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1. 发明授权

KR102107158B1 배선 구조 및 스퍼터링 타깃 有权
公开(公告)号：KR102107158B1
公开(公告)日：2020-05-06
申请号：KR1020187021159
申请日：2016-10-21
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 오쿠노히로유키 , 나카이준이치 , 요시다신타로
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/02

2. 发明授权

KR102091554B1 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃, 그리고 그들의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102091554B1
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：KR1020187029670
申请日：2017-02-09
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다오유키 , 나카네야스오 , 하타히데오
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/64 , C23C14/34

3. 发明授权

KR101801513B1 스크린 인쇄판 有权
标题翻译：丝网印刷版
公开(公告)号：KR101801513B1
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：KR1020170038312
申请日：2017-03-27
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 후쿠다마사토 , 미야타고이치 , 시노다다츠아키
IPC分类号： B41N1/24 , B41N1/04
摘要： 본발명은두께 5㎛이상, 25㎛이하의금속박에개구부를형성한금속박메쉬부재를사용한스크린인쇄판에있어서, 금속박메쉬부재의파단이발생되기어려운스크린인쇄판을제공한다. 스크린인쇄판은, 두께가 5㎛이상, 25㎛이하인금속박의일 방향을따라서복수의개구부가배치되고, 핑거전극을설치하기위한핑거전극용패턴을갖는금속박메쉬부재와, 복수의개구부의일부를덮는수지를구비하고, 금속박메쉬부재는, 핑거전극용패턴의개구부가연장되는일 방향을따른장력보다도일 방향에수직인방향을따른장력이작아지도록지지되어있다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用金属箔网状构件以形成在所述金属箔的厚度超过5㎛开口的丝网印刷板，25㎛下面，提供了一个很难成为金属箔目丝网印刷版bujaeui发生断裂。丝网印刷板，5㎛比沿具有多个开口的不超过25㎛金属箔的一个方向上的厚度被布置，并与用于指状电极的网眼图案用于提供所述指状电极，覆盖所述多个开口中的一个部分中的金属箔构件和树脂，金属箔网状部件，比手指电极根据垂直于所述一个方向的方向上的张力图案的延伸的开口沿所述第一方向的张力被支撑为更小。

4. 发明授权

KR101695578B1 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氧化物烧结体和溅射靶及其生产方法
公开(公告)号：KR101695578B1
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020157006264
申请日：2013-09-10
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다오유키 , 하타히데오 , 남부아키라 , 가나마루모리요시
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/64 , C23C14/34 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/66 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 산화아연과; 산화인듐과; 산화갈륨과; 산화주석을혼합및 소결하여얻어지는산화물소결체. 상기산화물소결체의상대밀도는 85% 이상이며, 상기산화물소결체의표면에있어서관찰되는결정립의평균결정립경은 10㎛미만이다. 상기산화물소결체를 X선회절하였을때, ZnSnO상과 InGaZnO상이주상이며, InGaZnO상이 3체적% 이하이다.
摘要翻译：通过混合和烧结氧化锌，氧化铟，氧化镓和氧化锡得到的氧化物烧结体。氧化物烧结体的相对密度为85％以上，在氧化物烧结体的表面观察到的晶粒的平均粒径小于10μm。氧化物烧结体的X射线衍射表明Zn2SnO4相和InGaZnO4相为主相，InGaZn 2 O 5相的含量为3体积％以下。

5. 发明授权

KR101622530B1 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：烧结氧化物和溅射靶材及其生产方法
公开(公告)号：KR101622530B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020157033548
申请日：2014-11-28
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐 , 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 다오유키 , 히로세겐타 , 지코노리히로 , 오치모토타카
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34 , C04B37/02
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491
摘要： 본딩공정에서의깨짐의발생을억제시킬수 있는산화물소결체, 및상기산화물소결체를사용한스퍼터링타깃, 및그 제조방법을제공한다. 본발명의산화물소결체는, 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을소결하여얻어지는산화물소결체이며, 산화물소결체의상대밀도가 90% 이상, 산화물소결체의평균결정립경이 10㎛이하이고, 산화물소결체에포함되는전체금속원소에대한, 인듐, 갈륨, 주석의함유량의비율(원자%)을각각, [In], [Ga], [Sn]으로하였을때, 30원자%≤[In]≤50원자%, 20원자%≤[Ga]≤30원자%, 25원자%≤[Sn]≤45원자%를만족시킴과함께, InGaO상은 [InGaO]≥0.05를만족시킨다.

6. 发明公开

KR1020150135530A Li 함유 산화물 타겟 접합체 无效
标题翻译：含LI的氧化物目标组件
公开(公告)号：KR1020150135530A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020157031160
申请日：2014-04-28
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다케토미유이치 , 가나마루모리요시 , 요시다신타로
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/447 , C04B35/645 , C04B37/02
CPC分类号： H01J37/3417 , C04B35/01 , C04B35/447 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2235/3203 , C04B2235/3275 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C23C14/082 , C23C14/085 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3491
摘要： Li 함유산화물스퍼터링타겟과, Al계나 Cu계등의백킹플레이트를, 본딩재를개재해서타겟접합체로할 때의휨이나깨짐의발생을억제할수 있는 Li 함유산화물타겟접합체를제공한다. 본발명의 Li 함유산화물타겟접합체는, Li 함유산화물스퍼터링타겟과백킹플레이트가본딩재를개재해서접합된타겟접합체이고, Li 함유산화물스퍼터링타겟의굽힘강도는 20MPa 이상이다.

7. 发明公开

KR1020150034220A Cu 합금 박막 형성용 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：用于形成铜合金薄膜的溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150034220A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020157002511
申请日：2013-07-24
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 고토히로시 , 마츠자키히토시
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/16
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/165 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H01L21/285 , H01L21/203 , H01L21/2855 , H01L2924/00
摘要： 본발명은, 액정디스플레이등의표시디바이스용전극막등으로서유용한 Cu-Mn 합금박막의제막에사용되는스퍼터링타깃이며, 스퍼터링시, 매우조대화된클러스터입자를저감하여, 파티클이나스플래쉬의발생이적은 Cu 합금박막형성용스퍼터링타깃, 및그 제조방법을제공하는것이다. 본발명의 Cu 합금박막형성용스퍼터링타깃은, 적어도 Mn을포함하고, Mn의함유량이 2원자% 이상, 20원자% 이하인 Cu 합금스퍼터링타깃이며, 스퍼터링타깃의두께방향의 t/2 단면의비커스경도가 50HV 이상, 100HV 이하로제어되어있다.

8. 发明公开

KR1020150011833A 스크린 인쇄용 메쉬 부재 및 스크린 인쇄판 有权
标题翻译：丝网印刷和丝网印刷板的会员
公开(公告)号：KR1020150011833A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：KR1020147035297
申请日：2013-06-19
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 다카오카게이고 , 다이니치다카야스 , 요시카와가즈오 , 고보리다카시
IPC分类号： B41N1/24 , H01L31/04 , H05K3/12
CPC分类号： B41N1/24 , B41C1/14 , B41N1/247 , H01L31/022425 , H05K3/1225 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 핑거 전극 및 버스 바 전극을 스크린 인쇄로 형성할 때에 사용되는 스크린 인쇄용 메쉬 부재를 제공하는 것이다. 이 메쉬 부재는 압연 금속박에 에칭으로 천공 가공된 것이다. 핑거 전극 대응부에서는, 가로로 긴 형태로 형성된 각각의 구멍이 당해 구멍의 횡길이 방향과 직교하는 방향으로 배열 설치되어, 당해 횡길이 방향의 길이가, 인쇄 패턴 예정부의 폭보다 크고, 그 단부가 인쇄 패턴 예정부의 외측까지 연장되어 형성되어 있다. 핑거 전극 대응부에 있어서의 개구 면적률이 버스 바 전극 대응부에 있어서의 개구 면적률보다도 크다.

9. 发明授权

KR101427506B1 콘택트 프로브 有权
标题翻译：联系方式
公开(公告)号：KR101427506B1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020127029450
申请日：2011-05-10
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 가부시키가이샤 코베루코 카겐
发明人： 히라노다카유키 , 고보리다카시
IPC分类号： G01R1/067 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/06761 , G01R3/00 , G01R35/00
摘要： 피검체(특히, 피검체에 포함되는 Sn)와의 저부착성을 실현하는 동시에, 장기간에 걸쳐 안정된 접촉 저항을 유지할 수 있는 콘택트 프로브 및 그것을 갖는 접속 장치를 제공한다. 본 발명은, 전극에 반복하여 접촉하는 콘택트 프로브이며, 전극과 접촉하는 상기 콘택트 프로브 표면에, 금속 원소를 함유하는 탄소 피막이 형성되어 있고, 상기 금속 원소의 탄소 피막 표면에서의 농도가 탄소 피막 전체의 평균 농도보다도 낮은 콘택트 프로브에 관한 것이다.

10. 发明授权

KR101305778B1 오스테나이트계 용접 재료 및 그것을 사용한 응력 부식 균열 예방 보전 방법 및 입계 부식 예방 보전 방법 有权
标题翻译：基于奥斯特的焊接材料，以及使用相同的应力腐蚀开裂和预防性维护方法进行晶界腐蚀的预防性维护方法
公开(公告)号：KR101305778B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020117016457
申请日：2009-12-16
申请人： 가부시키가이샤 코베루코 카겐 , 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 기우찌기요시 , 이오까이꾸오 , 가또오찌아끼 , 마루야마노부또시 , 쯔까따니이찌로오 , 다나베마꼬또 , 나까야마줌뻬이
IPC分类号： B23K35/30 , B23K9/04 , B23K9/23 , B23K31/00
CPC分类号： B23K35/3053 , B23K9/04 , B23K9/23 , B23K31/12 , C21D9/50 , C21D9/505 , C21D2211/001 , C21D2251/04 , C22C38/001 , C22C38/004 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/50 , C22C38/54 , F16J12/00
摘要： C:0.01wt％ 이하, Si:0.5wt％ 이하, Mn:0.5wt％ 이하, P:0.005wt％ 이하, S:0.005wt％ 이하, Ni:15 내지 40wt％, Cr:20 내지 30wt％, N:0.01wt％ 이하, O:0.01wt％ 이하를 함유하고, 잔량부는 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 오스테나이트계 용접 재료이며, 상기 용접 재료에 상기 불가피적 불순물로서 포함되는 B가 3wtppm 이하이고, 또한 상기 용접 재료 중 상기 C, P, S, N 및 O의 함유량의 합계가 0.02wt％ 이하인 용접 재료이다.

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