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    • 10. 发明授权
    • 굴절율이 낮은 티오펜계 전도성 고분자
    • 具有低折射率的噻吩导电聚合物
    • KR101022206B1
    • 2011-03-16
    • KR1020080099108
    • 2008-10-09
    • 서 광 석
    • 서광석김종은김태영이태희
    • C08G61/12C08J5/08
    • C08G61/126C08L39/04C08L65/00C08L2666/10
    • 본 발명은 굴절율이 1.55 이하인 티오펜계 전도성 고분자의 합성에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 티오펜계 전도성 고분자 합성 시 도판트 겸 분산제로 사용될 수 있는 고분자 중에서 굴절율이 낮은 화합물인 플로린을 함유하는 고분자를 전도성 고분자 합성용 도판트로 사용함으로서 합성된 전도성 고분자의 굴절율을 1.55 이하로 조절하는 기술 및 이를 통해 합성된 낮은 굴절율을 갖는 폴리티오펜계 전도성 고분자를 제공한다.
      본 발명의 기술을 이용하면 저굴절 전도성 고분자 또는 이를 포함하는 전도성 고분자를 만들기 위해 별도의 저굴절 물질을 혼합하지 않고도 자체적으로 1.55 이하의 굴절율을 갖는 전도성 고분자를 합성할 수 있다. 이 전도성 고분자가 포함되어 있는 용액에 불소계 첨가제를 혼합하면 전도성 고분자 조성물의 굴절율을 더욱 낮출 수 있어 저굴절 물질 또는 조성물의 제조에 훨씬 유리하다. 또한 본 발명의 전도성 고분자는 전도성 고분자 성분에 플로린을 포함하고 있어 그 자체적으로 접촉각이 높아 오염방지 기능을 가지면서 높은 전기 전도도를 갖는 등 여러 가지 장점이 있다.
      티오펜계 전도성 고분자, 굴절율, 이온성 액체 도판트, 발수 방오