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1. 发明授权

KR100112320B1 전하검출소자 失效
公开(公告)号：KR100112320B1
公开(公告)日：1997-02-21
申请号：KR1019930015202
申请日：1993-08-05
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지
IPC分类号： H01L21/339

2. 发明授权

KR100124766B1 고체촬상장치 失效
公开(公告)号：KR100124766B1
公开(公告)日：1997-09-29
申请号：KR1019930015203
申请日：1993-08-05
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지
IPC分类号： H01L27/146

3. 发明授权

KR100100931B1 전하 전송장치 및 고체 촬상장치 失效
公开(公告)号：KR100100931B1
公开(公告)日：1996-06-20
申请号：KR1019920005608
申请日：1992-04-03
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지 , 이서규
IPC分类号： H01L27/148

4. 发明授权

KR1019950007359B1 FT-CCD의 구조 및 제조방법 失效
标题翻译： FT-CCD结构及其制作方法
公开(公告)号：KR1019950007359B1
公开(公告)日：1995-07-10
申请号：KR1019910023864
申请日：1991-12-23
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 정헌준 , 우야신지
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 내용 없음.

5. 发明公开

KR1019950007039A 전하검출소자 失效
公开(公告)号：KR1019950007039A
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：KR1019930015202
申请日：1993-08-05
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지
IPC分类号： H01L21/339
摘要： 본 발명은 전하검출소자에 관한 것으로, 미소한 신호전하를 높은 감도로 검출하기 위해 매몰형의 전하감지채널과 표면형의 플로팅 표면채널이 입체적으로 교차하고, 상기 전하감지채널내의 전하량에 대응하여 상기 플로팅 표면채널의 표면전위가 변동하는 구조를 갖춘 전하검출소자에 있어서, 상기 매몰형의 전하감지채널(5) 표면에 상기 전하감지채널과 반대 도전형의 영역(6)을 갖추고 있고, 상기 플로팅 표면채널의 소오스(16) 및 드레인(17)과 상기 전하감지채널(5) 사이에 표면이 반전 가능한 매몰채널분리영역(2)을 갖추고 있으며, 상기 플로팅 표면채널과 상기 전하감지채널의 캐리어가 동일 부호의 전하인 것을 특징으로 하는 전하검출소자를 제공한다.
이에 따라 암전류 문제가 해결되고, 암전류에 기인하는 숏노이즈가 저감됨으로써 감도 높은 전하검출소자가 실현된다.

6. 发明公开

KR1019950007033A 실리콘 반도체 소자의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019950007033A
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：KR1019930015201
申请日：1993-08-05
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지
IPC分类号： H01L21/322
摘要： 본 발명은 Si-CCD 고체촬상소자등과 같이 중금속 오염이 일어나기 쉬운 실리콘 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 중금속 이온을 게터링하기 위하여 실리콘기판의 소자영역 근방에 존재하는 소자분리영역이나 이에 상당하는 영역, n
+ 또는 p
+ 등의 공핍화되지 않는 소자영역, 또는 후제조공정에 의해 반도체 기판 표면으로부터 제거되거나 격리되는 영역내에 게터링 사이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 의하면 실리콘 기판 표면의 중금속 오염을 조감시키면서 소자를 형성하는 것이 가능하게 되고, 결함이 적고 소자특성이 안정된 실리콘 반도체 소자의 제조가 실현된다.

7. 发明授权

KR100109894B1 실리콘 반도체 소자의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100109894B1
公开(公告)日：1996-12-30
申请号：KR1019930015201
申请日：1993-08-05
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지
IPC分类号： H01L21/322

8. 发明授权

KR1019960014724B1 전하검출소자 失效
标题翻译：电荷检测元件
公开(公告)号：KR1019960014724B1
公开(公告)日：1996-10-19
申请号：KR1019930015202
申请日：1993-08-05
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지
IPC分类号： H01L21/339
摘要： a region(6) of opposite conducting type with a charge sensing channel(5) formed on the surface of the charge sensing channel(5); a buried channel separation region(2) formed between a source/a drain(16,17) of a floating surface channel and the charge sensing channel(5). The charge of the floating surface channel has the same sign as that of the charge sensing channel(5).
摘要翻译：具有形成在电荷感测通道（5）的表面上的电荷感测通道（5）的相反导电类型的区域（6）; 形成在浮动表面通道的源极/漏极（16,17）之间的掩埋沟道分离区域（2）和电荷感测通道（5）。浮动通道的电荷与电荷感测通道（5）的电荷相同。

9. 发明授权

KR1019960002645B1 전하 전송장치 및 고체 촬상장치 失效
标题翻译：充电传输装置和固态图像拍摄装置
公开(公告)号：KR1019960002645B1
公开(公告)日：1996-02-24
申请号：KR1019920005608
申请日：1992-04-03
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 우야신지 , 이서규
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L29/1062 , H01L27/14831
摘要： A charge transfer path of double-layer structure is obtained by forming a surface channel region (9) on a buried channel region (3) in the semiconductor substrate (1). The surface channel region has an opposite conductivity with respect to the buried channel region. The surface channel region of the double-layer structure serves for carrying away a dark current generated at the boundary faces between the substrate and a gate insulating film, when the buried channel region serves for transmission of optical signal charges. When negative and/or positive driver voltages are applied to the transfer electrodes, this does not result in an increase of the dark current. The device for CCD systems, has high signal-noise ratio.
摘要翻译：通过在半导体衬底（1）中的掩埋沟道区（3）上形成表面沟道区（9），获得双层结构的电荷转移路径。表面沟道区相对于掩埋沟道区具有相反的导电性。当掩埋沟道区域用于传输光信号电荷时，双层结构的表面沟道区域用于带走在衬底和栅极绝缘膜之间的边界面处产生的暗电流。当负极和/或正驱动器电压施加到转移电极时，这不会导致暗电流的增加。 CCD系统装置具有较高的信噪比。

10. 发明授权

KR100090207B1 FT-CCD의 구조 및 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100090207B1
公开(公告)日：1995-10-13
申请号：KR1019910023864
申请日：1991-12-23
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 정헌준 , 우야신지
IPC分类号： H01L27/146

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