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1. 发明授权

KR101796785B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101796785B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020100086988
申请日：2010-09-06
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 가마부치아키라 , 야마시타유코
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C61/135 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： 본발명은산 불안정기를갖는화합물로부터유도된구조단위를포함하고, 알칼리수용액중에불용성또는난용성이지만, 산의작용에의해알칼리수용액중에가용성이되는수지, 산발생제, 및하기화학식 (I')로나타낸화합물을 포함하는포토레지스트조성물을제공한다:[상기식 중, R, R, R및 R는각각독립적으로 C1-C8 알킬기를나타내고, A은 1개이상의이종원자를함유할수 있고 1개이상의치환기를갖는 C3-C36 2가포화환식탄화수소기 또는 1개이상의이종원자를함유할수 있고 1개이상의치환기를갖는 C6-C20 2가방향족탄화수소기를나타낸다].
摘要翻译：本发明涉及含有衍生自具有酸不稳定基团的化合物的结构单元的树脂，所述结构单元不溶于或微溶于碱性水溶液中，但通过酸的作用可溶于碱性水溶液中，其中R，R，R和R各自独立地为C1-C8烷基，A可以含有一个或多个杂原子并且可以含有一个或多个取代基或可以含有至少一个杂原子并且具有至少一个取代基的C6-C20 2-手提式烃基。

2. 发明公开

KR1020040084801A 아다만탄트리카르복실산 유도체 无效
标题翻译：形成聚苯并唑层的新型助剂三羧酸衍生物和有用的中间层绝缘层
公开(公告)号：KR1020040084801A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020040020242
申请日：2004-03-25
申请人： 주식회사 다이셀
发明人： 나가노,신야 , 하시모또,지이찌로
IPC分类号： C07C61/125
CPC分类号： C07C51/60 , Y02P20/55 , C07C61/135
摘要： PURPOSE: Provided is a novel adamantane tricarboxylic acid derivative which is improved in the solubility in various solvents, can form a polybenzazole layer having a high degree of crosslinking and is useful as an interlayer insulating layer having a high heat resistance and a low dielectric constant. CONSTITUTION: The adamantane tricarboxylic acid derivative is represented by the formula 1, wherein X is H or a hydrocarbon group; and R1, R2 and R3 are identical or different one another and represent a carboxyl or halogenated carboxyl group capable of being protected with a protecting group, and at least one of R1, R2 and R3 is a carboxyl or halogenated carboxyl group protected with a protecting group.
摘要翻译：目的：提供一种改善了在各种溶剂中的溶解度的新型金刚烷三羧酸衍生物，可以形成具有高交联度的聚苯并恶唑层，并且可用作具有高耐热性和低介电常数的层间绝缘层。构成：金刚烷三羧酸衍生物由式1表示，其中X为H或烃基; R1，R2和R3彼此相同或不同，表示能够被保护基保护的羧基或卤代羧基，R 1，R 2和R 3中的至少一个是用保护基保护的羧基或卤代羧基组。

3. 发明公开

KR1020160114525A 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 산 발생제, 광 반응성 퀀처 및 화합물 审中-实审
标题翻译：形成抗性图案酸发生器的电阻组合物方法
公开(公告)号：KR1020160114525A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020160034171
申请日：2016-03-22
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 나가미네다카시 , 엔도고타로 , 시노미야미키
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038
CPC分类号： C07D333/54 , C07C53/21 , C07C61/135 , C07C65/10 , C07C307/02 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C311/04 , C07C2603/68 , C07C2603/74 , C07D285/16 , C07D327/04 , C07D493/08 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： 노광에의해산을발생하고, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는레지스트조성물로서, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는기재성분 (A) 와, 노광에의해산을발생하는산 발생제성분 (B) 를함유하고, 상기산 발생제성분 (B) 가하기일반식 (b0) 으로나타내는화합물 (B0-1) 을함유하는것을특징으로하는레지스트조성물 [식중, Ra은방향고리를의미하고, Ra은치환기를가지고있어도되는탄소수 5 이상의알킬기이고, Ra, Ra은각각독립적으로, 치환기를가지고있어도되는탄소수 1 ∼ 10 의알킬기이다. n1 은 1 ∼ 5 의정수이고, n2 는 0 ∼ 2 의정수이고, n3 은 0 ∼ 4 의정수이다. X는카운터아니온이다.]

4. 发明公开

KR1020150105251A 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：使用该化合物的化学放大正电阻组合物和电阻图案化方法
公开(公告)号：KR1020150105251A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020150031675
申请日：2015-03-06
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 도몬다이스케 , 마스나가게이이치 , 와타나베사토시 , 오하시마사키 , 후쿠시마마사히로
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C61/135 , C07C61/15 , C07C61/26 , C07C61/28 , C07C61/39 , C07C61/40 , C07C63/08 , C07C63/68 , C07C69/76 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 본 발명은, 매우 높은 해상성을 가지며, 라인 에지 러프니스가 작은 패턴을 부여할 수 있는 술포늄염을 이용한 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 그것을 이용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(A) 하기 화학식 (1)로 표시되는 염, (B) 하기 화학식 (U-1)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 산의 작용에 의해 분해되고, 알칼리 현상액 중에서의 용해도가 증대되는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 및 그것을 이용한 레지스트 패턴 형성 방법.
摘要翻译：本发明提供一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，其具有高分辨性，并且可以使用能够施加具有小线边缘粗糙度的图案的磺酸盐和使用其的抗蚀剂图案化方法。化学放大型正性抗蚀剂组合物含有（A）由化学式（1）表示的盐; 和（B）包含由化学式（U-1）表示的重复单元并通过酸的作用分解的树脂，其中树脂在碱性显影溶液中的溶解度增加。

5. 发明授权

KR101742371B1 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：化学放大的正型抗蚀剂组合物和用于形成抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR101742371B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150031675
申请日：2015-03-06
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 도몬다이스케 , 마스나가게이이치 , 와타나베사토시 , 오하시마사키 , 후쿠시마마사히로
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C61/135 , C07C61/15 , C07C61/26 , C07C61/28 , C07C61/39 , C07C61/40 , C07C63/08 , C07C63/68 , C07C69/76 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 본발명은, 매우높은해상성을가지며, 라인에지러프니스가작은패턴을부여할수 있는술포늄염을이용한화학증폭포지티브형레지스트조성물및 그것을이용한레지스트패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. (A) 하기화학식 (1)로표시되는염, (B) 하기화학식 (U-1)로표시되는반복단위를포함하는산의작용에의해분해되고, 알칼리현상액중에서의용해도가증대되는수지를함유하는것을특징으로하는화학증폭형포지티브형레지스트조성물및 그것을이용한레지스트패턴형성방법.
摘要翻译：本发明中，由具有非常高的电阻，并且该线边缘粗糙度提供了一种形成使用抗蚀剂图案的方法的化学放大型正光刻胶组合物，以及使用锍盐，可以在一个小的对象赋予的图案。（A）由盐，（B）分解为含有由下式表示的重复单元的由式（1）表示的酸（U-1）的作用下，含有树脂是在碱性显影剂中的溶解度增加以及使用化学放大型正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。

6. 发明公开

KR1020120036369A 트리시클로데칸 모노메탄올 모노카르복실산 및 그 유도체 无效
标题翻译：三聚氰胺单甲氧基单羧酸及其衍生物
公开(公告)号：KR1020120036369A
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：KR1020127004235
申请日：2010-07-09
申请人： 히타치가세이가부시끼가이샤 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼
发明人： 카와카미히로유키 , 토미나가켄이치 , 사토카즈히코
IPC分类号： C07C61/135 , C07C67/31 , C07C69/757 , C07B61/00
CPC分类号： C07C67/347 , C07C61/135 , C07C69/753 , C07C69/757 , C07C2603/68
摘要： 고내열 지환식 폴리에스테르 등의 원료가 될 수 있는 신규한 트리시클로데칸 모노메탄올 모노카르복실산 및 그 유도체를 제공한다. 하기 일반식(I)로 표시되는 트리시클로데칸 모노메탄올 모노카르복실산 및 그 유도체.

7. 发明公开

KR1020110027588A 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020110027588A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020100086988
申请日：2010-09-06
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 가마부치아키라 , 야마시타유코
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C61/135 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/004 , G03F7/0047 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A photo-resist composition is provided to obtain a photo-resist pattern with superior resolution by including a structure unit derived from a compound containing an acid labile group. CONSTITUTION: A photo-resist composition includes a resin, an acid generating agent, and a compound represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R51 to R54 respectively represent C1-C8 alkyl groups. A11 represents a C3-C36 bivalent saturated cyclic hydrogen carbonate group containing one or more hetero atoms and one or more substitution groups or a C6-C20 bivalent aromatic hydrogen carbonate group containing one or more hetero atoms and one or more substitution groups.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂组合物，通过包含衍生自含有酸不稳定基团的化合物的结构单元获得具有优异分辨率的光致抗蚀剂图案。构成：光致抗蚀剂组合物包括树脂，酸产生剂和由化学式1表示的化合物。在化学式1中，R 51至R 54分别表示C 1 -C 8烷基。 A11表示含有一个或多个杂原子和一个或多个取代基的C 3 -C 36二价饱和环状碳酸氢酯基或含有一个或多个杂原子和一个或多个取代基的C 6 -C 20二价芳族碳酸氢酯基。

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