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1. 发明公开

KR1020170104404A 집적형 마이크로 전자기계 시스템을 가진 장치를 위한 구조 审中-实审
标题翻译：集成微电子机械系统的设备结构
公开(公告)号：KR1020170104404A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：KR1020170028919
申请日：2017-03-07
申请人： 소이텍
发明人： 기셀랑브루노
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B2203/0127 , B81B2207/015 , B81C1/00182 , B81C1/00626 , B81C2201/056
摘要： 본발명은구조(410, 410', 410'', 420, 430)를제조하기위한방법에관한것이며, 방법은, a) 전면및 후면을포함하는도너기판을제공하는단계; b) 지지기판(20)을제공하는단계; c) 도너기판의전면상에또는지지기판(20) 상에중간층(30)을형성하는단계; d) 도너기판및 지지기판(20)을조립함으로써, 2개의기판사이에중간층(30)을배치하는단계; e) 도너기판의후면을씨닝함으로써, 중간층(30) 상에배치되는제 1 면및 제 2 자유면(free face)(12')을갖는가용두께의가용층(100)을형성하는단계를포함하며, ●도너기판은, 도너기판의전면과정지층(2) 사이에, 가용두께보다작은제 1 두께를갖는미세활성층(3) 및매립정지층(2)을포함하고; ●단계 e) 이후에, 방법은, 구조의제 1 영역(110)에서, 가용층(100)의제 2 자유면(12') 및정지층(2)에의해경계가정해지는두꺼운활성층(4)을제거하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及用于制造结构410,410'，410“，420,430的方法，该方法包括：a）提供包括前侧和后侧的施主衬底; b）提供支撑基底（20）; c）在所述供体衬底的所述前表面上或所述支撑衬底（20）上形成中间层（30）; d）通过组装供体衬底和支撑衬底（20）将中间层（30）布置在两个衬底之间; e）通过减薄所述供体衬底的背面而形成具有布置在所述中间层（30）上的第一侧面和第二自由面（12'）的可用厚度的可用层（100）供体衬底包括在供体衬底的前衬底层（2）之间具有小于可用厚度的第一厚度的微活性层（3）和掩埋停止层（2）在步骤e）之后，该方法包括在结构的第一区域110中形成厚的有源层4，该有源层4被假定为由可溶层100的第二自由表面12'和停止层2界定该方法包括以下步骤：

2. 发明公开

KR1020080051716A 미소기전집적시스템 소자의 부양 구조물 제조방법 失效
标题翻译：微电子技术的浮动结构的制造方法
公开(公告)号：KR1020080051716A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060123293
申请日：2006-12-06
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 고상춘 , 전치훈 , 표현봉 , 박선희
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/0133 , B81C2201/0136
摘要： A method for manufacturing a floating structure of a micro-electrochemical integrated system is provided to selectively etch a thick oxidation film by forming a micro-channel at high etching speed by isotropically etching a sacrificial layer. A method for manufacturing a floating structure of a micro-electrochemical integrated system includes the steps of: forming a sacrificial layer including a thin-film pattern(102A) with impurities doped on a substrate(100); forming a support film on the sacrificial layer; forming a structure to be floated on the support film through post processes; forming an etching hole(115) for exposing both sides of the thin-film pattern; and forming an air gap between the support film and the substrate by removing the sacrificial layer via the etching hole.
摘要翻译：提供了一种用于制造微电化学集成系统的浮动结构的方法，以通过各向同性蚀刻牺牲层以高蚀刻速度形成微通道来选择性地蚀刻厚氧化膜。一种用于制造微电化学集成系统的浮动结构的方法包括以下步骤：形成包括掺杂在衬底（100）上的杂质的薄膜图案（102A）的牺牲层; 在牺牲层上形成支撑膜; 通过后处理形成浮在支撑膜上的结构; 形成用于暴露薄膜图案的两侧的蚀刻孔（115）; 以及通过经由所述蚀刻孔去除所述牺牲层，在所述支撑膜和所述基板之间形成气隙。

3. 发明授权

KR101352434B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：一种半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101352434B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020120099218
申请日：2012-09-07
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경 , 윤기준 , 정오진 , 류상욱 , 정성훈 , 주성욱
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： B81C1/00015 , B81B3/0018 , B81B2201/018 , B81C1/00801 , B81C2201/014
摘要： The present invention includes the step of forming a lower electrode pattern on a substrate; the step of forming a first interlayer insulation layer on the lower electrode pattern; the step of forming an upper electrode pattern on the first interlayer insulation layer; the step of forming a second interlayer insulation layer on the upper electrode pattern; the step of forming a wet etching blocking layer positioned at the side surface by penetrating the first interlayer insulation layer; the step of forming a cavity exposing the side surface of the wet etching blocking layer by wet etching the second interlayer insulation layer; and the step of forming a contact ball in the cavity.
摘要翻译：本发明包括在基板上形成下电极图案的步骤; 在所述下电极图案上形成第一层间绝缘层的步骤; 在所述第一层间绝缘层上形成上电极图案的步骤; 在上电极图案上形成第二层间绝缘层的步骤; 通过穿透第一层间绝缘层形成位于侧表面的湿蚀刻阻挡层的步骤; 通过湿式蚀刻第二层间绝缘层形成暴露湿蚀刻阻挡层的侧表面的空腔的步骤; 以及在空腔中形成接触球的步骤。

4. 发明授权

KR100856391B1 미소기전집적시스템 소자의 부양 구조물 제조방법 失效
标题翻译：微电子技术的浮动结构的制造方法
公开(公告)号：KR100856391B1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：KR1020060123293
申请日：2006-12-06
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 고상춘 , 전치훈 , 표현봉 , 박선희
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/0133 , B81C2201/0136
摘要： 본 발명은 희생층을 이용한 미세기전집적시스템(MicroElectroMechanical System)에 소자의 부양 구조물 제조방법에 있어서 상기 희생층 식각공정시 식각용액에 의해 부양 구조물이 손상되는 것을 방지하여 안정적으로 부양 구조물을 형성할 수 있는 미세기전집적시스템 소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 불순물이 도핑된 박막 패턴을 포함하는 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층 상에 지지막을 형성하는 단계와, 상기 지지막 상에 후속 공정을 통해 부양될 구조물을 형성하는 단계와, 상기 박막 패턴의 양측부가 노출되는 식각 구멍을 형성하는 단계와, 상기 식각 구멍을 매개로 상기 희생층을 제거하여 상기 지지막과 상기 기판 사이에 공기 간극을 형성하는 단계를 포함하는 미소기전집적시스템 소자의 부양 구조물 제조방법을 제공한다.
미소기전집적시스템, MEMS, 공동, 공기 간극, 희생층, 불순물 박막

5. 发明授权

KR100495603B1 실리콘 마이크로기계구조의 제작 失效
标题翻译：硅微机械结构的制造
公开(公告)号：KR100495603B1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020037009356
申请日：2002-01-11
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 데스폰트,마이클 , 드레츠슬레르,우테 , 매그너슨,로이,에이치.
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
摘要： 한 물질과 귀금속 층(8)을 포함하는 마이크로구조의 상기 물질을, 제조 중 원하지 않는 갈바닉 에칭으로부터 보호하기 위한 방법으로서, 상기 마이크로구조 상에 상기 물질보다 낮은 산화환원 전위를 갖고 상기 귀금속 층(8)에 전기적으로 접속되는 희생 금속 층(12)을 형성하는 단계를 포함한다.

6. 发明公开

KR1020030088424A 실리콘 마이크로기계구조의 제작 失效
标题翻译：硅微机械结构的制作
公开(公告)号：KR1020030088424A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：KR1020037009356
申请日：2002-01-11
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 데스폰트,마이클 , 드레츠슬레르,우테 , 매그너슨,로이,에이치.
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
摘要： 한 물질과 귀금속 층(8)을 포함하는 마이크로구조의 상기 물질을, 제조 중 원하지 않는 갈바닉 에칭으로부터 보호하기 위한 방법으로서, 상기 마이크로구조 상에 상기 물질보다 낮은 산화환원 전위를 갖고 상기 귀금속 층(8)에 전기적으로 접속되는 희생 금속 층(12)을 형성하는 단계를 포함한다.

7. 发明公开

KR1020170045297A 멤스 소자 审中-实审
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：KR1020170045297A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020177008032
申请日：2015-06-23
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 슈툼버미햐엘 , 슈타인베네딕트 , 셸링크리스토프
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/01 , B81B2201/0228 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0136 , B81C1/00801
摘要： 본발명은, 멤스소자(102)의층 구조내에전극(7)을갖는자가지지식구조요소(31)를구현하기에매우적합한층 재료에관한것이다. 본발명에따라, 자가지지식구조요소(31)는적어도부분적으로실리콘카르보니트라이드(SiCN)에기반한층으로형성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种非常适合于在MEMS元件（102）的层结构中实现具有电极（7）的自组织结构元件（31）的层材料。根据本发明，自组织结构元件31至少部分地由基于碳氮化硅（SiCN）的层形成。

8. 发明公开

KR1020170018404A 마이크로기계 층 어셈블리 审中-实审
标题翻译：微机械组件
公开(公告)号：KR1020170018404A
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020177000781
申请日：2015-05-29
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 슈트라웁라이너 , 핀터슈테판 , 하버러디트마 , 바더요하네스 , 암브루스터지몬 , 하우스너랄프
IPC分类号： B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B2201/042 , B81B2203/0163 , B81C3/001 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , G02B26/0833
摘要： 본발명은, 수직으로서로겹쳐서배열되고기능적으로서로결합되며서로독립적으로구조화된적어도 2개의기계적활성기능층(10, 20)을포함하는마이크로기계층 어셈블리(100)에관한것이다.
摘要翻译：一种微机械层系统，其具有彼此独立地图案化的至少两个机械有功功能层，它们垂直地布置在另一个之上并且在功能上彼此耦合。

9. 发明授权

KR101697802B1 산-식각 저항성, 보호 코팅 有权
标题翻译： - 防酸防腐涂料
公开(公告)号：KR101697802B1
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020117027010
申请日：2010-03-19
申请人： 브레우어 사이언스 인코포레이션
发明人： 탕,팅지 , 쉬,구 , 종,싱-푸 , 홍,웬빈 , 플레임,토니,디. , 예스,킴벌리 , 트리추르,라마찬드란,케이.
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/308 , B81C1/00 , C08G61/08 , G03F7/033 , G03F7/09
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/053 , C08G61/08 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , G03F7/033 , G03F7/094 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , Y10T428/31645 , Y10T428/31667 , Y10T428/31692 , Y10T428/31855 , Y10T428/31909
摘要： 신규한조성물및 반도체및 MEMS 디바이스의제조동안보호레이어로서이러한조성물을사용하는방법이제공된다. 조성물은용매시스템에분산되거나용해된사이클로올레핀공중합체를포함하고, 산식각및 다른가공및 취급동안기판을보호하는레이어를형성하기위하여사용될수 있다. 보호레이어는광민감성또는비-광민감성일수 있고, 보호레이어아래에프라이머레이어와함께또는프라이머레이어없이사용될수 있다. 바람직한프라이머레이어는용매시스템중의염기성고분자를포함한다.
摘要翻译：提供了在制造半导体和MEMS器件期间使用这些组合物作为保护层的新组合物和方法。组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，并且可以用于在酸蚀刻和其它加工和处理期间形成保护基材的层。保护层可以是光敏的或非感光的，并且可以在保护层下面使用或不使用底漆层。优选的底漆层在溶剂体系中包含碱性聚合物。

10. 发明公开

KR1020010051524A ＫＯＨ 엣칭제에 의한 기질 엣칭동안 반도체 기질상에형성된 구조물 표면보호를 위한 금속필름 无效
标题翻译：金属膜用于保护表面由半导体衬底形成的表面，这种衬底由KOH蚀刻剂蚀刻
公开(公告)号：KR1020010051524A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020000066090
申请日：2000-11-08
申请人： 이엠. 마이크로일레크트로닉-마린 쏘시에떼 아노님
发明人： 울리츠,뮨츠
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/053 , B81C2203/0735 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A metal film for protecting the surface of a structure formed on a semiconductor substrate is provided to protect the structure from KOH etchant, by depositing metal films including an external gold layer on the surface of the structure. CONSTITUTION: The structure is formed on the semiconductor substrate(23) made of a semiconductor base material to be etched by KOH etchant such that the semiconductor substrate has the first surface or a front surface(25) and the second surface or a back surface(27). An aluminum connection pad(31) is disposed on the first surface, made of a material that can be etched by the etchant. The metal film includes the external gold layer(43) having tolerance regarding the etchant, formed on the first surface and covering the aluminum connection pad.
摘要翻译：目的：提供用于保护形成在半导体衬底上的结构的表面的金属膜，以通过在结构表面上沉积包括外部金层的金属膜来保护结构免受KOH腐蚀剂的影响。结构：该结构形成在半导体衬底（23）上，该半导体衬底（23）由用KOH腐蚀剂蚀刻的半导体基底材料制成，使得半导体衬底具有第一表面或前表面（25）和第二表面或后表面 27）。铝连接垫（31）设置在第一表面上，由可被蚀刻剂蚀刻的材料制成。金属膜包括形成在第一表面上并覆盖铝连接焊盘的关于蚀刻剂的公差的外部金层（43）。

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