专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100263467B1 고체촬상소자 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：固态图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100263467B1
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：KR1019970079133
申请日：1997-12-30
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L27/14831
摘要： PURPOSE: A solid image pick-up device and its manufacturing method are provided to improve a sensitivity by perfectly reading the signal electron and increasing the aperture ratio of the pixels. CONSTITUTION: In a solid image pick-up device having a matrix-type photo diode, a first interlevel insulation layer and the first transfer gate(26) are successively formed between the photo diodes arranged in a row. A block insulation layer is formed along the center of the first transfer gate. A second interlevel insulation layer(28) is formed on the first transfer gate. A second and a third transfer gates(29b)are formed alienated from the block insulation layer and also completely placed on the first transfer gate. A third interlevel insulation layer is formed on the second and third transfer gates. A fourth transfer gate is formed on the third interlevel insulation layer to be completely placed on top of the second and third transfer gates.
摘要翻译：目的：提供固体摄像装置及其制造方法，以通过完美地读取信号电子和增加像素的开口率来提高灵敏度。构成：在具有矩阵型光电二极管的固体摄像装置中，在排列成一行的光电二极管之间依次形成第一层间绝缘层和第一传输栅极（26）。沿着第一传输门的中心形成块绝缘层。在第一传输门上形成第二层间绝缘层（28）。第二和第三传输门（29b）被形成为与块绝缘层疏远并且完全放置在第一传输门上。在第二和第三传输门上形成第三层间绝缘层。第四传输栅极形成在第三层间绝缘层上，以完全放置在第二和第三传输门的顶部。

2. 发明授权

KR100192954B1 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有垂直传输闸门的图像拾取装置
公开(公告)号：KR100192954B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960029039
申请日：1996-07-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신종철
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H01L29/76808
摘要： 본 발명은 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자에 관한 것으로서, 특히 매트릭스상으로 배치된 복수의 픽셀영역들을 가지며, 각 픽셀영역들은 수광영역와 전하전송영역를 포함하며, 상기 수광영역들의 수직열들 사이에 형성된 복수의 수직전하전송수단들과, 상기 복수의 수직전송수단들로부터 동시에 전달되는 전하를 공급받아 수평방향으로 전송하는 적어도 하나 이상의 수평전하전송수단을 구비하는 전하결합형 고체촬상소자에 있어서, 상기 각 픽셀영역들은 상기 수광영역의 제 1 전도형의 반도체 기판의 표면근방에 형성된 제 2 전도형의 정공축적영역; 상기 전하전송영역의 상기 반도체 기판의 표면근방에 형성된 제 1 전도형의 수직전하결합영역; 상기 정공축적영역 및 수직전하결합영역의 하방에 형성된 제 1 전도형의 광전변환영역; 및 상기 수직전하결합영역과 상기 광전변환영역 사이에 형성되고 상기 광전변환영역에서 생성된 신호전하를 상기 수직전하결합영역의 하부로 펀치 쓰로우에 의해 전달하는 매몰형 전달게이트영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.

3. 发明授权

KR100271804B1 고체촬상소자 및 그 구동방법 失效
标题翻译：固态图像装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR100271804B1
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019980023806
申请日：1998-06-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 유영준
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L29/76833
摘要： 본 발명은 고체촬상소자 및 그 구동방법에 관한 것으로, 4상클락의 고체촬상소자에서 2개의 전송게이트를 읽기용 전송 게이트로 작동시킴으로써, 전하전송통로를 넓혀 PD에서 VCCD로의 전하전송이 원활하게 하고 PD의 프로파일을 불안정하게 형성하지 않도록 하기 위하여, 제 1 도전형 기판과, 상기 기판에 스트라이프 형상으로 형성되는 다수의 제 2 도전형 전하전송영역과, 상기 다수의 전하전송영역 사이에 위치하여 상기 전하전송영역의 일부와 단위셀을 이루되, 각 단위셀에 하나씩 형성되는 다수의 제 2 도전형 광전변환영역과, 상기 기판 상부의 제 1 층에 제 1 게이트가 위치하고, 상기 제 1 층 상부의 제 2 층에 제 2 및, 제 4 게이트가 위치하고, 상기 제 2 층 상부의 제 3 층에 제 3 게이트가 위치하도록 형성되되, 상기 전하전송영역 상부에서는 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 게이트가 차례대로 배열되고, 상기 다수의 광전변환영역 사이에서는 상기 제 2 및, 제 3 게이트가 상기 제 1 게이트 외부로 돌출되지 않도록 배열되는 전송게이트들을 포함하며, 상기 제 2 및, 제 3 게이트에 고압펄스를 동시에 인가하여 상기 광전변환영역에서 발생하는 신호전하를 상기 전하전송영역으로 전송시키는 구동방법이다.

4. 发明授权

KR100261128B1 고체촬상소자 失效
标题翻译：固态图像传感器
公开(公告)号：KR100261128B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019930000548
申请日：1993-01-18
申请人： 소니 주식회사
发明人： 후꾸쇼다까시 , 히로다이사오 , 고이께모도유끼
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01L29/42396
摘要： 전화소독출 대응의 3상구동의 CCD 고체촬상소자에 있어서, 인터레이스방식 대응의 필드독출이나 프레임독출을 수직레지스터의 취급 전하량을 감소시키지 않고 행할 수 있는 6상구동을 용이하게 실현할 수 있도록 한다.
6n+1 및 6n+4열에 관해서, 제2의 전극부(2b)와 Al 패턴(8)과의 접속을 동일열내에 있어서 하나 걸러이고, 또한 각 2개 걸른 열사이에 있어서 서로 엇갈리게 한다. 6n+2 및 6n+5열에 관해서, 제1의 전극부(1b)와 Al 패턴(8)과의 접속을 동일 열내에 있어서 하나 걸러이고, 또한 각 2개 걸른 열사이에 있어서 서로 엇갈리게 한다. 6n+3 및 6n+6열에 관해서, 제3의 전극부(제1전극부(3b
1 ) 및 제2전극부)와 Al 패턴(8)과의 접속을 동일 열내에 있어서 하나 걸러이고, 또한 각 2개 걸른 열사이에 있어서 서로 엇갈리게 한다.

5. 发明授权

KR100259438B1 게이트절연막의 형성방법 失效
标题翻译：制造绝缘层绝缘层的方法
公开(公告)号：KR100259438B1
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019920007425
申请日：1992-05-01
申请人： 소니 주식회사
发明人： 후꾸쇼다까시 , 도미야요시노리
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L29/66954 , H01L29/42396 , Y10S148/114
摘要： 소자의 미세화에 대응할 수 있는 동시에, MOS 캐패시터의 CV의 특성의 비직선화를 회피할 수 있고, 더욱이 게이트 전극의 에칭에 의한 바탕재 선택비의 악화, 불균일의 영향을 배제하면서 다층 전극 프로세스에 있어서 1층째 MOS구조와 동등한 용량, 포텐셜을 2층째 이후의 MOS 구조에도 실현할 수 있도록 한다. 게이트 절연막을 형성함에 있어서, 실리콘 기판(1)위에 실리콘 산화막(2)을 통해 형성된 실리콘 질화막(3) 위에 감압 CVD법에 의해 실리콘 산화막(4)을 형성하고, 이 실리콘 산화막(4) 위에 게이트 전극(6)을 패터닝한 후, 실리콘 산화막(7)을 퇴적한다.
[색인어]
게이트절연막, MOS캐패시터, 게이트전극, CCD, 고체촬상소자

6. 发明公开

KR1020000002860A 고체촬상소자 및 그 구동방법 失效
标题翻译：固体电荷耦合器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020000002860A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980023806
申请日：1998-06-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 유영준
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L29/76833
摘要： PURPOSE: A solid charge coupled device is provided to transmit the signal charge generated from the photo diode to the charge coupled device. CONSTITUTION: The solid charge coupled device comprises: a first conductive semiconductor substrate; plural second conductive photo diodes formed on the semiconductor substrate; plural second conductive charge coupled device channels formed on the semiconductor substrate; and a transmitting wire unit for delivering the charge of the photo diode to the charge coupled device channel and forming a second and a third transmitting gates not to be projected from a first transmitting gate.
摘要翻译：目的：提供固体电荷耦合器件，用于将从光电二极管产生的信号电荷传输到电荷耦合器件。构成：固体电荷耦合器件包括：第一导电半导体衬底; 形成在半导体衬底上的多个第二导电光电二极管; 形成在半导体衬底上的多个第二导电电荷耦合器件沟道; 以及发射线单元，用于将光电二极管的电荷输送到电荷耦合器件沟道，并形成不从第一发射栅极投影的第二和第三发射栅极。

7. 发明授权

KR100196302B1 막 두께가 최적으로 설정된 다층 구조 고체 촬상 소자 및 제조 방법 失效
标题翻译：设计为具有最佳层厚度的固态图像拾取器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100196302B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019940007330
申请日：1994-04-08
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 기따무라이사야 , 나까무라요시끼 , 이나미마사까즈 , 오까다요시히로
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L27/14831
摘要： 기판의 표면에 복수개의 분리 영역을 간격을 두고 형성하고, 소자 영역을 구분 짓는다. 기판상에 제1 절연막을 형성하고, 그 위에 다결정 실리콘 막을 형성하고, 그것을 패터닝하여 분리 영역과 직교하는 방향의 복수의 제1 전송 전극을 얻는다. 이 제1 전송 전극 상과 상기 패터닝으로 노출된 기판상에 제2 절연막을 형성하고 이 제2 절연막 상에 있고 제1 전송 전극에서 끼워진 사이의 위치에 제2 전송 전극을 형성한다. 그리고, 제1 전송 전극 및 제1 절연막의 두께를 소정의 것으로 함에 따라 여기에서의 가시광의 간섭을 제어하고, 가시광의 투과율을 개선한다. 또한, 수광 영역 이외의 전송 전극의 두께를 두껍게 함에 따라, 전극과의 콘택트를 개선하고, 또 수광 영역 이외에서의 동작을 개선한다.

8. 实用新型

KR2019940000953Y1 CCD의 리셋트 게이트 구조 失效
标题翻译： CCD复位门结构
公开(公告)号：KR2019940000953Y1
公开(公告)日：1994-02-25
申请号：KR2019910005112
申请日：1991-04-13
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L29/76816
摘要： 내용 없음.

9. 发明授权

KR100263979B1 CCD 레지스터를 가진 고체 촬상장치의 제조 방법 失效
标题翻译：制造具有CCD寄存器的固态图像拾取器件的方法
公开(公告)号：KR100263979B1
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019970012853
申请日：1997-04-08
申请人： 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 호까리야스아끼 , 오가와지히로
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L29/42396 , H01L27/148 , H01L27/14831 , H01L31/1864 , Y02E10/50
摘要： 본 발명에 따른 CCD 레지스터를 가진 고체 촬상 장치의 제조 방법에서는, 먼저, 반도체 기판 상에 제1 전송 전극을 선택적으로 형성한 다음에, 열 산화층을 형성하기 위해서 850 내지 950℃의 온도에서 상기 제1 전송 전극의 표면을 열적으로 산화시킨다. 그 후에 기판 위에 다결정 실리콘층을 피착시킨 후에 할로겐 램프에 의해서 상기 제1 전송 전극, 열 산화층 및 다결정 실리콘층을 급속 어닐링 처리한다. 이어서 다결정 실리콘층을 제2 전송 전극으로 형성한 후 램프에 의한 가열에 의해서 어닐링 처리한다. 그래서, 열 산화층의 상부 측에 위치된 다결정 실리콘층 및 그 뒷면에 위치된 제1 전극으로부터의 조사 열에 의하여 열 산화층이 효과적으로 가열될 수 있다. 따라서, 열 산화층의 내 전압이 향상될 수 있으며 열 산화층의두께가 더욱 박막화 될 수 있다.

10. 发明授权

KR100240735B1 2층 전극을 갖는 전하 전송 장치 및 그 제조 방법(CHARGE COUPLED DEVICE HAVING TWO-LAYER ELECTRODES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME) 失效
标题翻译：具有两层电极的电荷耦合器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100240735B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960019480
申请日：1996-06-01
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 나까시바야스따까
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14812 , H01L29/42396 , H01L29/76841
摘要： 전하 전송 장치는 전하 전송 채널을 따라서 교대로 배치된 복수개의 N 확산 영역과 복수개의 N
- 확산 영역을 가진다. 한쌍의 전극을 형성하는 각각의 N 확산 영역과 N
- 확산 영역위에는 제1 전극과 제2 전극이 있으며, 이들은 전하 전송 채널을 따라서 반복적으로 나타나는 전극 그룹을 형성한다. 각각의 제1쌍 및 각각의 제3쌍은 2상 구동 클락 신호를 각각 수신하는 제1 신호라인과 제2 신호에 연결되며, 반면에, 각각의 제2쌍 및 각각의 제4쌍은 구동 신호의 하이 레벨과 로우 레벨사이의 중간 전위로 유지된다. 신호 전하가 고속 전송되는 2상형 전하 전송 장치가 얻어진다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式