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1. 发明公开

KR1020170053555A 투명전도성산화물 박막의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：透明导电氧化物薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020170053555A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：KR1020160067550
申请日：2016-05-31
申请人： 한국전자통신연구원 , 순천대학교 산학협력단
发明人： 김성현 , 이지면 , 김동철 , 이명래 , 임영안
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , G06F3/041 , G02F1/1343
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본발명의실시예에따른투명전도성산화물박막의제조방법은, 제1 폴리머용액을준비하는단계와, 제2 폴리머용액을준비하는단계와, 상기제1 폴리머용액과상기제2 폴리머용액을혼합한제3 폴리머용액을형성하는단계와, 상기제3 폴리머용액을기판상에코팅하는단계와, 상기기판을건조시켜상기기판상에박막을형성하는단계, 및수소플라즈마처리공정을통해상기박막의표면처리를실시하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方式的透明导电氧化物薄膜的制造方法包括制备聚合物溶液的第一步骤，和第二，包括以下步骤：制备聚合物溶液，其特征在于，所述第一聚合物溶液中，两种聚合物溶液的第二混合物通过干燥步骤的薄膜的表面上，所述衬底涂覆的阶段和所述第三聚合物溶液中以形成通过的工序的基板上的第三聚合物溶液中，并在基板上形成的薄膜的氢等离子体处理步骤并执行一个过程。

2. 发明授权

KR101351475B1 투명전도성산화물 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 투명전도성산화물 박막 有权
标题翻译：透明导电氧化薄膜和透明导电氧化薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR101351475B1
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020120158177
申请日：2012-12-31
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 이지면 , 이동민 , 김재관
IPC分类号： H01B13/00
摘要： A manufacturing method of a transparent conductive oxide thin film according to the present invention comprises a step of forming a thin film made of a transparent conductive oxide with a solution process; a step of thermally processing the thin film made of the transparent conductive oxide; a step of performing a hydrogen plasma-treatment on the thin film made of the transparent conductive oxide; and a step of performing surface processing on the thin film made of the transparent conductive oxide. The manufacturing method of a transparent conductive oxide thin film according to the present invention economically rapidly forms the thin film made of the transparent conductive oxide by using a solution process, improves electrical characteristics of the thin film by performing a hydrogen plasma-treatment, and solves a problem that the transmittance is reduced by a metal cluster formed on the surface of the thin film after the hydrogen plasma-treatment through surface processing using an acidic fluid, thereby effectively manufacturing the transparent conductive oxide thin film having the improved electrical characteristics and optical characteristics. [Reference numerals] (S10) Form a thin film with a transparent conductive oxide; (S20) Thermally process the thin film; (S30) Plasma-process the thin film; (S40) Surface-process the thin film with an acidic fluid
摘要翻译：根据本发明的透明导电氧化物薄膜的制造方法包括用溶液法形成由透明导电氧化物制成的薄膜的步骤; 由透明导电氧化物制成的薄膜进行热处理的步骤; 对由透明导电氧化物构成的薄膜进行氢等离子体处理的工序; 以及对由透明导电氧化物制成的薄膜进行表面处理的步骤。根据本发明的透明导电氧化物薄膜的制造方法通过使用溶液法快速地形成由透明导电氧化物制成的薄膜，通过进行氢等离子体处理来改善薄膜的电特性，并且解决在通过使用酸性流体的表面处理进行氢等离子体处理后，通过形成在薄膜表面上的金属簇的透射率降低的问题，从而有效地制造具有改善的电特性和光学特性的透明导电氧化物薄膜。（附图标记）（S10）形成具有透明导电氧化物的薄膜; （S20）热处理薄膜; （S30）等离子体处理薄膜; （S40）用酸性液体表面处理薄膜

3. 发明公开

KR1020120099889A 투명 전도성 산화막의 표면처리 방법 有权
标题翻译： TCO表面处理方法
公开(公告)号：KR1020120099889A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018394
申请日：2011-03-02
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 이지면 , 김준영
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , G06F3/041
CPC分类号： H01B13/00 , G06F3/0412 , H01B5/14 , H01B13/0016
摘要： PURPOSE: A surface processing method of a transparent conductive oxide film is provided to perform plasma surface process of a TCO(Transparent Conductive Oxide) based on indium tin oxide or indium oxide by using mixed gas of oxygen and hydrogen. CONSTITUTION: A substrate having a transparent conductivity oxide film is inserted into an RF plasma chamber(S102). A surface process is performed by using plasma formed in mixed gas of oxygen and hydrogen(S104). A TCO film is composed based on indium tin oxide or indium oxide. The mixed gas of oxygen and hydrogen includes inactive gas such as He, Ne, Ar, or N. [Reference numerals] (AA) Start; (S102) Inserting a TCO into an RF plasma chamber; (S104) Processing a surface of H2+O2 plasma
摘要翻译：目的：提供透明导电氧化物膜的表面处理方法，通过使用氧和氢的混合气体来进行基于氧化铟锡或氧化铟的TCO（透明导电氧化物）的等离子体表面处理。构成：将具有透明导电氧化膜的基板插入RF等离子体室（S102）。通过使用在氧气和氢气的混合气体中形成的等离子体进行表面处理（S104）。 TCO膜基于氧化铟锡或氧化铟构成。氧气和氢气的混合气体包括诸如He，Ne，Ar或N的惰性气体。（S102）将TCO插入到RF等离子体室中; （S104）处理H2 + O2等离子体的表面

4. 发明授权

KR101163646B1 ＬＥＤ 모듈을 위한 어드레스 전극라인 및 제조방법 有权
标题翻译： LED模块地址电极线及其制造方法
公开(公告)号：KR101163646B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100042321
申请日：2010-05-06
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 이지면 , 김재관 , 진용출
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/48
摘要： 본 발명은 LED 모듈을 위한 어드레스 전극라인 및 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 LED 모듈을 위한 어드레스 전극라인은, 베이스 기판과; 상기 베이스 기판 상에 일정폭과 일정길이를 가지도록 적어도 하나가 배치되며 전도성 재질을 가지는 제1어드레스 전극라인과; 상기 제1어드레스 전극라인 상에 배치되는 절연라인과; 상기 절연라인 상에 배치되며 전도성 재질을 가지는 제2어드레스 전극라인을 구비한다. 본 발명에 의할 경우, 투명 사인보드나 투명 디스플레이 용도로 사용이 가능하고 이중적층 구조의 투명 어드레스 전극라인을 형성함에 의해 종래의 금속 어드레스 전극라인에 비해 차지하는 대면적이 줄어듬으로서 LED 칩의 집적도를 향상시킬 수 있다.

5. 发明授权

KR101123241B1 고방열 특성을 갖는 발광 다이오드 모듈 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有高热辐射性能的LED模块及其制造方法
公开(公告)号：KR101123241B1
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020090122961
申请日：2009-12-11
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 이지면 , 진용출
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： LED 소자와 히트 싱크를 열전도 물질(TIM)을 이용하여 직접 부착시킴으로써, 최소한의 열전도 경로를 갖는 고휘도 또는 고출력 LED 모듈을 제공할 수 있다. 히트 싱크는 컵 형상의 반사부를 갖는 상부 히트 싱크와, 전기 와이어가 삽입될 수 있는 오목한 홈을 갖는 하부 히트 싱크로 이루어지고, 하부 히트 싱크 위에 TIM을 이용하여 상기 LED 소자를 부착한다. 하부 히트 싱크의 상기 홈에 전기 와이어를 삽입하여 LED 소자를 전기적으로 연결하고, 상부 히트 싱크와 하부 히트 싱크를 TIM을 이용하여 접합한다.
LED, 고출력, 히트 싱크, 방열

6. 发明公开

KR1020100133116A 아연도금강판의 내식성 향상을 위한 표면처리방법 失效
标题翻译：表面处理方法，用于增强镀锌钢板的抗腐蚀性能
公开(公告)号：KR1020100133116A
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：KR1020090051830
申请日：2009-06-11
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 남창현 , 김병일 , 이지면
IPC分类号： C23C2/06 , C23C2/02
摘要： PURPOSE: A surface processing method for enhancing the corrosion-resistance of a galvanized sheet is provided to increase corrosion resistance and to prevent the decrease of shaping performance since the etching of a layer can be limited. CONSTITUTION: A surface processing method for enhancing the corrosion-resistance of a galvanized sheet comprises next steps. Zinc is plated on a steel sheet to form a zinc-plating steel sheet. One of washing, pickling and degreasing processes is made on the zinc-plating steel sheet to be washed. The washed zinc-plating steel sheet is mounted on the susceptor in a plasma reactor. Gas is injected into the plasma reactor to form plasma. The zinc-plating steel sheet is exposed to the plasma and the surface of the zinc-plating steel sheet is processed using the plasma.
摘要翻译：目的：提供一种用于提高镀锌板的耐腐蚀性的表面处理方法，以提高耐腐蚀性并防止成形性能的降低，因为可以限制层的蚀刻。构成：用于提高镀锌板的耐腐蚀性的表面处理方法包括以下步骤。将锌镀在钢板上以形成镀锌钢板。在要洗涤的镀锌钢板上进行洗涤，酸洗和脱脂工艺之一。将洗涤的镀锌钢板安装在等离子体反应器中的基座上。将气体注入等离子体反应器中以形成等离子体。将镀锌钢板暴露于等离子体，并且使用等离子体处理镀锌钢板的表面。

7. 发明公开

KR1020070016490A 아연산화물의 습식식각방법 有权
标题翻译：氧化锌的湿蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020070016490A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050071208
申请日：2005-08-04
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 이지면 , 김병일
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134
摘要： 본 발명은 아연산화물의 습식식각방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 소정의 반응조건하에 있는 반응기에 산성의 식각액을 주입하여 아연산화물을 식각하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서 사용되는 식각액은 인산 및/또는 황산과 물의 혼합물임을 특징으로 하며, 상기의 혼합물에 염산이 추가로 포함될 수 있다.
본 발명에 의하여 식각된 아연산화물은 이방성 특성이 증가하고, 표면의 평탄도가 향상되며, 또한 사용목적에 적합하게끔 식각율을 조절할 수 있게 된다.
습식식각, 인산, 황산, 염산, 아연산화물
摘要翻译：本发明涉及氧化锌的湿式蚀刻方法，更具体地涉及在预定反应条件下通过将酸性蚀刻溶液注入到反应器中来蚀刻氧化锌的方法。用于本发明的蚀刻剂是磷酸和/或硫酸和水的混合物，并且混合物可以进一步含有盐酸。

8. 发明授权

KR101940702B1 플라즈마 표면처리 된 플렉서블 기판을 이용한 그래핀 투명전극 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101940702B1
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：KR1020160113461
申请日：2016-09-02
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 김재관 , 강경호 , 이지면
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , H01B3/30 , H01J37/32 , H05K1/03 , C01B31/04

9. 发明授权

KR101586441B1 광전자소자용 팔라듐 금속층의 식각 방법 有权
标题翻译：用于蚀刻用于光电设备的铂层的方法
公开(公告)号：KR101586441B1
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140123858
申请日：2014-09-17
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 이지면 , 김재관 , 김용연
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00
摘要： 광전자소자용팔라듐금속층의식각방법이개시된다. 본발명의광전자소자용팔라듐금속층의식각방법은, (a) 기판에형성된금속산화물반도체층의상부에팔라듐을증착하여팔라듐금속층을마련하는단계; (b) 상기팔라듐금속층위에 PR 패턴층을형성하는단계; 및 (c) 불활성기체와활성기체의혼합기체를이용하여상기팔라듐금속층을건식식각하는단계를포함하되, 상기활성기체는 Cl기체, CHF기체및 CF기체중 어느하나이거나적어도둘 이상의혼합으로이루어지는것을특징으로한다. 본발명에의할경우, Cl기체, CHF기체및 CF기체중 어느하나또는적어도둘 이상의혼합으로이루어지는기체와 Ar 기체의혼합기체를이용하여플라즈마식각처리함으로써팔라듐금속층의식각벽면에식각부산물이재증착하는정도와팔라듐금속층하부의금속산화물반도체층에가해지는플라즈마데미지를완화시킬수 있을뿐만아니라팔라듐금속층에정확한패턴을구현하여전기적인신뢰성이향상된광전자소자를제조할수 있게된다.
摘要翻译：公开了蚀刻用于光电子器件的钯金属层的方法。蚀刻用于光电子器件的钯金属层的方法的特征在于包括以下步骤：（a）通过在形成在衬底上的金属氧化物半导体层的上部沉积钯制备钯金属层; （b）在钯金属层上形成PR图案层; （c），并使用惰性气体和活性气体的气体混合物干蚀刻钯金属层。活性气体是来自Cl_2气体，CHF_3气体和CF_4气体的活性气体，或其中至少两种混合物的混合物。根据本发明，通过使用Ar气体的气体混合物和由Cl_2气体，CHF_3气体和CF_4气体中的至少两种之一或其混合物形成的气体进行等离子体干蚀刻处理，提供了不能仅减轻了在钯金属层的蚀刻壁上的蚀刻副产物的再沉积程度，并且对金属氧化物半导体层的金属氧化物半导体层的等离子体损伤减少到钯金属层的下部，并且还将精确图案应用于钯金属层以提高电气可靠性。

10. 发明授权

KR101274228B1 산화물 박막 식각 용액 및 이를 이용한 산화물 박막의 식각 방법 有权
标题翻译：氧化物层的氧化层蚀刻和蚀刻方法
公开(公告)号：KR101274228B1
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020100121863
申请日：2010-12-02
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 이지면 , 김재관
IPC分类号： C23F1/30 , H01L21/311 , H01L21/306
摘要： 본발명은산화물박막의식각용액및 이를이용한식각방법에관한것으로서, 보다상세하게는산화물다층박막의습식식각에사용되는식각용액및 이를이용한식각방법에관한것이다. 본발명에따른습식식각용액을활용하면, IGZO(투명전극)/HfOx(절연막) 적층다층박막형태의 TFT 소자제작및 산화물반도체제작에있어서, 기존의무기산계열의식각용액보다고 선택비를얻을수 있으며, 기존의무기산계열의식각용액을이용한습식식각시문제점으로작용하는너무빠른식각율에따른식각제어및 식각저항에따른언더컷등의문제점을해결할수 있기때문에습식식각공정을활용한패터닝공정을용이하게진행할수 있다.
摘要翻译：目的：提供氧化物层蚀刻剂和使用其的氧化物层的蚀刻方法，以防止由蚀刻速率过高蚀刻控制和由蚀刻电阻引起的底切。构成：氧化物层蚀刻剂包括10-60重量％的无机酸和40-90重量％的有机酸。无机酸是选自由BOE（缓冲氧化物蚀刻剂），HF，HCl和H 2 SO 4组成的组中的一种或多种。有机酸是选自甲酸和草酸的一种或多种。在室温下使用蚀刻剂，在使用时搅拌无机酸和有机酸。

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