면의적어도일부를덮는 II족원소및 VI족원소를함유하는셸을갖는코어셸 입자로서, X선광전자분광분석에의하여측정되는 III족원소의피크강도비에대한 II족원소의피크강도비의비율이 0.25 이상인, 코어셸 입자이다.
摘要翻译：本发明克服了提供可用作具有高发光效率的量子点的核壳颗粒，其制造方法以及使用核壳颗粒的薄膜的问题。本发明中，III-基与含有元素和V族元素，具有含至少覆盖所述核的表面的一部分的第II族元素和VI族元素的壳的芯壳粒子的芯部，X射线光电子的芯壳粒子其中II族元素的峰强度比与通过光谱分析测量的III族元素的峰强度比之比为0.25或更高。

4. 发明公开

KR1020170023909A 복합체, 그 제조방법 및 상기 복합체를 포함하는 소자 审中-实审
标题翻译：其制造方法和包括复合材料的装置
公开(公告)号：KR1020170023909A
公开(公告)日：2017-03-06
申请号：KR1020170023511
申请日：2017-02-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장효숙 , 장은주 , 전신애 , 홍석환 , 권수경
IPC分类号： C09K11/00 , C01B25/08 , C01G9/08 , C07F3/06 , C09K11/06 , C09K11/08 , C09K11/70
CPC分类号： C09K11/00 , B82Y20/00 , C01B25/087 , C01G9/08 , C01P2004/64 , C07F3/06 , C09K11/06 , C09K11/08 , C09K11/703
摘要： 반도체나노결정입자및 상기반도체결정나노입자의표면에위치하는금속착물화합물을포함하는복합체가제공된다. 나노입자및 상기나노입자의표면에위치하는금속착물화합물을포함하고상기금속착물화합물의말단은가교성작용기를포함하는복합체가제공된다. 상기복합체는고분자를더 포함할수 있다.

5. 发明公开

KR1020170010874A 반도체 나노 결정의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体纳米晶的制备方法
公开(公告)号：KR1020170010874A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020170008907
申请日：2017-01-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장은주 , 홍석환 , 장효숙 , 전신애
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/06 , H01L51/00 , H01L33/26 , B82Y20/00
CPC分类号： C09K11/025 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/703 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L33/502 , H01L51/0092 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95
摘要： 반도체나노결정및 이를제조하는방법이제공된다. 반도체나노결정은베어(bare) 반도체나노결정, 및상기베어반도체나노결정에직접결합되어있는물분자를포함한다.
摘要翻译：一种半导体纳米晶体及其制备方法，其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。

6. 发明公开

KR1020050022535A 금속산화물이 첨가된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체페이스트 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：用于添加金属氧化物的等离子体显示面板的荧光增白剂及其制备
公开(公告)号：KR1020050022535A
公开(公告)日：2005-03-08
申请号：KR1020030061156
申请日：2003-09-02
申请人： 중앙대학교 산학협력단
发明人： 유재수 , 홍근영 , 정병우
IPC分类号： C09K11/59
CPC分类号： C09K11/703 , C01P2004/03 , H01J11/42 , H01J2211/42
摘要： PURPOSE: Provided is a fluorescent paste for plasma display panel(PDP) to transfer surface charge of negative electrode into positive one to homogeneously stabilize and improve discharging property at driving the panel. CONSTITUTION: The paste comprises Zn2SiO4:Mn as green fluorescent material with addition of 0.1-20wt.% of metal oxide having 3nm to 0.5 micron of particle size. The paste is produced by preparing a mixture of 10-60wt.% organic solvent, 5-60wt.% of binder and other additives such as filler, dispersant, plasticizer and lass frit in 0.1-20wt.% then agitating the mixture; adding 0.1-20wt.% of positive metal oxide to the mixture and agitating the mixture; and adding 10-60wt.% of fluorescent powder in first or second steps.
摘要翻译：目的：提供用于将负极的表面电荷转移到正极的等离子体显示面板（PDP）的荧光膏，以均匀稳定并改善驱动面板时的放电性能。构成：该糊料包含Zn2SiO4：Mn作为绿色荧光材料，加入0.1-20重量％的具有3nm至0.5微米粒径的金属氧化物。通过制备0.1-60重量％的10-60重量％有机溶剂，5-60重量％粘合剂和其它添加剂如填料，分散剂，增塑剂和轻质玻璃料的混合物制备糊料，然后搅拌该混合物; 向混合物中加入0.1-20重量％的正金属氧化物并搅拌该混合物; 并在第一或第二步骤中加入10-60重量％的荧光粉。

7. 发明授权

KR100315226B1 고휘도 저전압용 청색 형광체 失效
标题翻译：用于低电压应用的具有高亮度的蓝色磷光体
公开(公告)号：KR100315226B1
公开(公告)日：2001-11-26
申请号：KR1019990028990
申请日：1999-07-16
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 유일 , 유용찬 , 송미란
IPC分类号： C09K11/54
CPC分类号： C09K11/703
摘要： 본발명은 0.5∼3 중량의 P로도핑된저전압청색형광체및 이의제조방법에관한것이다. 상기청색형광체는아연산화물(ZnO)과갈륨산화물(GaO)의혼합물에융제로서인계화합물을혼합하고, 1200∼1300 ℃에서 1차소성시키고, 볼밀과정을거친후 세정하고, 900∼1100 ℃에서 2차소성한후 분급하여제조된다. 본발명의청색형광체인 ZnGaO는종래의청색형광체에비하여휘도가 20이상증가된다.

8. 发明授权

KR101915366B1 형광체 함유 입자 및 그것을 사용한 발광 장치, 형광체 함유 시트 有权
公开(公告)号：KR101915366B1
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020160169663
申请日：2016-12-13
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 구즈모또야스따까 , 료화다쯔야 , 모리시따마미 , 야마즈미노리유끼 , 이즈미마꼬또
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/08 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/025 , B82Y20/00 , C09K11/703 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , Y10S977/774 , Y10S977/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 반도체나노입자형광체와, 이온성액체에서유래되는구성단위를포함하는매트릭스를포함하고, 상기반도체나노입자형광체가상기매트릭스중에분산된형광체함유입자. 광원과, 본발명의형광체함유입자가투광성을갖는매체중에분산된파장변환부를구비하는발광장치. 본발명의형광체함유입자가, 시트형상의투광성을갖는매체중에분산된, 형광체함유시트.

9. 发明授权

KR101912782B1 향상된 안정성 및 발광 효율을 갖는 양자점 나노입자들 有权
公开(公告)号：KR101912782B1
公开(公告)日：2018-10-29
申请号：KR1020187000924
申请日：2015-02-06
申请人： 나노코 테크놀로지스 리미티드
发明人： 다니엘스,스티븐 , 나라야나스와미,아룬
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/70 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/703 , H01L2933/0041 , Y10S977/774 , Y10S977/81 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要： 어떤디티오-화합물들은양자점나노입자를위한우수한캡핑리간드로판명되었다. 예시적인디티오-리간드는디티오카르밤산염리간드들을포함한다. 강하게결합하는이들리간드는양자점나노입자의표면상의전기적양성및 음성원자둘 모두에배위결합할 수있다. 리간드들은이좌배위자이고따라서양자점표면으로의접근시에단일좌배위자의접근시에나타나는입체적인방해가발생하지않는다. 이들리간드는따라서양자점표면을완전히피복한다.

10. 发明授权

KR101888580B1 양자점 조성물 有权
公开(公告)号：KR101888580B1
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：KR1020167028391
申请日：2015-03-30
申请人： 나노코 테크놀로지스 리미티드
发明人： 보,콩-두안 , 나아사니,이매드 , 나르래이넨,아밀카르필레
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/70 , B82Y20/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C09K11/703 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08J5/18 , C08J2300/12 , C08J2363/10 , C08K3/32 , C08K9/10 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/70 , F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , H01L33/50 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/89 , Y10S977/95
摘要： 다중-상(Multi-phase) 양자점(QD) 폴리머필름이제공된다. QD는호스트매트릭스에흡수되며, 그것은외부폴리머상 내부로분산된다. 상기호스트매트릭스는소수성이며상기 QD의표면과양립가능하다. 상기호스트매트릭스는 QD가응집되는것을방지하는스캐폴딩(scaffolding) 물질또한포함한다. 외부폴리머는일반적으로더 친수성이며산소가 QD에접촉하는것을방지한다.

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