专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100842376B1 망간 도핑된 황화아연 나노입자의 제조방법 失效
标题翻译： ZNS的制备方法：MN纳米颗粒
公开(公告)号：KR100842376B1
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：KR1020070022666
申请日：2007-03-07
申请人： 한빔 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 박병우 , 손동연 , 정대룡 , 김종민 , 오병두 , 이재승
IPC分类号： B82B3/00 , C01G9/08 , B82Y40/00
CPC分类号： C01G9/08 , B82B3/0038 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64
摘要： A preparation method of even-sized ZnS:Mn nanoparticles is provided to obtain ZnS:Mn nanoparticles having excellent phosphorescence at lower temperature in a simple process economically by employing liquid-solid-solution synthesis method under optimized selections for raw material compounds, Mn concentration and treatment temperature. A preparation method of ZnS:Mn nanoparticles comprises steps of: 1) forming a primary liquid layer by dissolving zinc acetate and manganese nitrate in distilled water; 2) forming a secondary layer by adding linoleate type organic materials to the primary layer; 3) forming a tertiary liquid layer by adding linoleic acid and a solution having thioacetamide in ethanol to the secondary layer; 4) forming ZnS:Mn nanoparticles by treating the prepared primary, secondary and tertiary layers at 85-95deg.C for 9-12 hours; 5) collecting and washing the ZnS:Mn nanoparticles; 6) drying the washed ZnS:Mn nanoparticles; and 7) treating the dried ZnS:Mn nanoparticles at ambient temperature-600deg.C for 9-12 hours. The molar ratio of zinc acetamide in step 1) and thioacetamide in step 3) is 0.9-1.1:0.9-1.1, respectively. The amount of manganese nitrate is 1-10at.% in the solution in step 1). The molar ratio of zinc acetamide and manganese nitrate is 1:0.005-0.02 in step 1).
摘要翻译：提供均匀ZnS：Mn纳米粒子的制备方法，在经过优化选择的原料化合物，Mn浓度和液体固溶体合成方法经济性的基础上，在较低温度下获得了较低的磷光ZnS：Mn纳米粒子，处理温度。 ZnS：Mn纳米颗粒的制备方法包括以下步骤：1）通过将乙酸锌和硝酸锰溶解在蒸馏水中形成主液层; 2）通过将亚油酸盐型有机材料加入到初级层中形成第二层; 3）通过将亚油酸和在乙醇中含有硫代乙酰胺的溶液加入到二级层中形成叔液层; 4）通过在85-95℃下处理制备的初级，二级和三级层9-12小时形成ZnS：Mn纳米颗粒; 5）收集和洗涤ZnS：Mn纳米粒子; 6）干燥洗涤后的ZnS：Mn纳米粒子; 和7）在环境温度为600℃下处理干燥的ZnS：Mn纳米颗粒9-12小时。步骤1）中乙酰胺锌与步骤3）中硫代乙酰胺的摩尔比分别为0.9-1.1：0.9-1.1。在步骤1）的溶液中，硝酸锰的量为1-10at。％。步骤1）中乙酰胺和硝酸锰的摩尔比为1：0.005-0.02。

2. 发明授权

KR100959079B1 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：具有增强散热的发光二极管装置及其制备方法
公开(公告)号：KR100959079B1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020050088435
申请日：2005-09-22
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 최민호 , 신부건 , 유민아
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 (a) 한면 또는 양면상에 하나 이상의 홈이 일정 간격으로 형성된 제 1 기판; 및 (b) 제 1면 상에 발광다이오드부가 성장된 사파이어 기판을 포함하는 접합체로서, 상기 제 1 기판과 사파이어 기판의 발광다이오드부가 접합제에 의해 서로 접합된 것이 특징인 접합체, 상기 접합체를 이용한 단위칩(unit chip) 및 상기 단위칩을 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 사파이어 기판을 사용하는 고출력 발광 다이오드의 제작에 있어서 사파이어 기판의 두께를 유의적으로 감소시킴으로써 열방출 효율을 현저하게 개선시킬 뿐만 아니라, 두께가 감소된 사파이어 기판을 지지하는 제 1 기판으로서 일정 간격의 홈이 형성된 것을 사용함으로써 제조 공정의 단순성 확보 및 공정 수율 향상을 도모할 수 있다.
질화갈륨, 발광 다이오드, 사파이어 기판, 열 전도도, 열방출

3. 发明公开

KR1020070021873A 측면 방사형 렌즈 및 이를 이용한 발광 소자 无效
标题翻译：使用相同的侧发光透镜和发光装置
公开(公告)号：KR1020070021873A
公开(公告)日：2007-02-23
申请号：KR1020050097969
申请日：2005-10-18
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 하덕식 , 신부건 , 최민호 , 강종훈 , 유민아 , 이재승
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/60
摘要： 본 발명은 측면 방사형 렌즈 및 이를 이용한 발광 소자에 대한 것이다. 본 발명에 의한 렌즈는 형상이 단순하여 성형 및 제작이 용이하며, 발광체에 적용되어 상기 발광체에서 방사되는 빛의 측면방사를 유도할 수 있다.
렌즈, 측면 방사, 발광소자, 반사면, 발광 다이오드

4. 发明授权

KR100890467B1 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：生产氮化镓发光二极管器件的方法
公开(公告)号：KR100890467B1
公开(公告)日：2009-03-30
申请号：KR1020050086953
申请日：2005-09-16
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 신부건 , 최민호 , 강종훈 , 유민아 , 오병두
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 사파이어 기판 상에 질화갈륨계 발광 다이오드 결정 구조를 성장시켜 발광 다이오드 소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 발광 다이오드 결정구조가 성장된 사파이어 기판을 단위칩으로 분리하는 단계; 및 상기 단위칩에서 사파이어 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따라, 발광 다이오드 결정구조가 성장된 사파이어 기판을 제거 하기 이전에 단위칩으로 형성함으로써, 사파이어 기판 제거시 발광 다이오드 결정 구조의 쪼개짐을 방지할 수 있어서 박막형 발광다이오드 소자의 양산화가 가능하다.
레이저 리프트 오프, 사파이어 기판, 발광 다이오드

5. 发明公开

KR1020070039195A 열적 안정성이 개선된 반도체 소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：具有先进热稳定性的半导体器件及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070039195A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：KR1020050094236
申请日：2005-10-07
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 신부건 , 최민호 , 유민아
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/12 , H01L33/02
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/29 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83825 , H01L2924/01006 , H01L2924/00014
摘要： 본 발명은 (a) 제 1면상에 제 1 금속층이 형성된 발광다이오드부; 및 (b) 제 1면상에 제 2 금속층이 형성된 제 1 기판을 구비하며, 상기 제 1 금속층은 300℃ 이하의 융점을 갖는 1종 이상의 금속(A) 또는 상기 금속 함유 합금(AB)을 함유하고, 제 2 금속층은 제 1 금속층과 합금(alloy) 형성이 가능하며 합금 형성에 의해 용융점 상승을 일으키는 금속(C)을 함유하며, 상기 발광다이오드부 및 제 1 기판 각각에 형성된 제 1 금속층과 제 2 금속층은 서로 접촉되도록 대향시킨 후 열에 의해 용융되면서 접합층을 이루는 것이 특징인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법, 상기 발광다이오드 소자를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 발광다이오드 소자는 반도체 소자의 통상적인 접합 온도 범위에서 용이한 접합이 이루어질 뿐만 아니라 이후 고온 열처리가 요구되는 추가 공정 수행도 가능하므로 발광다이오드 소자의 열적 안정성 및 물리적, 전기적 특성을 높일 수 있다.
발광다이오드, 용융점 상승

6. 发明公开

KR1020070021876A 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：提高光提取效率的发光二极管装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070021876A
公开(公告)日：2007-02-23
申请号：KR1020050101758
申请日：2005-10-27
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 유민아 , 최민호 , 신부건
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 본 발명은 (a) 발광다이오드부; 및 (b) 상기 발광다이오드부의 발광면 상에 형성된 금속 산화물 입자와 고분자를 포함하는 투광성 조절 미세 패턴을 구비하는 것이 특징인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법, 상기 발광다이오드 소자를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
본 발명은 금속 산화물 입자가 포함되고 투광성 조절 미세 패턴이 임프린트된 고분자 필름층으로 발광다이오드부 표면 구조를 조절함으로써, 발광다이오드부 표면의 광추출 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
발광다이오드, 금속 산화물 입자, 미세 패턴, 임프린트, 광추출
摘要翻译：（A）发光二极管部分; 和（b）提供一种设备，包括其特征在于形成在所述表面发射光的发光二极管器件和制造该发光二极管装置，其包含含有金属氧化物颗粒的透光控制精细图案的方法和聚合物发光二极管单元的。

7. 发明公开

KR1020070008745A 광추출 효율이 개선된 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：具有先进光提取效率的发光二极管装置及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070008745A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050062481
申请日：2005-07-12
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 유민아 , 이재승 , 신부건 , 하덕식 , 최민호 , 강종훈
IPC分类号： H01L33/20
摘要： An LED device is provided to prevent an electrode material from being corroded by an etch process, by forming an uneven pattern on a light emitting surface of an LED part, by performing an etch process and by forming an electrode. An uneven pattern is formed on a light emitting surface in an LED part. An ohmic contact metal layer is positioned in a recess part which is formed by partially etching the light emitting surface of the unevenly patterned LED part. In the LED part, an undoped layer composed of a III-V group compound and a semiconductor layer are sequentially stacked. The semiconductor layer includes an n-type layer having a III-V group compound and an n-type dopant, an active layer, and a p-type layer having a III-V group compound and a p-type dopant.
摘要翻译：提供LED装置，通过在LED部件的发光表面上形成不均匀图案，通过进行蚀刻工艺和形成电极来防止电极材料被蚀刻工艺腐蚀。在LED部件的发光面上形成凹凸图案。欧姆接触金属层位于通过部分蚀刻不均匀图案化的LED部分的发光表面而形成的凹部中。在LED部中依次层叠由III-V族化合物和半导体层构成的未掺杂层。半导体层包括具有III-V族化合物和n型掺杂剂的n型层，有源层和具有III-V族化合物和p型掺杂剂的p型层。

8. 发明公开

KR1020070000952A 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자의 제조방법 无效
标题翻译：用于制备具有加热排放速率增强的发光二极管装置的方法
公开(公告)号：KR1020070000952A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050088430
申请日：2005-09-22
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 최민호 , 신부건 , 강종훈 , 유민아 , 하덕식
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： A method for manufacturing an LED device is provided to enhance heat dissipation rate by minimizing the thickness of a sapphire substrate. A light emitting diode part is formed on a sapphire substrate. The light emitting diode part is bonded with a first surface of a first substrate by using a first adhesive. A second surface of the first substrate is bonded with a first surface of a second substrate by using a second adhesive. After the second surface in the sapphire substrate is processed, the second substrate is disconnected. The processed second surface of the sapphire substrate is contacted with a lead frame, and the first substrate is disconnected.
摘要翻译：提供一种用于制造LED器件的方法，以通过使蓝宝石衬底的厚度最小化来提高散热率。发光二极管部分形成在蓝宝石衬底上。发光二极管部分通过使用第一粘合剂与第一基板的第一表面接合。通过使用第二粘合剂将第一基板的第二表面与第二基板的第一表面接合。在处理蓝宝石衬底中的第二表面之后，第二衬底被断开。蓝宝石衬底的经处理的第二表面与引线框架接触，第一衬底断开。

9. 发明公开

KR1020060066620A 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 无效
标题翻译：甘光发光二极管器件
公开(公告)号：KR1020060066620A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020050088664
申请日：2005-09-23
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 신부건 , 최민호 , 유민아
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 금속층이 형성되어 있는 서브마운트 기판 제1면 상에 사파이어 기판이 제거된 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 결정 구조가 단위칩 형태로 탑재되어 있는 발광 다이오드 소자로서, 상기 단위칩의 부착 표면적 보다 서브마운트 기판의 제1면의 표면적이 더 크며, 단위칩 부착 부위 주변에 확장되어 있는 서브마운트 기판 표면에 상기 금속층이 노출되어 있는 것이 특징인 발광다이오드 소자 및 이의 제조 중간체들을 제공한다.
본 발명의 발광 다이오드 소자는 질화갈륨계 발광 다이오드 결정 구조가 성장된 사파이어 기판을 단위칩으로 분리하는 제1단계; 금속층이 형성되어 있는 서브마운트 기판 제1면 상에 하나 이상의 상기 단위칩을 접합시키는 제2단계; 상기 단위칩에서 사파이어 기판을 제거하는 제3단계를 통해 제조될 수 있다.

10. 发明公开

KR1020060066618A 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 无效
标题翻译：薄光发光二极管器件
公开(公告)号：KR1020060066618A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020050086951
申请日：2005-09-16
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 신부건 , 최민호 , 유민아
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 사파이어 기판이 제거된 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 결정 구조가 단위칩 형태로 서브마운트 기판 제1면 상에 탑재되어 있는 발광 다이오드 소자로서, 상기 단위칩의 부착 표면적 보다 서브마운트 기판의 제1면의 표면적이 더 큰 것이 특징인 발광 다이오드 소자 및 이의 제조 중간체들을 제공한다.
본 발명의 발광 다이오드 소자는 질화갈륨계 발광 다이오드 결정 구조가 성장된 사파이어 기판을 단위칩으로 분리하는 제1단계; 하나 이상의 상기 단위칩을 서브마운트 기판 상에 접합시키는 제2단계; 상기 단위칩에서 사파이어 기판을 제거하는 제3단계를 통해 제조될 수 있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式