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    • 1. 发明公开
    • 헤드 일체형 원자간력 현미경 및 이를 포함한 융합 현미경
    • 具有集成头和包括其的融合显微镜的原子力显微镜
    • KR1020160078534A
    • 2016-07-05
    • KR1020140187700
    • 2014-12-24
    • 한국표준과학연구원
    • 김달현박병천유현웅
    • G01Q60/24
    • G01Q60/32G01Q20/02G01Q30/02G01Q30/18G01Q60/38G01Q60/24G01Q60/00G01Q60/34Y10S977/852
    • 본발명의목적은원자간력현미경(AFM)의헤드구조를최적화함으로써, 중량및 부피최소화와구조적안정성향상을실현하는원자간력현미경용일체형헤드를제공함에있다. 본발명의다른목적은, 이러한일체형헤드를장착함으로써동적특성이향상되어고속헤드스캔이가능해서대면적샘플이미징에활용할수 있는헤드일체형원자간력현미경을제공함에있다. 본발명의또다른목적은, 이처럼동적특성이향상된헤드일체형원자간력현미경과전자현미경또는광학현미경을융합함으로써, 고속위치탐색및 이미징이가능함과동시에관심영역에서는원자상수준까지의 3차원형상의정밀관찰이가능하도록하는, 헤드일체형원자간력현미경을포함한융합현미경을제공함에있다.
    • 本发明的目的是提供一种具有最小重量和体积的原子力显微镜(AFM)的集成头,以及通过优化AFM的头部结构来提高结构稳定性。 本发明的另一个目的是提供一种头部集成的AFM,其具有安装在其上的上述集成头,具有改善的动态特性,使得能够进行高速头扫描,并且AFM能够用于宽 - 样品成像。 本发明的另一个目的是提供一种包括头部集成的AFM的融合显微镜。 融合显微镜是具有改进的动态特性的上述头部集成AFM和电子显微镜或光学显微镜的组合,使得高速位置搜索和成像以及兴趣区域中的3D形状的详细观察 原子级别是可能的。 用于AFM的集成头部包括:测量单元(110),其形成为沿纵向从其一侧延伸到另一侧的板,其中具有第一反射镜(211)的第一反射镜安装座(111)和 具有第二反射镜(212)的第二反射镜安装座(112)在纵向方向上从一侧到另一侧彼此预定距离地连续地放置和固定,并且具有尖端(115) 215),其具有探针并且形成为沿着从第一反射镜安装件(111)放置的长度方向延伸并且沿高度方向和宽度方向固定的板,并且所述尖端(215)的下部具有: 一个空的空间; 源单元(120),其形成为连接到所述测量单元(110)的一侧的块,所述块在长度方向上具有贯通路径(125),所述通孔设置有透镜(225),所述透镜 侧具有固定光源单元(220); 以及感测单元(130),其形成为连接到所述测量单元(110)的另一侧的块,所述测量单元(110)的另一侧具有容纳所述位置敏感光电检测器(PSPD)(230)的纵向方向上的容纳路径(135),并且 迷恋。
    • 3. 发明授权
    • 멀티 피펫을 구비한 이온전도현미경
    • 扫描离子导管显微镜与多重条形码
    • KR100816088B1
    • 2008-03-24
    • KR1020060130405
    • 2006-12-19
    • 한국표준과학연구원
    • 김달현박병천안상정구자용문대원
    • G01N27/26G01N27/00
    • G01Q60/44G01Q70/06
    • A scanning ion conductance microscope with a multipipet is provided to obtain a wide area of images at a time by detecting ion currents in barrels with the multipipet, thereby improving speed, resolution, and a signal to noise ratio. A scanning ion conductance microscope includes a pipet(1). The pipet detects change of ion current flowing through a pipet hole to convert into an image. A pair of pipets with pipet electrodes(12) constitute a multipipet. The ion currents flowing through the pipet holes of the multipipet are compared with each other to detect a sample. The scanning ion conductance microscope further includes a noise reference pipet(10). The noise reference pipet, installed at a flat part of the sample, measures the ion current of the flat part to detect noise, and extracts the noise included in the ion current detected by the multipipet.
    • 提供具有多吸嘴的扫描离子电导显微镜,以通过检测与多管的桶中的离子电流来一次获得广谱图像,从而提高速度,分辨率和信噪比。 扫描离子电导显微镜包括移液管(1)。 移液管检测流过移液孔的离子电流的变化,以转换为图像。 具有移液管电极(12)的一对移液管构成多管。 将流过多吸嘴的移液孔的离子流彼此进行比较以检测样品。 扫描离子电导显微镜还包括噪声参考吸管(10)。 噪声参考吸管安装在样品的平坦部分,测量平面部分的离子电流以检测噪声,并提取由多吸嘴检测到的离子电流中包含的噪声。
    • 5. 发明授权
    • 주사형 터널링 현미경의 피드백 회로
    • 扫描隧道显微镜的反馈电路
    • KR100143506B1
    • 1998-10-01
    • KR1019940019470
    • 1994-08-08
    • 한국표준과학연구원
    • 구자용김달현이세경박해원
    • G02B21/32
    • 본 발명은 탐침 위치 전압을 입력으로 하여 피드백시키는 주사형 터널링 현미경의 피드백 회로에 관한 것으로, 아날로그 스위치를 사용하여 샘플-홀드 기능을 향상시키기 위한 주사형 터널링 현미경의 피드백(Feedback) 회로에 관한 것으로 이를 위해 본 발명은 탐침 위치 전압을 입력으로 하여 피드백시키는 주사형 터널링 현미경의 피드백 회로에 있어서, 상기 터널링 전류전압과 피드백 회로의 최종 출력전압 중에서 하나를 선택하여 출력함으로써 피드백 기능을 제어하는 스위칭 수단(28)을 더 포함하여 구성된다.
      따라서 본 발명은 첫째, 피드백 회로가 끊어진후 오랜 시간이 경과되어도 스캔너의 z축에 걸리는 전압의 변화가 없으므로 스펙트로스코피의 실험시 오랜 시간에 걸친 정밀한 측정을 할 수 있고, 둘째, z축 전압을 컴퓨터의 디지날/아날로그 변환기로 제어할 수 있으므로 샘플-홀더에 필요한 큰 용량을 갖는 캐패시터가 필요하지 않아 피드백 회로의 신뢰성과 속도를 향상시킬 수 있고, 셋째, 아날로그 스위치에 연산증폭기의 비반전 입력단을 통해 탐침 위치 제어 전압을 출력시킬 수 있으므로 서피스 모디케이션(Surface Modification)을 위채서 탐침시료간거리를 임의로 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있다.
    • 7. 发明公开
    • 2차원 도펀트 이미징 도펀트 농도 정량화 기준물질 및 정량화 방법
    • 2-d掺杂剂成像中的掺杂剂浓度的定量参考材料及其使用的测量方法
    • KR1020110045408A
    • 2011-05-04
    • KR1020090101972
    • 2009-10-26
    • 한국표준과학연구원
    • 김달현
    • G01N1/00H01L21/265H01L21/66
    • PURPOSE: A reference material of quantification of dopant density in two-dimensional dopant imaging and a measuring method by using the same are provided to change a measuring signal of all dopant concentration section into dopant concentration. CONSTITUTION: A reference material of quantification of dopant density in two-dimensional dopant imaging is as follows. The dopant of different concentration is implanted on a substrate in several times in order to manufacture a single crystal wafer. The single crystal wafer has two more concentration peaks. A one-dimension measurement signal profile of a measurement object sample is obtained. A two dimension concentration profile is converted from the signal profile of a one-dimension measurement object.
    • 目的:提供二维掺杂剂成像中的掺杂剂浓度的定量参考材料和使用该参考材料的测量方法,以将所有掺杂剂浓度部分的测量信号改变为掺杂剂浓度。 构成:二维掺杂剂成像中的掺杂剂浓度的定量参考材料如下。 为了制造单晶晶片,将不同浓度的掺杂剂注入基片上几次。 单晶晶片有两个浓度峰。 获得测量对象样品的一维测量信号轮廓。 二维浓度分布从一维测量对象的信号分布转换。
    • 9. 发明公开
    • 이온빔을 이용한 일차원 또는 이차원 나노 구조물의 무운동 굽힘 방법
    • 1维二维纳米结构的运动离子束弯曲
    • KR1020130074521A
    • 2013-07-04
    • KR1020110142613
    • 2011-12-26
    • 한국표준과학연구원
    • 김달현이확주안상정
    • B82B3/00H01J17/48
    • H01J37/317B82B3/0023B82B3/0076Y10S977/84Y10S977/842Y10S977/901
    • PURPOSE: A motionless bending method of one-dimensional or two-dimensional nanostructure using ion beams is provided to repetitively use high energy ion beams and low energy ion beams, thereby controlling a bending direction and shape of nanostructure without movement of the nanostructure. CONSTITUTION: A motionless bending method of one-dimensional or two-dimensional nanostructure using ion beams comprises following steps. One-dimensional or two-dimensional nanostructure (20) is bent by irradiating ion beams (10). According to the energy of the ion beams, a bending direction of the nanostructure is controlled. A bending direction and a shape of the nanostructure are controlled by repetitively irradiation of high energy ion beams (11) and low energy ion beams (12). The high energy ion beams have energy which bends the nanostructure to an ion beam direction (S). The low energy ion beams have energy which bends the nanostructures to an ion beam progressive direction (P). According to the thickness of the nanostructures, a bending direction of the nanostructures is controlled.
    • 目的:提供使用离子束的一维或二维纳米结构的静态弯曲方法,以重复使用高能离子束和低能量离子束,从而控制纳米结构的弯曲方向和形状,而不会移动纳米结构。 构成:使用离子束的一维或二维纳米结构的静态弯曲方法包括以下步骤。 通过照射离子束(10)使一维或二维纳米结构(20)弯曲。 根据离子束的能量,控制纳米结构的弯曲方向。 通过重复照射高能离子束(11)和低能离子束(12)来控制纳米结构的弯曲方向和形状。 高能离子束具有将纳米结构弯曲成离子束方向的能量(S)。 低能离子束具有将纳米结构弯曲成离子束渐进方向(P)的能量。 根据纳米结构的厚度,控制纳米结构的弯曲方向。
    • 10. 发明授权
    • 고속 주사탐침현미경의 제어 방법
    • 控制方法高速扫描探针显微镜模式
    • KR100845005B1
    • 2008-07-09
    • KR1020060130408
    • 2006-12-19
    • 한국표준과학연구원
    • 김달현박병천안상정구자용
    • G01N13/10
    • G01Q10/065
    • 본 발명은 고속 주사탐침현미경(Scanning Probe Microscopy)의 제어 방법에 관한 것으로 선택적으로 탐침 피드백 요소를 줄이고 탐침을 수평 이동시킴으로서 고속으로 이미징할 수 있는 고속 주사탐침현미경(Scanning Probe Microscopy)의 제어 방법에 관한 것이다.
      이러한 본 발명에 따른 고속 주사탐침현미경의 제어 방법은 탐침과 ; 탐침과 시편 사이의 거리에 따라서 변하는 신호인 피드백신호를 감지하는 검출기와 ; 탐침과 시편 사이의 거리를 일정하게 유지하는 피드백요소와, 상기 탐침 또는 시편을 이동시키는 스캐너를 포함하여 구성된 주사탐침현미경의 제어 방법에 있어서, 상기 탐침을 수평 이동시켜 시편의 표면을 스캐닝하되, 상기 탐침과 시편 사이의 거리가 피드백신호의 거리의존성이 미약하지만 잡음으로부터 분리할 수 있는 정도의 미리 정한 최대작동거리와 탐침이 시편과 부딪히는 것을 방지하기 위해서 미리 설정한 최소작동거리 사이의 고속모드작동거리 안에 속하는지를 상기 피드백신호를 통하여 판단하고, 고속모드작동거리에 속하는 경우 즉시 피드백요소를 제거하여 일정하게 탐침의 높이를 유지하는 상태로 탐침을 수평 이동하면서 시편의 표면굴곡을 고속으로 감지함을 특징으로 한다.
      또한 본 발명은 상기 시편의 표면을 감지 과정에서 시편의 표면에 상기 고속모드작동거리를 벗어나는 경우 피드백 요소를 즉시 회복하여 기존의 주사탐침현미경과 같이 표면을 감지함을 특징으로 한다.
      고속 주사탐침현미경, 피드백요소, 고속모드작동거리, 최소작동거리, 최대작동거리