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1. 发明授权

KR100135012B1 차동 논리회로 失效
标题翻译：差分逻辑电路
公开(公告)号：KR100135012B1
公开(公告)日：1998-04-25
申请号：KR1019940036368
申请日：1994-12-23
申请人： 주식회사 케이티 , 한국전자통신연구원
发明人： 박세훈 , 채상훈 , 송원철 , 이인열 , 김원찬
IPC分类号： H03K19/00
摘要： 본 발명에 따른 전류형 차동 논리회로는 전류원, 두개의 NMOS 회로 및 부하로 구성된다.
두 개의 NMOS 회로 중 하나는 일반적인 스태틱 CMOS 논리회로의 NMOS 부분과 동일하며, 다른 하나는 일반적인 스태틱 CMOS 논리회로의 PMOS를 동일한 기능을 갖도록 NMOS로 대치한 것이다.
부하는 저항 혹은 PMOS 등으로 구성되며 논리신호는 차동신호이다. 전류형 차동 논리회로에서는 VDD 전원에서 Vss로 전류원에 의한 일정한 전류가 흐르기 때문에 출력단의 상태 변화시 전류 스파이크가 종래의 회로에 비해 매우 개선된다.

2. 发明授权

KR100123579B1 기둥(Pillar)형 바이폴라 트랜지스터 구조 및 그 제조방법 失效
标题翻译：柱式双极晶体管结构及其制造方法
公开(公告)号：KR100123579B1
公开(公告)日：1997-09-19
申请号：KR1019930027023
申请日：1993-12-09
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이규홍 , 박세훈 , 김대용 , 이진효
IPC分类号： H01L27/082

3. 发明授权

KR1019970009033B1 기둥(Pillar)형 바이폴라 트랜지스터 구조 및 그 제조방법 失效
标题翻译：柱型晶体管的结构与制造方法
公开(公告)号：KR1019970009033B1
公开(公告)日：1997-06-03
申请号：KR1019930027023
申请日：1993-12-09
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이규홍 , 박세훈 , 김대용 , 이진효
IPC分类号： H01L27/082
摘要： The device is characterized by the features that the surroundings of a transistor pillar(6) are etched, and a base region is located in the middle of an N first heavily doped impurity layer(7) and an N second heavily doped impurity layer(20), and a base electrode is buried in a silicon substrate. The method is for reducing the parasitic junction capacitance of the base electrode and having the bidirectional operation characteristics of the transistor.
摘要翻译：该器件的特征在于蚀刻晶体管柱（6）的周围，并且基极区域位于N个第一重掺杂杂质层（7）和N个第二重掺杂杂质层（20）的中间），并且将基极埋设在硅衬底中。该方法是用于减小基极的寄生结电容并具有晶体管的双向工作特性。

4. 发明公开

KR1019960027315A 차동 논리회로 失效
标题翻译：差分逻辑电路
公开(公告)号：KR1019960027315A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036368
申请日：1994-12-23
申请人： 주식회사 케이티 , 한국전자통신연구원
发明人： 박세훈 , 채상훈 , 송원철 , 이인열 , 김원찬
IPC分类号： H03K19/00
摘要： 본 발명은 따른 전류형 차동 논리회로는 전류원, 두개의 NMOS회로 및 부하로 구성된다.
두개의 NMOS회로 중 하나는 일반적인 스태틱 CMOS논리회로의 NMOS부분과 동일하며, 다른 하나는 일반적인 스태틱 CMOS논리회로의 PMOS를 동일한 기능을 갖도록 NMOS로 대치한 것이다.
부하로 저항 혹은 PMOS 등으로 구성되며 논리신호는 차동신호이다.
전류형 차동 논리회로에서 V
DD 전원에서 V
SS 로 전류원에 의한 일정한 전류가 흐르기 때문에 출력단의 상태 변화시 전류 스파이크가 종래의 회로에 비해 매우 개선된다.

5. 发明公开

KR1019950021716A 기둥(Pillar)형 바이폴라 트랜지스터 구조 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019950021716A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027023
申请日：1993-12-09
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이규홍 , 박세훈 , 김대용 , 이진효
IPC分类号： H01L27/082

6. 发明公开

KR1019950021485A 저전력소자의 구조 및 제조방법 失效
标题翻译：低功率器件的结构和制造方法
公开(公告)号：KR1019950021485A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027024
申请日：1993-12-09
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이규홍 , 박세훈 , 김대용 , 이진효
IPC分类号： H01L27/04

7. 发明授权

KR100128036B1 저전력소자의 구조 및 제조방법 失效
标题翻译：低功率结构及其制造方法
公开(公告)号：KR100128036B1
公开(公告)日：1998-04-02
申请号：KR1019930027024
申请日：1993-12-09
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이규홍 , 박세훈 , 김대용 , 이진효
IPC分类号： H01L27/04
摘要： A structure of low power devices such as pillar-type bipolar transistors having bi-directional moving characteristics and method thereof is provided to improve parasitic junction capacitance. The method comprises the steps of: forming a first oxide(2) on a P-type semiconductor substrate(1); defining three transistor region(4) and defining a silicon region(3) by etching the P-type silicon substrate using the difference of the etching selectivity between the first oxide(2) and the substrate(1); forming a base region(8) positioned between a first N-type impurity layer(5) and a second N-type impurity layer(17) by depositing a polysilicon; and forming a base electrode(12) filled in an etched silicon substrate(1), thereby forming bipolar transistor having three pillar. Thereby, it is possible to decrease the parasitic junction capacitance.
摘要翻译：提供诸如具有双向移动特性的柱型双极晶体管等低功率器件的结构及其方法，以改善寄生结电容。该方法包括以下步骤：在P型半导体衬底（1）上形成第一氧化物（2）; 通过使用第一氧化物（2）和衬底（1）之间的蚀刻选择性的差异蚀刻P型硅衬底来限定三晶体管区域（4）并限定硅区域（3）; 通过沉积多晶硅形成位于第一N型杂质层（5）和第二N型杂质层（17）之间的基极区（8）; 以及形成填充在蚀刻硅衬底（1）中的基极（12），从而形成具有三个柱的双极晶体管。由此，能够减小寄生接合电容。

8. 发明授权

KR100867374B1 이동 동작 애니메이션 제작 시스템 및 방법 失效
标题翻译：用于生产机动车动画的系统和方法
公开(公告)号：KR100867374B1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：KR1020070026760
申请日：2007-03-19
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 장성준 , 박세훈 , 이인호
IPC分类号： G06T13/40
摘要： 본 발명은 모션 캡처 데이터(motion capture data)를 이용한 이동 동작 애니메이션(locomotion animation) 제작 시스템 및 방법에 관한 것으로, 특히, 모션 캡처 데이터를 이용해서 다양한 이동 거리와 타이밍에 대하여 적용 가능한 불연속적인 부분이 없는 자연스러운 이동 동작 애니메이션을 자동으로 제작하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명은 모션 캡처 데이터(12)를 출발 단계의 출발 모션 캡처 데이터(14), 이동 단계의 이동 모션 캡처 데이터(16) 및 도착 단계의 도착 모션 캡처 데이터(18)로 각기 분리해서 저장한 후, 이를 이용하여 불연속적인 부분이 없이 자연스럽게 이동 동작 모션들을 연결하면서도 다양한 이동 거리와 시간의 요구 사항을 만족시킬 수 있는 애니메이션을 자동으로 만들 수 있도록 한다. 이를 이용해 지면과 발이 미끄러지면 안 되는 제약 조건으로 인해 실제 각종 애니메이션 작업에서 자동화되기가 어려웠던 실사 수준의 이동 동작 애니메이션을 손쉽게 만들 수 있다.
모션, 캡처, 시뮬레이션, 애니메이션

9. 发明公开

KR1020080052139A 이동 동작 애니메이션 제작 시스템 및 방법 失效
标题翻译：用于生产机动车动画的系统和方法
公开(公告)号：KR1020080052139A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070026760
申请日：2007-03-19
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 장성준 , 박세훈 , 이인호
IPC分类号： G06T13/40
CPC分类号： G06T7/269 , G06T7/00 , G06T13/00
摘要： A locomotion animation making system and a method therefor are provided to make a natural locomotion animation automatically without a discontinuous part applied to various movement distance and timing by using motion capture data. A motion capture data storing unit(20) stores start motion capture data of a start stage, movement motion capture data of a movement stage, and arrival motion capture data of an arrival stage. A simulation calculating unit(30) calculates the entire movement distance, a time stopped in start and arrival, and a stop time before start and after arrival according to characters by using the maximum movement speed of a simulation as a speed calculated in the movement motion caption data. When the entire movement distance is shorter than the movement distance of the arrival-stage motion capture data, an animation calculating unit(50) extracts a motion part of the arrival stage according to the entire movement distance, configures a locomotion animation, and satisfies the entire time corresponding to the entire motion of the animation.
摘要翻译：提供了一种运动动画制作系统及其方法，通过使用运动捕捉数据，自动进行自动运动动画，而不用不连续部分应用于各种运动距离和定时。运动捕捉数据存储单元（20）存储起始阶段的起始运动捕获数据，运动阶段的移动运动捕获数据和到达阶段的到达运动捕获数据。模拟计算单元（30）通过使用模拟的最大移动速度作为在运动中计算的速度来计算整个移动距离，开始和到达时停止的时间以及到达之前和之后的停止时间字幕数据。当整个移动距离小于到达阶段运动捕获数据的移动距离时，动画计算单元（50）根据整个移动距离提取到达阶段的运动部分，构成运动动画，并满足整个时间对应于动画的整个动作。

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