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1. 发明授权

KR100959079B1 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：具有增强散热的发光二极管装置及其制备方法
公开(公告)号：KR100959079B1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020050088435
申请日：2005-09-22
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 최민호 , 신부건 , 유민아
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 (a) 한면 또는 양면상에 하나 이상의 홈이 일정 간격으로 형성된 제 1 기판; 및 (b) 제 1면 상에 발광다이오드부가 성장된 사파이어 기판을 포함하는 접합체로서, 상기 제 1 기판과 사파이어 기판의 발광다이오드부가 접합제에 의해 서로 접합된 것이 특징인 접합체, 상기 접합체를 이용한 단위칩(unit chip) 및 상기 단위칩을 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 사파이어 기판을 사용하는 고출력 발광 다이오드의 제작에 있어서 사파이어 기판의 두께를 유의적으로 감소시킴으로써 열방출 효율을 현저하게 개선시킬 뿐만 아니라, 두께가 감소된 사파이어 기판을 지지하는 제 1 기판으로서 일정 간격의 홈이 형성된 것을 사용함으로써 제조 공정의 단순성 확보 및 공정 수율 향상을 도모할 수 있다.
질화갈륨, 발광 다이오드, 사파이어 기판, 열 전도도, 열방출

2. 发明公开

KR1020070021873A 측면 방사형 렌즈 및 이를 이용한 발광 소자 无效
标题翻译：使用相同的侧发光透镜和发光装置
公开(公告)号：KR1020070021873A
公开(公告)日：2007-02-23
申请号：KR1020050097969
申请日：2005-10-18
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 하덕식 , 신부건 , 최민호 , 강종훈 , 유민아 , 이재승
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/60
摘要： 본 발명은 측면 방사형 렌즈 및 이를 이용한 발광 소자에 대한 것이다. 본 발명에 의한 렌즈는 형상이 단순하여 성형 및 제작이 용이하며, 발광체에 적용되어 상기 발광체에서 방사되는 빛의 측면방사를 유도할 수 있다.
렌즈, 측면 방사, 발광소자, 반사면, 발광 다이오드

3. 发明公开

KR1020070011041A 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：具有先进光提取效率的发光二极管装置及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070011041A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050100669
申请日：2005-10-25
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 신부건 , 최민호 , 하덕식 , 유민아 , 강종훈 , 이재승
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0008 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
摘要： An LED device is provided to effectively improve light extraction efficiency of the surface of an LED part by adjusting the surface structure of the LED part while using a plurality of light transmitting particles. An adjust layer in which light transmitting adjusting particles are aligned is formed on the light emitting surface of an LED part. The light transmitting adjusting particles can be at least one metal oxide selected from a group of titanium-based oxide, tungsten-based oxide, zinc-based oxide, aluminum-based oxide, indium-based oxide and tin-based oxide. A light transmitting adjusting particle and a molding material are mixed to form the adjust layer.
摘要翻译：提供一种LED器件，通过在使用多个透光粒子的同时调整LED部件的表面结构，有效地提高LED部件的表面的光提取效率。在LED部件的发光面上形成有透光调整粒子对准的调整层。透光调整颗粒可以是选自钛基氧化物，钨基氧化物，锌基氧化物，铝基氧化物，铟基氧化物和锡基氧化物中的至少一种金属氧化物。将透光调整颗粒和成型材料混合以形成调节层。

4. 发明公开

KR1020070000323A 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：具有增强散热的发光二极管装置及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070000323A
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050088435
申请日：2005-09-22
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 최민호 , 신부건 , 유민아
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： A light emitting diode device having enhanced heat dissipation and a preparation method thereof are provided to improve a heat dissipation function by minimizing a thickness of a sapphire substrate. An assembly includes a first substrate having one or more grooves which are formed on one side or both sides thereof, and a sapphire substrate having a light emitting diode part which is grown on a first side thereof. The first substrate and the light emitting diode part of the sapphire substrate are bonded by the assembly. The assembly is formed by arranging one or more light emitting diode parts of the sapphire substrate on a space between the grooves formed on one side or both sides of the first substrate.
摘要翻译：提供了具有增强的散热性的发光二极管装置及其制备方法，以通过使蓝宝石衬底的厚度最小化来改善散热功能。组件包括具有在其一侧或两侧上形成的一个或多个凹槽的第一基板和具有在其第一侧上生长的发光二极管部分的蓝宝石基板。蓝宝石衬底的第一衬底和发光二极管部分通过组件接合。组件通过将蓝宝石衬底的一个或多个发光二极管部分布置在形成在第一衬底的一侧或两侧上的凹槽之间的空间上而形成。

5. 发明公开

KR1020060066619A 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：用于生产薄发光二极管器件的方法
公开(公告)号：KR1020060066619A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020050086953
申请日：2005-09-16
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 신부건 , 최민호 , 강종훈 , 유민아 , 오병두
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 사파이어 기판 상에 질화갈륨계 발광 다이오드 결정 구조를 성장시켜 발광 다이오드 소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 발광 다이오드 결정구조가 성장된 사파이어 기판을 단위칩으로 분리하는 단계; 및 상기 단위칩에서 사파이어 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따라, 발광 다이오드 결정구조가 성장된 사파이어 기판을 제거 하기 이전에 단위칩으로 형성함으로써, 사파이어 기판 제거시 발광 다이오드 결정 구조의 쪼개짐을 방지할 수 있어서 박막형 발광다이오드 소자의 양산화가 가능하다.
레이저 리프트 오프, 사파이어 기판, 발광 다이오드

6. 发明授权

KR100890467B1 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：生产氮化镓发光二极管器件的方法
公开(公告)号：KR100890467B1
公开(公告)日：2009-03-30
申请号：KR1020050086953
申请日：2005-09-16
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 신부건 , 최민호 , 강종훈 , 유민아 , 오병두
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 사파이어 기판 상에 질화갈륨계 발광 다이오드 결정 구조를 성장시켜 발광 다이오드 소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 발광 다이오드 결정구조가 성장된 사파이어 기판을 단위칩으로 분리하는 단계; 및 상기 단위칩에서 사파이어 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따라, 발광 다이오드 결정구조가 성장된 사파이어 기판을 제거 하기 이전에 단위칩으로 형성함으로써, 사파이어 기판 제거시 발광 다이오드 결정 구조의 쪼개짐을 방지할 수 있어서 박막형 발광다이오드 소자의 양산화가 가능하다.
레이저 리프트 오프, 사파이어 기판, 발광 다이오드

7. 发明公开

KR1020070039195A 열적 안정성이 개선된 반도체 소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：具有先进热稳定性的半导体器件及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070039195A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：KR1020050094236
申请日：2005-10-07
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 신부건 , 최민호 , 유민아
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/12 , H01L33/02
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/29 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83825 , H01L2924/01006 , H01L2924/00014
摘要： 본 발명은 (a) 제 1면상에 제 1 금속층이 형성된 발광다이오드부; 및 (b) 제 1면상에 제 2 금속층이 형성된 제 1 기판을 구비하며, 상기 제 1 금속층은 300℃ 이하의 융점을 갖는 1종 이상의 금속(A) 또는 상기 금속 함유 합금(AB)을 함유하고, 제 2 금속층은 제 1 금속층과 합금(alloy) 형성이 가능하며 합금 형성에 의해 용융점 상승을 일으키는 금속(C)을 함유하며, 상기 발광다이오드부 및 제 1 기판 각각에 형성된 제 1 금속층과 제 2 금속층은 서로 접촉되도록 대향시킨 후 열에 의해 용융되면서 접합층을 이루는 것이 특징인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법, 상기 발광다이오드 소자를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 발광다이오드 소자는 반도체 소자의 통상적인 접합 온도 범위에서 용이한 접합이 이루어질 뿐만 아니라 이후 고온 열처리가 요구되는 추가 공정 수행도 가능하므로 발광다이오드 소자의 열적 안정성 및 물리적, 전기적 특성을 높일 수 있다.
발광다이오드, 용융점 상승

8. 发明公开

KR1020070021876A 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：提高光提取效率的发光二极管装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070021876A
公开(公告)日：2007-02-23
申请号：KR1020050101758
申请日：2005-10-27
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 유민아 , 최민호 , 신부건
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 본 발명은 (a) 발광다이오드부; 및 (b) 상기 발광다이오드부의 발광면 상에 형성된 금속 산화물 입자와 고분자를 포함하는 투광성 조절 미세 패턴을 구비하는 것이 특징인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법, 상기 발광다이오드 소자를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
본 발명은 금속 산화물 입자가 포함되고 투광성 조절 미세 패턴이 임프린트된 고분자 필름층으로 발광다이오드부 표면 구조를 조절함으로써, 발광다이오드부 표면의 광추출 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
발광다이오드, 금속 산화물 입자, 미세 패턴, 임프린트, 광추출
摘要翻译：（A）发光二极管部分; 和（b）提供一种设备，包括其特征在于形成在所述表面发射光的发光二极管器件和制造该发光二极管装置，其包含含有金属氧化物颗粒的透光控制精细图案的方法和聚合物发光二极管单元的。

9. 发明公开

KR1020070008745A 광추출 효율이 개선된 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：具有先进光提取效率的发光二极管装置及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070008745A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050062481
申请日：2005-07-12
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 유민아 , 이재승 , 신부건 , 하덕식 , 최민호 , 강종훈
IPC分类号： H01L33/20
摘要： An LED device is provided to prevent an electrode material from being corroded by an etch process, by forming an uneven pattern on a light emitting surface of an LED part, by performing an etch process and by forming an electrode. An uneven pattern is formed on a light emitting surface in an LED part. An ohmic contact metal layer is positioned in a recess part which is formed by partially etching the light emitting surface of the unevenly patterned LED part. In the LED part, an undoped layer composed of a III-V group compound and a semiconductor layer are sequentially stacked. The semiconductor layer includes an n-type layer having a III-V group compound and an n-type dopant, an active layer, and a p-type layer having a III-V group compound and a p-type dopant.
摘要翻译：提供LED装置，通过在LED部件的发光表面上形成不均匀图案，通过进行蚀刻工艺和形成电极来防止电极材料被蚀刻工艺腐蚀。在LED部件的发光面上形成凹凸图案。欧姆接触金属层位于通过部分蚀刻不均匀图案化的LED部分的发光表面而形成的凹部中。在LED部中依次层叠由III-V族化合物和半导体层构成的未掺杂层。半导体层包括具有III-V族化合物和n型掺杂剂的n型层，有源层和具有III-V族化合物和p型掺杂剂的p型层。

10. 发明公开

KR1020070000952A 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자의 제조방법 无效
标题翻译：用于制备具有加热排放速率增强的发光二极管装置的方法
公开(公告)号：KR1020070000952A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050088430
申请日：2005-09-22
申请人： 한빔 주식회사
发明人： 이재승 , 최민호 , 신부건 , 강종훈 , 유민아 , 하덕식
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： A method for manufacturing an LED device is provided to enhance heat dissipation rate by minimizing the thickness of a sapphire substrate. A light emitting diode part is formed on a sapphire substrate. The light emitting diode part is bonded with a first surface of a first substrate by using a first adhesive. A second surface of the first substrate is bonded with a first surface of a second substrate by using a second adhesive. After the second surface in the sapphire substrate is processed, the second substrate is disconnected. The processed second surface of the sapphire substrate is contacted with a lead frame, and the first substrate is disconnected.
摘要翻译：提供一种用于制造LED器件的方法，以通过使蓝宝石衬底的厚度最小化来提高散热率。发光二极管部分形成在蓝宝石衬底上。发光二极管部分通过使用第一粘合剂与第一基板的第一表面接合。通过使用第二粘合剂将第一基板的第二表面与第二基板的第一表面接合。在处理蓝宝石衬底中的第二表面之后，第二衬底被断开。蓝宝石衬底的经处理的第二表面与引线框架接触，第一衬底断开。

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